薄膜生长的计算机模拟

沉积在液体基底表面的金属原子会凝聚形成具有特殊结构的分形凝聚体．针对这一实验结果，建立了薄膜生长的计算机模拟模型，模拟了此类凝聚体的生长机理．     

退火温度对反应共溅法制备CoTiO_2薄膜的影响

通过超高真空反应磁控共溅射方法制备了CoTiO_2薄膜样品,在退火过程中加入了紫外光照射,研究了退火温度在反应共溅法中对薄膜微结构和磁性能的影响。形貌和结构研究表明,随着退火温度的升高样品的表面颗粒尺度逐渐减小,温度越高越有利于磁性相的形成,且500℃退火温度下锐钛矿结构的衍射峰较明显,晶胞变大;磁滞回线显示出样品呈现铁磁性特征,并且随着退火温度的升高样品的磁化强度逐渐降低;热磁曲线测量显示有序温度高于120℃。退火过程中进行辐照干预的处理,发现在薄膜制备过程中对薄膜的结构及磁性有重要影响。铁磁性有可能是起源于在热处理过程中引起的磁性离子和氧空位导致的晶格缺陷。     

磁性薄膜材料的结构和物性表征方法

研究了磁性薄膜材料的微观结构以及宏观特性的表征方法和原理。     

TbCo磁化膜制备工艺对其垂直磁各向异性的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片制备TbCo非晶垂直磁化膜,采用样品振动磁强计和磁转矩测量仪测量薄膜的磁性能和磁转矩曲线．结果表明：Cr底层、TbCo磁性层组分、溅射气压、基片偏压、退火温度和TbCo磁性层厚度对薄膜的磁各向异性能都有很大影响．．     

利用阻抗/材料分析仪测量磁性薄膜的复磁导率

该文提出了一种新的高频复磁导率的测试方法.首先确定E4991A射频阻抗/材料分析仪的测量原理为单线圈法,在此基础上推导出了测量有衬底磁性薄膜复磁导率所适用的公式.在实际测试过程中,将衬底放入夹具中作夹具短路补偿,减小了由衬底带来的误差;通过反复验证,弄清了系统提供的阻抗值表示的意义,并据此对磁导率的计算公式进行了修正,最后给出了磁性薄膜复磁导率的测量结果.实验表明,该方法简便易行,所得数据与文献中同类薄膜的测量数据基本符合.     

磁控溅射法制备氧化镓薄膜

随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一。氧化镓薄膜具有结构简单、成本低廉、响应快、便于制造的优点,而且还有很高的化学稳定性。它作为一种新型的气体传感器材料近年来日益受到重视。本文研究了通过磁控溅射法制备氧化镓薄膜时,不同的热处理温度对氧化镓薄膜结晶质量的影响。并利用X射线衍射仪,紫外可见透射光谱,对氧化镓薄膜的结构性能及表面形貌进行了测试和分析。     

椰壳磁性活性炭合成研究

根据表面活性剂特殊分子结构,以顺磁性材料为磁核,在其表面先后覆盖内层、外层两层表面活性剂的单分子膜。由于外层表面活性剂亲水基因的吸附而使磁化剂与椰壳活性炭键合在一起,因此活性炭被赋予磁性。对磁化剂用量、pH、活化剂等因素对椰壳磁性活性炭磁化率影响也进行了研究。最后确定椰壳磁性活性炭的最佳合成条件为 MR-20为最佳磁化剂、活化剂浓度为0．02M,pH为2～3,椰壳磁性活性炭的物理性质随磁化剂的用量以及具体的磁化条件不同而不同。     

’96中科院海内外中国青年学者学术讨论会预告

物理讨论会主题:薄膜材料与物理地点:中国合肥时间:1996.6.24～6.28承办:中国科学技术大学内容:半导体薄膜磁性薄膜介质薄膜超导薄膜薄膜表面与界面薄膜生长及沉积技术薄膜的结构性能及其他     

准自由支撑铝薄膜系统的制备及其特征表面形貌

采用真空蒸发的方法在液体基底表面成功制备了具有自由支撑边界条件的金属铝薄膜系统，观察并研究了薄膜中的特征表面形貌。实验发现：铝薄膜中存在着由一块块近似为长方形的畴块连接而成的自薄膜边缘向薄膜内部区域生长的特征带状结构形貌；带状结构中畴块的最大长度和最大宽度均先随薄膜厚度的增加而增大，随后稳定变小。分析认为：这些现象是由于液体基底与固体薄膜之间的特征相互作用所致。     

复杂型腔工模具表面硬质薄膜材料制备成套设备及关键工艺技术

该技术围绕脉冲直流等离子体化学气相沉积(PCVD)成套工业设备研制、PCVD制备硬质薄膜材料以及在工模具表面薄膜材料强化领域的关键应用等进行了系统研究,主要内容及特点如下：     

近十年来国内多层膜巨磁电阻效应研究

近十年来国内对多层膜巨磁电阻效应的研究主要从金属多层膜、纳米颗粒膜、磁隧道结、氧化物薄膜四个方面展开，侧重研究了多层膜巨磁电阻效应产生的机理、各种膜的结构、影响巨磁电阻大小的因素，同时还引发了多层膜材料在温度大小、磁性(或合金)成份多少和种类、颗粒膜尺寸大小何种情况为最佳的思考。     

