类氢杂质InAs量子环的基态和激发态能级

利用B样条技术计算类氢InAs类氢杂质量子环基态和激发态能级的量子尺寸效应.当抛物势ω=0和ω=50meV时,基态能量的计算结果为常数E0,0=-4.98meV;当r0=0时,且无类氢杂质时,计算结果和精确的理论计算结果完全一致;当量子环较小时,杂质的库仑势对量子环的能量曲线Enr,m——r0影响较大;当量子环较大时,杂质的库仑势对量子环的能量的影响越来越小,库仑项可以近似地作为微扰项来处理.抛物禁闭关联势-μω02rr0对量子环的能量起关键作用,绝对不可能作为微扰项处理.量子环的基态和激发态随着抛物势ω的增加而增大.保持径向量子数nr不变,小量子环的能级随着角量子数｜m｜不同而明显分开,简并被破坏;当量子环变大时,基态和激发态的能级都趋于简并.     

H2+杂质半导体量子点激发态能级的计算

用B样条技术计算H2+杂质半导体量子点激发态能级.计算结果显示:当两核距离D较小时,激发态能级E对两核距离D的变化很敏感;当两核距离D较大时,E——D曲线上升变缓,激发态能级对D的变化敏感度下降.基态1sσg和激发态2pσu2pπu3dσg3dπg所有E——R曲线随R的增大快速下降,量子尺寸效应显著.通常情况下,D越大,E——R曲线越高.但2pσu的E——R曲线很奇怪,曲线之间出现交叉现象.     

类氢施主杂质量子环能级和束缚能的B样条计算

利用B样条技术计算类氢施主杂质量子环能级和束缚能的量子尺寸效应．计算结果表明：量子环的能级E1随着抛物势ωh的增加而增大．E1-R0曲线存在极小值,极小值的位置r00随着ωh的增加而减小．束缚能Eb随着量子环半径r0的增加而单调快速地下降．在r0〈60nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应很明显．在r0〉60nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应不明显;在r0〈70nm区域,随着角动量m。从0增加到3,E1-r0和Eb—r0曲线的斜率发生剧烈的变化,E1的极小值的位置r00随着mc的增加而快速增大．在r0〉80nm区域,E1-r0和Eb-r0曲线分别会聚成一条线,E1和Eb不依赖于mc值的变化而变化;随着施主杂质的电荷增大,能级E1快速下降,E1-r0曲线的极小值的位置r00明显减小．库仑能不可以作为微扰项来处理．     

磁场对单电子量子双环基态能量E_((0,0))的影响

给出了单电子量子同心环基态能量E(0,0)随磁场和势垒的变化规律,并对变化规律进行分析.结果表明,单电子量子同心环基态能量随磁场增大而增大,由于磁场的存在,原来的基态能级分裂成三个能级.由于量子同心环中势垒的存在,使得单电子量子同心环基态能量增大,基态能量随势垒的增大而增大.     

半导体量子环的基态和激发态的能量的计算

利用B样条技术计算强磁场下二维量子环在不同角动量下的能谱及其量子尺寸效应.计算发现:量子环的能量在环半径r0=r00时出现一个极小值,当r0相似文献   

氢分子离子的平衡距离随外磁场强度的变化

考虑两核之间的相互作用,采用单中心展开方法,用B-splines基函数将氢分子离子的波函数在径向和角向同时展开,计算超强平行外磁场中氢分子离子的能级与磁场强度的关系,两核间的平衡距离随磁场变化规律.计算结果表明:磁量子数-m越大,R——γ曲线下降越快,氢分子离子越容易被压缩;磁场越强,塞曼能级也就越低,当磁场γ大于500时,R——γ曲线近似为直线。     

GaAs量子环中类氢杂质能量的研究

利用B样条技术研究GaAs量子环中类氢杂质能量的量子尺寸效应.对计算结果比较看到：无磁场情况,对于｜m｜=0,r0〈75 nm,抛物禁闭关联势可以近似作为微扰项来处理;对于｜m｜≥0,r0〈60 nm,不可以采用微扰法.当r0〉90 nm时,库仑势可以近似作为微扰项来处理,但误差很大.当磁场B增加时,类氢杂质能量的量子尺寸效应出现明显变化,当r0〉90 nm时,量子环中类氢杂质能量快速上升.     

