智能工业pH值变送器的设计

该文介绍了一种采用89C52单片机设计的pH值智能变送器,将工业现场的0～14 pH值变送为4～20 mA的标准信号输出.该变送器采用玻璃电极作为测量传感器,采用两片7650运放组成的差动电路作为输入电路,提高了抗干扰能力,采用Ptl00热电阻测量被测介质的温度,对pH值进行温度补偿,提高了测量精度.文中介绍了硬件电路的设计原理及软件框图.     

关于铂电阻测温非线性补偿问题的探讨

电阻式传感器的非线性是傅各经常需要处理的问题,针对铂电阻在测量温度中存在的非线性,分析了产生非线性误差的主要原因,讨论了改善铂电阻线性度以及消除测量电路非线性的方法,给出的方法简易易行,具有实用性。     

一种0.6μm CMOS带隙参考电压源

利用CMOS晶体管迁移率和阈值电压温度效应相互补偿的原理 ,采用CSMC HJ 0 6 μmCMOS技术设计了一种稳定的带隙参考电压源 ,该带隙参考电压源可以在 0～ 85℃、电源电压 4 5～5 5V的范围内正常工作 ,输出参考电压为 1 12 2～ 1 176V ,输出参考电压浮动比例小于± 3 70 % .包括键合用的焊盘在内 ,芯片的总面积仅为 0 4mm× 0 4mm ,当电源电压在 4 5～ 5 5V范围内变化时 ,电路总的功率消耗在 2 8 3～ 4 8 8mW之间浮动 .     

输出电压低于1 V的无电阻CMOS带隙基准电压源

本提出了一种带隙基准电压源，它能产生低于1V的精确基准电压．该电路有较高性能的启动电路使电路在上电时能进入正确的状态．在0．25μm CMOS工艺条件下，电路的各项性能指标采用HSPICE进行模拟验证．模拟结果表明该电路在2．2V～3．3V的电源电压变化范围内、在-10～80℃温度变化范围内，输出电压的变化不超过11mV．     

基于单片机的水位监控系统设计

介绍了以STC12C5A为处理器的水位监控系统设计。首先将变送器WRT~136的水位压力信号转变为4~20mA的电流信号,其次经电流/电压转换电路转换为0~5V模拟电压信号,0~5V的模拟电压信号再次通过模/数电路AD0805将模拟信号转换为单片机可以识别的数字信号。主控芯片STC12C5A对数字量读取和处理后,将水位信息传送给数码管进行显示。     

一种CMOS带隙基准电路的设计

带隙基准源广泛应用于许多模拟集成电路中，其性能对这些系统具有重要影响．一种基于CMOS0．18u工艺的带隙基准电路，Hspice仿真表明其工作电压可以低至2．2V，输出基准电压为1．232V，具有良好的温度特性，可以应用于电源芯片或数模混合芯片中．     

电压表和电流表

电流表是测量电路中电流的仪麦，电路中的符号是电压麦是测量电路两端电压的仪表，电路中的符号是．电流表和电压表都有三个接线柱，两个量程：电流表（0～0．、6A，0～3A），电压表（0～3V，0～15V）．西民历正确使用，不可错援．①测目的要进行校军，即相外画村老两表的霎测设城，则有愿差顺手调整．②组项表必须串联授在传测电路中，电压表必须H联接在招细电路两端，都要使电流从两表的正的接钱往流入，几员由接钱往流出，不可叵接．四不可将电流表设当电压表使用．③要注意两表的测区范围，会正确选用圆盘测．里闭，要对所测电路的电…     

单通道神经信号再生集成电路

将利用分立器件设计的4通道神经信号再生电子系统成功地应用于大鼠和家兔的活体动物实验,再生了它们的神经信号．采用相同的原理,用CSMC0．6μm CMOS工艺设计实现了单通道神经信号再生集成电路．电路由增益可调的神经信号探测电路、缓冲器和神经功能电激励电路构成．电路采用±2．5V双电源电压供电．芯片尺寸为1．42mm×1．34mm．在片测试电路的静态功耗小于10mW,输出电阻为118mΩ,3dB带宽大于30kHz,增益在50～90dB可调．电路芯片与卡肤电极、针状双体电极一起,用于大鼠的神经信号再生的活体动物实验,成功地再生了大鼠的坐骨神经和脊髓神经信号．     

基于无线传输的电机温度监测系统设计

针对电机温度采集采用电缆连接复杂、易受电磁干扰等问题,设计了一种基于STC12LE5A16AD单片机的电机绕组端部、轴承温度检测以及单片射频发射器芯片NRF905构成的无线传输系统.给出了单片机控制的系统硬件电路结构、软件框图及其实现方法.通过PT100铂电阻检测电机不同部位的温度信息,获得实时电机温度变化信号,并将数据无线传输到监测中心.实验表明,该系统精度高、抗干扰能力强、测量范围宽,精确度和稳定性均可满足实际要求.     