生长温度对Si衬底ZnO薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3Pa氧氛围,100-500℃衬底温度,Si(111)衬底上成功地制备了ZnO薄膜,我们用X射线衍射(XRD)谱,原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些ZnO薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均匀。     

退火温度对ZnO：Tb复合薄膜的结构和形貌的影响

采用的两步法——先溅射成膜，后退火处理的工艺成功制备了ZnO：Tb复合薄膜，结合XRD、XPS、SEM等手段研究退火温度对薄膜结构和形貌的影响．发现退火温度950％，退火时间10小时为ZnO：Tb薄膜的最佳工艺参数——薄膜表面形成新奇T—A—ZnO结构以及不同直径和长度的螺纹状纳米棒．     

我院副院长张德新教授的一篇论文在《PhysicaB》上发表

近日张德新教授所撰《纳米CeO2 基电解质薄膜的阻抗谱研究》一文,在《PhysicaB ,physicsofcondensedmatter》(《物理B ,凝聚态物理》) 2 0 0 4年第344卷上发表。该杂志为国际SCI检索系统选用的科技源期刊。该论文测量了采用凝胶浸渍提拉法制备的纳米CeO2 基电解质薄膜在不同条件的阻抗谱,并根据纳米CeO2 基电解质薄膜的内部模拟等效电路研究了不同掺杂浓度及不同测试温度对阻抗谱的影响。发现在忽略晶粒表面电容Cg 时,纳米CeO2 基电解质薄膜在70 0℃热处理温度下,不同掺杂浓度对纳米CeO2 基电解质薄膜的阻抗谱的形状影响较小,对阻抗…     

高介电HfOxNy薄膜的表面形貌及光学特性研究

采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法,在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜．利用原子力显微镜,研究氮的掺入对薄膜表面形貌的影响,结果表明,N的掺杂改善了HfO2薄膜的表面形貌,同时抑制了高温退火过程中表面粗糙度的增加;通过椭圆偏振仪对薄膜的光学特性的研究表明,随退火温度的升高,薄膜的折射率和消光系数都呈上升趋势．     

退火温度对NZFO铁氧体薄膜磁性能的影响(英文)

采用化学溶液沉积法在Si(001)衬底上制备Ni0.7Zn0.3Fe2O4铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有单相的尖晶石结构;扫描电子显微镜结果表明样品平均颗粒尺寸随着退火温度的上升从10 nm增加到32 nm。NZFO铁氧体薄膜磁性能与退火温度有强烈的依赖关系,薄膜的矫顽力从退火温度为500℃时的25 Oe增加到900℃时的80 Oe,饱和磁化强度也由146emu/cm3增加到283 emu/cm3,这对于现代电子器件微型化有着非常重要的意义。     

MnBiRE—SiO光学系统中的极向Kerr角及其增强因子

从Ｍａｘｗｅｌｌ方程出发，利用相干光迭加原理，导出入射光在从透明衬底面入射时，磁性薄膜ＭｎＢｉＲＥ－ＳｉＯ光学系统极向Ｋｅｒｒ角及其增强因子的解析表达式，讨论了透明介质层对ＭｎＢｉＲＥ薄膜光学系统θｋ的增强作用。     

ZnO薄膜的电化学沉积及其性能研究

以透明导电玻璃(TCO)为衬底,用硝酸锌水溶液作为电解液,采用阴极电沉积法合成了ZnO薄膜.通过改变电解液浓度、温度和沉积电压等实验条件,系统研究了锌氧化物薄膜材料的电化学沉积过程.用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见光谱法等技术对沉积物的形貌、结构及光学性质进行了表征.结果表明,通过控制电解液的浓度和温度及沉积电压等反应条件可以制备出不同形貌的ZnO薄膜.XRD结果表明,所得的ZnO纯度高且呈六方纤锌矿结构;光谱法研究表明,该薄膜在344 nm和552 nm处有两个吸收峰,禁带宽度为3.25 eV.     

纳米二氧化锡薄膜的AFM研究

以SnCl4.5H2O作为反应前驱物,采用溶胶-凝胶法制备了纳米SnO2薄膜,对薄膜烧结的温度及时间等工艺进行了研究,得到了最佳的烧结条件,采用X射线衍射仪（XRD）及原子力显微镜（AFM）对薄膜进行了结构形貌表征。结果表明,当烧结温度为450℃时,纳米SnO2薄膜为金红石型结构,表面形貌最佳,平均颗粒约为39-45nm。     

液相沉积法制备光催化TiO2/SiO2复合薄膜及其表征

通过液相沉积法在较低的温度下制备了TiO2/SiO2复合薄膜,利用UV-Vis、XRD和SEM等表征手段对薄膜的透明性、物相和表面形貌进行了表征;并在紫外光照下,通过薄膜对罗丹明B水溶液的光催化降解实验,评价了沉积薄膜的光催化活性.实验结果表明,在室温下制备的液相沉积膜具有较好的光催化活性.