不同浓度La掺杂ZnO薄膜光学特性的研究

用凝胶溶胶（sol—gel）法在普通截玻片和si上生长了稀土La掺杂ZnO薄膜,稀土La^3＋离子和Zn^2＋浓度摩尔比分别为1％,2％,3％．通过X射线衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计（UVS）、原子力显微镜（AFM）、光致发光（PL）等对薄膜的结构、光学特性、形貌进行表征,结果显示不同浓度La掺杂的ZnO薄膜均为六角纤锌矿结构,薄膜表面颗粒均匀平整,随着掺杂浓度的提高,La掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰出现蓝移现象．     

高介电HfOxNy薄膜的表面形貌及光学特性研究

采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法,在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜．利用原子力显微镜,研究氮的掺入对薄膜表面形貌的影响,结果表明,N的掺杂改善了HfO2薄膜的表面形貌,同时抑制了高温退火过程中表面粗糙度的增加;通过椭圆偏振仪对薄膜的光学特性的研究表明,随退火温度的升高,薄膜的折射率和消光系数都呈上升趋势．     

热红外探测VO2薄膜的制备与XPS分析

采用射频磁控溅射沉积方法,结合氢气氛退火工艺制备了热红外探测VO2薄膜,通过优化工艺,制备出化学计量比接近理论值、高质量的VO2薄膜．利用X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的相结构、组分进行了分析．测试结果显示,V2O5薄膜在退火温度450℃、退火2h条件下,制备得到的薄膜成分主要是VO2相．     

CeO2掺杂对BaTiO3系统微观结构及介电性能的影响

对稀土氧化物CeO2掺杂的BaTiO3系统微观结构和介电性能进行了研究。结果表明,在BaTiO3陶瓷中掺杂CeO2会产生细晶效应、介电常数增大以及介电损耗减小等现象。由X射线衍射仪（XRD）计算可知,c轴变长,a轴变短,增强,Ti^4＋“自发极化强度,因而介电常数有所提高。由于Ce^4＋离子进行A位取代,Ce^4＋离子半径（0．103nm）小于Ba^2＋离子半径（0．135nm）,导致晶格常数有所减小,居里温度向低温移动。掺杂CeO2的摩尔分数为0．5％的BaTiO3陶瓷在1240℃下烧成的主要性能指标为：室温介电常数ε25℃≈3160,介电损耗-0．9％,-55℃到125℃范围内最大电容量变化率不超过±15％。     

用离子束增强沉积法制备In-N共掺杂ZnO薄膜

用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶.在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜.在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜.初步研究了INZO共掺杂薄膜的电阻率随退火条件的变化.     

C eO 2掺杂对 PZT 压电陶瓷介电性能的影响

为了提高Pb（Zr0．52 Ti0．48）O3（PZT）压电陶瓷的性能,通过改进传统固相法,研究CeO2不同掺杂量对PZT压电陶瓷性能的影响。采用X射线衍射和阻抗分析仪对样品进行分析,研究结果表明,掺杂后的PZT压电陶瓷均为单一的钙钛矿结构,随着掺杂量的增加,晶相逐渐从四方相向三方相转变,相对介电常数和介电损耗先增加后减少。当CeO2掺杂质量分数为0．6％时,介电常数达到最大值,为934;掺杂质量分数为0．8％时,介电损耗最小,为1．3％。这表明了CeO2掺杂既可以是“软性”掺杂,又可以是“硬性”掺杂。     

掺杂镧铒对纳米二氧化钛薄膜光催化性能的影响

钛酸四丁酯作为前驱体,溶胶凝胶法经煅烧在玻璃载体上制备了稀土离子（La^3＋、Er^3＋）掺杂的纳米TiO2薄膜光催化剂．以罗丹明B作为有机污染物,可见吸光光度法测定太阳光降解作用的结果表明,未掺杂稀土离子的TiO2薄膜光催化效果差,掺杂稀土离子的纳米TiO2薄膜具有亲水性和更好的光催化活性．稀土离子掺杂光催化效果La^3＋〉Er^3＋,当摩尔比Ti^4＋：La^3＋为0．003时光催化效果最好,对罗丹明B的降解率为87.6％．     

新型低温等离子体技术及应用

等离子体尤其是低温等离子体由于其一系列特殊的性质,广泛应用于薄膜沉积、微电路干法刻蚀、材料表面改性等方面。本文介绍了目前经常采用的几种新型低温等离子体技术,电子回旋共振（ECR）等离子体、射频感应耦合（ICP）等离子体、以及螺旋波（HWP）等离子体。这几种等离子体由于无内电极放电无污染、等离子体密度高、能量转换率高、电离度高等优点必将在传统工艺的基础上得到更广泛的应用。     

Ti-50．9at％Ni薄膜组织和相转变的研究

采用磁控溅射方法在Si片沉积了Ti-50．9at％Ni形状记忆合金薄膜,并将薄膜分别在不同温度下进行退火．利用示差扫描量热方法（DSC）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）研究了薄膜退火前后形貌、相变特征及应力随退火温度的变化．实验结果表明：溅射态薄膜为非晶态,其晶化温度范围为430℃-535℃,晶化同时伴随着Ti3Ni4相的析出;退火后的薄膜随着退火温度的升高,Rs、Af、Ms均呈上升趋势．薄膜的残余应力随着退火温度的增加而逐渐减少．     

双源超声雾化热解喷涂仪研制

单源超声雾化室实验系统在制备掺杂薄膜时,由于制备前驱源溶液与掺杂溶液混合在同一个雾化室,几种不同的溶液之间相互影响,对制备高质量的掺杂薄膜非常不利;同时单源超声雾化室的沉积速度较慢,不利于向工业化方向转化;双源超声雾化室避免了在制备掺杂薄膜时掺杂溶液和源溶液混合而互相污染的弊病,从根本上解决了单源超声雾化热喷涂法制备掺杂薄膜存在的问题;同时衬底取向朝下,采用竖直向上的供料方式沉积薄膜,利用重力直接筛选大雾滴,沉积薄膜的雾滴粒径分布更加集中。