物理进展

表面刻蚀新技术四川大学化学学院王玉忠院士团队提出无掩模限域刻蚀的表面润湿性差异图案化新策略。相关成果发表于《自然·通讯》（Nature Communications）。精确、复杂图案的制备往往需依赖光刻、等离子体刻蚀、飞秒激光等手段,涉及光刻胶、光掩模等昂贵耗材,限制了此类表面的发展与应用。新技术通过三醋酸纤维素在氢氧化钠水溶液中的脱乙酰降解反应,     

科聚焦学高科防技疫——国产人光刻人胶的有突破责

中国半导体光刻胶市场规模增速超过全球,但光刻胶的国产率却十分令人担忧,依赖进口,成为光刻胶发展的痛点.为了实现高科技的关键核心技术国产化,中国的光刻胶企业一直坚持创新,北京科华微电子材料有限公司(简称"北京科华")就是其中具有代表性的一员.北京科华成立于2004年8月,建有中高档光刻胶生产基地,在业界具有较强的竞争力、创新力与生命力,其研发的适用于集成电路的光刻胶产品备受关注.     

离子束溅射沉积—刻蚀作用下KDP晶体表面粗糙度研究

为了消除单点金刚石车削(SPDT)后KDP晶体表面留下的周期性小尺度波纹,文章探索采用离子束溅射沉积-刻蚀的方法对车削后KDP晶体进行抛光加工。本文主要分析了平坦化层材料的选择,溅射沉积工艺参数对KDP晶体平坦化层粗糙度的影响,并计算了平坦化层刻蚀速率从而完成了刻蚀转移。利用刻蚀转移成功地将单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nmRMS,经过1.76nmRMS的平坦化层,最终刻蚀转移到KDP晶体表面得到1.84nmRMS的光滑表面,实验结果验证了离子束溅射沉积—刻蚀抛光方法的可行性。     

表面轮廓仪在光纤端面观测中的应用

采用表面轮廓仪测定了光纤和湿法刻蚀加工的多模单模与多模光纤粗糙度数据。结果表明：表面轮廓仪表适合检测光纤及刻蚀加工后的2D与3D特征,反映刻蚀深度和微腔形貌。     

光刻胶材料中国区域专利现状分析

近年来,我国光刻胶材料的市场规模大幅增长。本文对光刻胶材料中国区域的专利申请的现状进行了分析,梳理了专利申请总体趋势、地域分布、申请人构成、主要申请人、专利申请的法律状态等情况,以期为我国光刻胶材料企业的发展提供一定的参考。     

双色滤光片光刻剥离技术研究

文中利用聚酰亚胺高聚物的耐温性和高粘度性,巧妙地和光刻胶结合,解决了厚膜镀制中光刻胶炭化难以剥离的问题;利用聚酰亚胺在碱性显影液中有很好的可溶性,优化了光刻胶和聚酰亚胺的厚度比,得到了好的工艺参数和易于剥离的面形,解决了小图形光刻剥离的难题。     

钨刻蚀残留的改善

钨CVD在现代先进集成电路制造中有着不可或缺的应用,利用氟化学药品产生等离子体刻蚀钨的钨回刻工艺在业界中被广泛地使用。在集成电路制造过程中会发生钨被刻蚀以后硅片表面仍有大面积的宏观钨残留的现象,这样会造成电路失效,导致废弃硅片。钨薄膜淀积的均匀性是造成钨刻蚀残留的主要原因,通过改善钨薄膜淀积设备的一些设置,作业方法和作业条件的合理分配,以及钨刻蚀的条件,有效地改善了钨刻蚀残留现象,减少了硅片的废弃．     

AZ5214反转胶在电镀工艺中的应用

介绍了一种基于反转光刻胶的电镀工艺,改善了电镀后器件剖面的形貌,有效的减小了后续淀积隔离介质产生的空洞。通过实验,优化了光刻显影工艺参数,并成功应用与批量生产中,提高了器件的可靠性与生产的成品率。     

氢氧化钾标准溶液标定的不确定度评定

参照《GB/T601-2002化学试剂标准溶液的制备》对0.5mol/L氢氧化钾标准溶液进行标定过程的分析了该标定过程的不确定度来源,确定了影响标定结果的各个分量,介绍了标定氢氧化钾溶液的不确定度评定方法,通过数据模型对各不确定分量进行了评定。     

水对乙醇溶液荧光光谱和拉曼光谱的影响研究

液相荧光光谱和拉曼光谱的检测是常用而灵敏的检测技术,水作为常用溶剂对荧光光谱和拉曼光谱的影响直接影响检测的灵敏度.本文通过对纯水,无水乙醇及不同浓度乙醇溶液的荧光光谱和拉曼光谱进行理论和实验分析,研究水时乙醇溶液光谱的影响.结果表明,纯水在可见激发光激发下不产生荧光,对乙醇溶液的荧光光谱和拉曼光谱不产生影响;纯水产生拉曼光谱,对用拉曼光谱法检测乙醇浓度有影响.     