顶空气相色谱法分析烟用粘合剂中VOC的研究

采用顶空气相色谱法对卷烟胶中主要的14种有害挥发性成分（VOC）进行定量分析研究。结果表明：在最佳顶空条件中,平衡温度为80℃;平衡时间为40min;样品环温度100％;传输线温度120℃。在最佳色谱条件中,色谱柱选择DB-624;柱长30m;柱内径0．53mm;柱液膜厚度3．00nm。14种挥发性成分的回收率均在91．5％～103．5％,相对标准偏差在0．8～4．0,其分析方法的准确性与重现性都较好。     

InP-based RTD/HEMT monolithic integration

Monolithic integration of resonant tunneling diodes (RTDs) and high electron mobility transistors (HEMTs) is an important development direction of ultra-high speed integrated circuit. A kind of top-RTD and bottom-HEMT material structure is epitaxied on InP substrate through molecular beam epitaxy. Based on wet chemical etching, metal lift-off and air bridge interconnection technology, RTD and HEMT are fabricated simultaneously. The peak-to-valley current ratio of RTD is 7.7 and the peak voltage is 0.33 V at room temperature. The pinch-off voltage is -0.5 V and the current gain cut-frequency is 30 GHz for a 1.0 μm gate length depletion mode HEMT. The two devices are conformable in current magnitude, which is suitable for the construction of various RTD/HEMT monolithic integration logic circuits.     

一种补偿型压控高压恒流源的设计与应用

介绍一种以运算放大器为核心器件,通过NPN型三极管集电极输出的高压小电流精密恒流源电路,分析了电路的工作原理、重要元件的参数选择及电压检测电路带来的电流误差,给出了以运算放大器比例运算电路实现补偿的方法．该电路结构简单、性能稳定、线性度好,输出电流通过0-5V模拟电压调节,输出电压可达1100V,适合用作中高压化成箔到达电压的测试电源．丈中还给出了利用该恒流源电路构成四通道高压化成箔时间电压自动测试仪的硬件方案．     

Monolithic Integration of GaAs-Based Resonant Tunneling Diode and High Electron Mobility Transistor

The resonant tunneling diode (RTD) is an ultra-highspeed and ultra-high frequency quantum-transport deviceaccompanied with negative differential resistance (NDR)I-Vcharacteristic originating fromresonant tunneling effect .The core structure of RTDis doubl…     

低能量He-Ne激光血管内照射仪的设计

介绍了直流稳压电路的基本原理,并设计了能激发激光器的低压电源.激光通过光纤传播到血液 里照射病灶可以达到治疗的目的.在直流稳压电路里,采用了可调的集成稳压器,使输出电压可以调节.     

基于单片机控制的数控电源设计

基于AT89S51单片机控制的数控电源,采用键盘输入数字脉冲信号经AT89S51单片机处理后,由数/模转换器DAC0832变换成模拟信号后经稳压集成电路LM324控制输出电压,每按一次键盘输出电压增加或者减少0.02V,采用数码电路更直观准确的显示输出电压的变化.该数控电源与同等功率的线性稳压电源相比,效率得到了明显提高,具有成本低,操作方便、输出电压精度高、集成度高、电压稳定度高,为精密仪器和设备的电源设计提供一种新方法和新思路.     

一种新型亚阈值MOSFET电流模基准电路

提出了一种结构新颖的亚阈值MOSFET电流模基准电路,利用反馈技术产生偏置于电流ICTAT的电流IPTAT,输出基准电压只是一个自变量（ICTAT）的函数,降低了其温漂系数．对电路进行了仿真,获得了较好的性能指标,这种电路结构在[-20℃～100℃]温度范围内对输出基准电压进行很好的高阶温度曲率补偿,能够获得很低的温漂系数（TC｜TT约6．25ppm／℃）,最小工作电压不大于1V．     

一种纯CMOS低功耗高电源抑制电压基准电路

基于阈值电压的负温度特性以及热电压的正温度特性,给以适当的权重后把它们相加,提出了一个零温度系数的基准电压电路。该器件由工作在亚阈值区的CMOS晶体管组成,不包含电阻和双极晶体管。采用3支路电流基准结构替代共源共栅结构和嵌入式运算放大器,具有芯片面积小和功耗低的优点。仿真结果表明,在标准0.18μmCMOS工艺下,该电路可在0.75 V电源电压下工作,输出电压为563 mV。在-40~125℃范围内,电压温度系数仅为17.5×10^-6/℃。电源电压范围在1.2~1.8 V时线性灵敏度为569.5×10^-6/V,电源抑制比可达到66.5 dB@100 Hz,最高功耗仅为187.4 nW。     

基于ICL7135的直流电参数测量仪设计

以Altera公司的CPLD芯片为直流电参数测量仪核心,以ICL7135芯片为直流电参数采集电路核心,所设计的监测仪能够实现对直流电压/电流的并行采样,电路结构简单、AD转换精度高、解决了分时切换方式下监测数据丢失问题。     

由LM331构成单片机V/F精密数据采集电路

本文介绍了一种电压频率转换器构成串行模数转换器的应用,包括单片计算机与其接口的电路和高精度频率测量程序设计方法。使用少量线路构成V/F数据采集通道,程序控制电路接口,实现模拟信号高精度转换为计算机要求的数字信号。     

数控直流电源的一种实现方法

本设计运用单片机来实现智能控制,利用放大电路和CW 317电路来实现电压和电流的放大,可实现0-20 V输出,最大输出电流2 A。最后运用ADC0809对输出电压进行反馈,以实现稳压输出。