电子束蒸发挖坑效应膜厚均匀性的计算新方法

环形锥面蒸发源模型对沉积膜厚均匀性计算有局限性。针对电子束蒸发镀膜挖坑效应设计一种新的小圆锥体蒸发模型,提出一种新的公式计算沉积膜厚均匀性。采用相同工艺条件,不同时间蒸镀二氧化硅薄膜,验证了小圆锥体模型计算电子束蒸发挖坑膜厚均匀性准确可靠,并成功解释了随着蒸发时间的延长,均匀性变差的原因。该方法可以用于实验教学,真空镀膜工艺以及真空镀膜设备生产领域。     

边界效应对等温弹流润滑的影响

在弹流润滑研究中,通常假设粘度仅受压力和温度的影响,而不受边界效应的影响.当油膜较厚时,边界效应对弹流解的影响不大,但在油膜很薄的情况下,考虑了边界效应得到的膜厚要远远大于未考虑边界效应得到的膜厚,此时边界效应不应忽略.作者用粘度修正的方法将边界效应考虑进去,并得到了考虑边界效应的等温弹流解.     

镉-铽-铕-强力霉素-曲通X-100体系增敏效应研究

研究了在表面活性剂TritonX-100存在下，Cd2+和Tb3+对Eu（Ⅲ）-强力霉素（DC）体系的协同荧光增敏效应。建立了Cd（Ⅱ）-Tb（Ⅲ）-Eu（Ⅲ）-DC-TritonX-100协同荧光增敏体系，并提出了一个高灵敏度测定稀土元素销的荧光分析法.     

国内气敏材料和器件的研究现状及趋势

从气敏材料的制备，气敏元件的性能及如何提高气敏器件的灵敏度，选择性及长期稳定性等方面，介绍了国内气敏材料和器件的研究进展，对发展的趋势作了展望。     

浅谈“新经济”

本文简要介绍了“新经济”的来历及新经济的概念,介绍了美国新经济特征及新经济的辐射效应,回浪效应,提出了面对新经济中国应对的策略.     

磁阻效应实验的设计

锑化铟既作霍尔元件测量了磁感应强度，又作磁敏电阻研究了其阻值随磁场的变化规律。不仅揭示了霍尔效应和磁阻效应在半导体内同时存在的事实，使产生2种物理现象的微观本质表现得更为突出，而且还消除了由于使用其他方法测量磁感应强度时，被测点与锑化铟所处位置不同而造成的系统误差。     

气敏半导体材料简介

简要介绍了气敏半导体材料的发展简史及气敏半导体材料的分类，总结了目前常用的四类气敏半导体材料，并简述了其性质．     

课堂教学互动效应的内涵、层次与演变

互动教学是新课程所倡导的教学理念和教学方式。在新课程的实践过程中，不少教师在努力按照这样的理念去改进自己的课堂教学。本文提出课堂教学互动效应的概念，并分析了课堂教学互动效应的内涵、层次及其演变，旨在引导教师将关注点放到课堂教学的实际效应上来，并以此为标的来运作自己的课堂教学互动过程，更好实现教育目的。     

金属的等离子体振荡量子

本文从概念和物理图象上对金属中价电子状态的等离子体集体振荡、等离激元以及电子气的屏蔽效应给予较为系统的描述。     

英语测试反拨效应和阅读的方法

本文论述了语言测试反拔效应的三个主要理论模式，将应试教学特征和有效教学特征进行比较；讨论测试反拨效应对阅读过程产生的负面影响．并提出改进方法。     

基于CFD的螺旋槽干气密封槽型参数的优化

运用fluent软件对不同气膜厚度的螺旋槽干气密封内部微间隙三维流场进行数值模拟,得到它们流场的压力分布。通过不同厚度的气膜所产生的动压来获得它们气膜推力,再利用最小二乘法则拟合得到了气膜推力关于气膜厚度的解析式,最后求得气膜刚度,以最大气膜刚度为目标,对螺旋槽的槽深和螺旋角进行了优化。结果表明:气膜刚度是关于气膜厚度的负指数函数;在本例中,当槽深为7.5μm、螺旋角为75°时气膜刚度最大,该优化程序为干气密封的优化设计提供理论基础。     

薄层液膜下CO2腐蚀测试的实验装置开发

开发了一套可在控温、控湿环境中开展不同形态薄层液膜下CO2腐蚀测试的实验装置,以适应薄层液膜下的CO2腐蚀机制及规律研究需求。实验装置主要由环境控制系统、液膜厚度测量系统和腐蚀电化学测试系统组成。环境控制系统主体为有机玻璃做成的密闭环境腔,既可以开展控温、控湿以及承压环境下的实验测试,同时又可方便地观察腔体内情况。薄层液膜形态包括不同厚度的均一液膜和存在厚度梯度的不均一液膜,由液膜厚度测量系统获得不同液膜形态下的CO2腐蚀行为。结果表明:金属CO2腐蚀速率随液膜厚度的不同而不同,液膜厚度相同但均一性不同时,CO2腐蚀行为也存在差异。     

CoSiN薄膜的制备

文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜.     