知识产权投入是—种战略投资——访中微半导体设备（上海）有限公司资深知识产权总监姜银鑫

中微半导体设备（上海）有限公司（以下简称中微公司）创立于2004年,是由上海市国资创投集合国际半导体界海归人员共同组成的,主要研制集成电路芯片制造用高端关键装备。中微公司的产品之一——半导体芯片刻蚀设备是一种半导体芯片生产设备,是芯片前段生产设备中的三大核心设备之一,由该公司开发的刻蚀设备属于绝缘体刻蚀设备,每年市场份额约为20亿至30亿美元。     

西藏青冈活性炭的制备、表征及吸附研究

文章以青冈为原料,在管式炉氮气氛围下将化学活化好的原料制备成活性炭,对比研究了四种不同的化学活方法,即二氧化碳活化法、磷酸(H_3PO_4)浸渍活化法、氢氧化钾(KOH)浸渍活化法和磷酸钾(K_3PO_4)浸渍活化法,并对制备的活性炭进行元素表征、物理吸附性及表面官能团的表征。结果表明,青冈是制备活性炭的优质原料,四种活化制备方法中,氢氧化钾(KOH)浸渍制备得到的活性炭比表面积最大,四种活性炭均在活化后表面附着基团,有良好的吸附性能。     

反应离子刻蚀TaSi_2/Polysi/SiO_2/Si多层结构的工艺实验

使用 CF_4+5%O_2和 Cl_2+CHF_3两种混合气体分别对 TaSi_2、Polysi、SiO_2和AZ 1350胶材料进行了反应离子刻蚀实验,得到刻蚀速率随气流量、电源功率、流量比及真空度的变化关系曲线。通过 SEM 观察了 TaSi_2/Polysi/SiO_2/Si 的刻蚀线条图形。由测量 TaSi_2线条的电阻值计算出其电阻率为70μΩ·cm。     

二元光学器件表面表征方法研究

二元光学器件是一种表面微细结构组成的衍射光学元件,其制作工程中存在的加工误差主要有系统刻蚀误差、对准误差、随机台阶刻蚀深度误差、随机台阶刻蚀宽度误差等.其表面结构的形态及其偏差对其使用性能将产生严重的影响.探索出有效的二元光学器件表面表征方法是保证其制作工艺及系统有良好性能的前提和主要手段.本文介绍了一种幅度参数表征法,并给出了参数表征法中各参数的数学模型.     

肖特基势垒金属化研究分析

为了制造可靠性高的二极管,对肖特基势垒金属制造尤为关键。本文主要分析了肖特基表面不同金属和金属硅化物的肖特基势垒。通过多次试验得出金属层的淀积技术方法及对刻蚀金属方法,对此进行了各种不同比例的金属淀积工艺试验及对不同比例的刻蚀液体进行了验证。     

深亚微米刻蚀与等离子体源

讨论等离子体刻蚀及其等离子体源在微电子工业中的作用,介绍四种高效等离子体源,并讨论这一领域亟待解决的问题。     

基于反应过程碱液电导率变化的食用油酸值检测

本文将电导率仪作为直接检验方法,针对检验方法展开分析。经过氢氧化钾溶液和食用油的游离脂肪酸反应前后碱液层电导率的变化设置模型。同时,借助模型进行食用油PH参数检验,提出电导率的食用油酸碱检测可行性途径。     

氧化硅干法各向异性刻蚀研究

氧化硅的干法各向异性刻蚀是芯片制造中的一项关键工艺技术,集成电路的制造发展到ULSI（甚大规模集成电路）阶段,图形密度越来越高,加工线条越来越细,加工精度的要求也越来越严格。     

光声之间——记清华大学电子工程系副教授崔开宇

<正>专家简介:崔开宇,清华大学电子工程系副教授。2005年本科毕业于吉林大学电子工程系;2010年获清华大学电子工程系博士学位;留校工作后,在国内率先开展光声晶体前沿研究,在国内首次研制出大于5GHz声子频率的纳米臂微腔。曾实现了尺寸最小的宽带光开关,同时是In P基有源光子晶体刻蚀深宽比纪录保持者。作为项     

超纯水处理

1超纯水在电子及半导体工业的运用 超纯水在半导体集成电路的生产中,用来冲洗经过多次化学清洗和刻蚀工序的晶片圆盘,同时也用作这些步骤中所使用的调配溶剂.