用量子理论分析均匀磁场中带电粒子的运动

该文采用量子理论分析均匀的外磁场中带电粒子的运动情况,及相应概率流密度的计算.对于存在于原子系统的电子,由于磁矩的存在与磁场相互作用,能级发生分裂.自由运动的带电粒子,当处于均匀磁场中时,通过多种情况分析发现在垂直磁场矢势的平面内粒子做自由运动,在一固定点出现了粒子流恒定的现象,而平行矢势方向做简谐振动,粒子流恒为零.     

海森伯格XY模型的负值度

利用一种通用量子纠缠度——负值度（Negativity）,研究热平衡时在外加磁场（沿z轴）下两量子比特海森伯格XY模型的热纠缠．当各向异性系数γ足够大时,出现纠缠复苏现象,而且对于一有限温度,可以调节外加磁场来产生纠缠．而对各向同性,当温度比临界温度高时,负值度为零,与外加磁场无关．     

二维量子阱中单电子量子比特的性质

通过求解能量本征方程,得到弱磁场作用下的二维势阱中电子的本征能量及其波函数,进而以基态和第一激发态波函数构造了一个量子比特.数值计算结果表明,量子比特内电子的空间概率密度随空间坐标和时间的变化而变化,在阱的边缘处出现的概率值为零,在其他位置相对较大;各个空间点的概率密度均随时间做周期振荡,振荡周期与阱宽有关,与外磁场无关,它随阱宽的增加而增大.     

矢势（A）在经典物理与量子物理中的作用

矢势（A）在量子物理中具有磁场（B）所不能替代的重要作用,然而在经典物理的电磁理论中矢势（A）却只是磁场（B）的辅助矢量,且无直接观测的物理意义.从经典物理与量子物理的不同视角全面认识矢势（A）具有的作用,对于正确理解矢势（A）的意义、更好地掌握电磁场理论以及对于分析和解决实际的电磁场问题都具有重要的指导意义.     

双层垂直耦合量子点研究

用精确对角化的方法研究了处于外磁场中两层单电子垂直耦合量子点系统.发现在强耦合情况下,随着外磁场的增加,系统基态的角动量会发生跃迁;而在弱耦合的情况下,基态角动量L和自旋都不会随着外磁场的变化而改变,L=O的自旋单态始终为基态.     

通过带有量子门的Aharonov-Casher环的自旋极化电导振荡

1 Introduction Since some experi ments made by Yacoby,et al.[1],and Schuster ,et al.[2],that first measured electrontransmission phase through a quantum dot ( QD) ,phase sensitive transports in open mesoscopic ringwith a QD have been extensively investiga…     

磁场作用下超晶格单量子阱中束缚态的能级

超晶格由两种不同晶体材料交替生长的具有周期性结构的多层薄膜构成,两种材料的"势垒—势阱"结构就是量子阱.通过理想的无限深势阱模型,讨论了施加磁场作用的超晶格中单量子阱束缚态的能级结构和态密度,得到了体系的本征能量与本征函数.分析表明,沿超晶格生长方向能级不受外加磁场影响,垂直于超晶格生长方向以ωc为回旋频率的谐振运动,超晶格量子阱量子化能级高度简并,简并度和外加磁场成正比.     

Energy Levels of Strong Coupling Magnetopolaron in Quantum Dot

By using variational method of Pekar type,we have studied the energy levels of strong coupling magnetopolaron in diskshape quantum dot(QD) and quantum well(QW),our esults show that ,with the increasing magnetic field and confinement strength,the magnetopolaron binding energy of QD and QW in the ground state and in the excited state is enhanced.The limiting results of bulk type and strict two-dimensional type are obtained.