Measurement of the thermal transport properties of dielectric thin films using the micro-Raman method

The micro-Raman method is a non-contact and non-destructive method for thermal conductivity measurement. To reduce the measurement error induced by the poor fit of the basic equation of the original micro-Raman method, we developed a new basic equation for the heat source ofa Gaussian laser beam. Based on the new basic equation, an analytical heat transfer model has been built to extend the original micro-Raman method to thin films with submicrometer- or nanometer-scale thickness. Experiments were performed to measure the thermal conductivity of dielectric thin films with submicrometer- or nanometer-scale thickness. The thermal resistance of the interface between dielectric thin films and their silicon substrate was also obtained. The obtained thermal conductivity of silicon dioxide film is 1.23 W/（m.K）, and the interface thermal resistance between silicon dioxide film and substrate is 2.35×10^-8 m^2.K/W. The thermal conductivity and interface thermal resistance of silicon nitride film are 1.07 W/（m.K） and 3.69×10^-8 m^2.K/W, respectively. The experimental results are consistent with reported data.     

脉冲频率及占空比对稀土镁合金微弧氧化膜的影响

采用覆层测厚仪、SEM、电化学工作站等研究了脉冲占空比和频率对Mg-4Gd-3Y-0．5Zr微孤氧化膜的生长、表面微观形貌和耐腐蚀性能的影响．结果表明,占空比、频率对膜层厚度影响较小;随着脉冲频率的增加,氧化膜袁面微孔数量增多、孔径减小,粗糙度降低;而随着占空比的增加,变化趋势则相反;膜层耐蚀性随频率和占空比的增加均先增强后降低,最佳频率和占空比分别为600Hz、10％．     

钢-钢工况下边界效应的影响

油膜很薄的情况下，边界效应对弹流解的影响很大。论文主要研究了钢-钢工况下，边界效应对油膜压力、厚度和温度的影响。     

硅基铜膜屈服强度的实验研究

采用光学方法,测量了硅基镀铜膜的应力随厚度及温度变化关系。实验结果表明与弹性理论一致,屈服强度与膜厚的倒数近似成正比,且应力与温度相关。     

溶胶-凝胶法制备二氧化钛薄膜的表征

采用sol-gel方法，通过反复浸涂在载波片上制备出了一定厚度的二氧化钛薄膜．利用椭圆偏振测厚仪、X射线衍射仪、分光光度计、原子力显微镜等分析手段和方法，分别对二氧化钛薄膜的厚度、结构、可见紫外光透过率、表面形貌等进行了表征，并且初步分析了出现这些特征的原因。     

聚吡咯薄膜修饰电极的制备

在裸玻碳电极上用恒电位法聚合吡咯，改变聚合条件，如聚合电位，聚合时间，扫描速度，制备PPy膜电极。     

基于MEMS工艺的悬臂共面式气体传感器性能分析(英文)

为了简化制作工艺,使温度分布均匀以及降低功耗,设计了一种基于MEMS制造工艺的悬臂共面式SnO2气体传感器.使用有限元法对这种传感器及膜结构堆积于硅基底上的封闭膜式气体传感器进行了稳态热分析,结果表明悬臂共面式传感器拥有更均匀的温度分布和更低的功耗.当最高温度为383℃时功耗仅为7mW,敏感薄膜上的温差低于14℃.为解决悬臂易碎的问题,提出了一种新的制造工艺,该过程在正面刻蚀SiO2层形成悬臂结构前沉积SnO2敏感薄膜,并采用深反应离子刻蚀的方法对硅基底进行体刻以避免湿法刻蚀对传感器表面的化学污染.整个过程总共需要4块掩模板.采用旋涂法溶胶凝胶法将掺有Fe离子的SnO2薄膜沉积于基底上作为敏感元件.该器件对氢气表现出了良好的气敏性能,随着氢气浓度从50×10-6上升到2000×10-6,灵敏度逐渐提高,在2000×10-6时的灵敏度为30.