ToPSwitch组成的单端反激式开关电源

一、ToPswitch简介随着现代科技的高速发展,功率器件的不断完善、更新、PWM技术的发展日趋完善,开关电源以其极高的笥价双获得了广泛的应用,开关电尖折设计通常使用控制电路与功率MOSFET相分立的拓扑电路结构,但这种方案开发周期长,成本高、系统可靠性低。 ToPswitch系列知能开关电源集成芯片解决了上述问题,该芯片AC/DC度接效率提高到90％,在只有三个引脚的单片IC中综合于控制系统驱动电路,功率MOSFET、脉宽调     

基于单片机高性能可调直流稳压电源的设计

本文介绍一种基于单片机高性能可调直流稳压电源的设计,该设计主要分为主电路与控制电路。其中主电路包括:采用二极管组成的三相桥式不可控整流电路,采用绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关功率管的降压斩波电路即稳压电路,以及电容滤波电路。控制电路采用AT89C51单片机经过软件编程生成PWM波,它作为IGBT驱动电路EXB841的输入信号,实现对IGBT器件的导通关断控制。AT89C51通过反馈电压与所需基准电压比较,调制PWM波,即改变占空比,从而实现高性能可调直流稳压。     

柔性直流输电装备压接型定制化超大功率IGBT关键技术及应用

绝缘栅双极晶体管(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor,?IGBT)作为新一代功率半导体器件的典型代表,具有开关可控、驱动功率小、能够自限流等特点,是柔性直流输电装备的核心元器件,在"双高"电力系统建设和我国能源战略转型中扮演重要角色.与焊接型IGBT器件相比,压接型IGBT器件具有低热阻...     

开国内行业先河 树民族品牌形象——北京落木源公司高科技电力电子产品研发纪实

<正>绝缘栅器件(IGBT/MOSFET)是现代开关电源为提高效率、减小体积广泛采用的电力电子器件,而其隔离驱动模块是其应用中的关键技术,完善的驱动电路能够高效地驱动IGBT并提供可靠的保护,开关电源的工作     

浅谈我国中小功率电力电子开关技术的发展

本文中所指的中小功率(10W--10kW)电力电子技术是指以中小功率半导体器件，如MOSFET，IGBT等为主要开关元件构成的高频(50--1000kHz)开关变换器电路及其控制为主要研究对象。已有30多年工业应用的发展历史，多年来引起广大科技工作者的广泛兴趣。     

功率MOSFET关键参数的分析研究

功率MOSFET因其输入阻抗大、开关速率快、工作频率高以及丰富的封装形式、较大的电压及导通电阻选择范围等优势,广泛应用于电源、通信等不同类型的电力电子变换电路。但功率MOSFET并非完美的开关器件,温度敏感的特征决定使用者必须考虑其热效应对器件性能的影响。本文基于功率MOSFET安全工作区分析了关键参数的特点,阐述了寄生电容及热阻特性,研究了温度对相关参数的影响。     

基于软开关和并联均流技术的直流电源模块方案设计

本文基于软开关PWM技术和并联均流技术，研究并设计了变电站电气二次系统中直流电源模块单元，提出了电源模块总体设计方案，采用移相控制器UC3875设计了移相控制电路，实现了变换器主功率管的软开关工作状态;研究设计了大功率MOSFET的驱动电路，能够满足100kHz开关频率的要求;运用均流控制芯片UC3907设计了电源模块的均流控制电路，使模块单元具有可并联功能，可以实现多模块并联组成更大功率的电源系统。     

基于升频升压五相混合式步进电机驱动器的研究

升频升压驱动方式已广泛应用在混合式步进电机驱动器中,文章介绍了以频压转换芯片LM2097、脉宽控制芯片TL494、调压电路组成的升频升压控制方式,其输出的直流母线电压接步进电机各相的MOSFET功率驱动电路。在驱动器中过压过流保护电路也是必须设计的。     

数控机床控制系统故障诊断研究

文章介绍了数控机床控制系统的故障诊断技术,分析了数控机床的直流伺服系统的PWM电路的工作原理,并阐述PWM电路的故障诊断及检修技术.     

VSC_HVDC的数学模型及控制方式的综述

随着丈功率电力电子技术的发展和可工作在高频率开关状态的完全可控器件（如丈功率IGBT,IGCT等）的出现,使得电压源型高压直流输电（VSC_HVDC）成为现实,这种新型的高压直流输电技术能弥补传统直流输电的部分缺陷,体现了诸多优点,其发展十分迅速。该文从数学模型和控制方式方面综述了新型直流输电研究的主要成果。     

零电压开关在电磁炉硬件设计上的实现方法

电磁炉可靠性的好坏直接影响到使用者的人身安危。文章从电磁炉硬件电路设计原理出发,分析了主单元电路功率调节对功率开关器件（IGBT）的影响,对比传统的单端准谐振变换电路设计出一种零电压开关高频变换器,并详细论述了该变换器的整个工作过程,实现了电磁炉低功耗,高效率,可靠性强等优点。     

一种SiC MOSFET驱动保护电路的设计

相比于同等级的Si MOSFET,SiC MOSFET因具有更高速的开关特性和更小的导通损耗而具有极大地应用优势。但是,SiC MOSFET更小的门极电容和更小的门极耐压范也使得其在应用时提出了更大的挑战。本文在分别对SiC MOSFET的开通关断过程进行分析之后得出其安全可靠驱动的要求,研究适用于SiC MOSFET的驱动保护电路,进行LTspice仿真验证,分析了施加不同外部电容和不同驱动电阻对SiC MOSFET开关特性的影响,同时对保护电路的功能进行了PSpice仿真验证。     

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在PSM广播发射机调制器中的应用

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种大电流密度、高电压激励的控制器件,是高压高速新型大功率器件,它的耐压能力为600V～1800V、电流容量为100A～400A、关断时间低至0.02μs。所以在PSM广播发射机调制器的功率模块中大量应用了(IGBT)作为电子开关的重要组件。     

基于555定时器的半桥逆变电路设计

逆变电路是将直流电转换为交流电的电路,本设计介绍一种单相半桥逆变电路,在稳态条件下,该电路能够将输入的直流电压,转化为交流电压[1]。电路以555定时器产生的方波控制输出频率可调的PWM波形,通过推挽电路将驱动电流放大,从而控制IGBT的开通关断,并将电容并联在主电路两端作为保护电路。该电路设计简单,使用器件少,我们通过仿真和硬件调试得到了实验结果,验证了该方法的有效性。     

功率MOSFET开关参数对器件功耗的影响

功率半导体器件做为开关使用时,其动态参数对器件的功耗起着决定性的影响。本文通过实验,分析了场效应晶体管MOSFET的Qg参数对器件工作过程中功耗的影响。     

电动汽车电机驱动系统传导性电磁干扰的抑制

近年来我国交通运输行业得到了高速的发展,但环境污染的程度却与日俱增,这促进了我国电动汽车行业的发展。对电动汽车的研究发现,其电机驱动系统在使用的过程中,由于电动机以及电机控制器内部IGBT等功率器件的高频开关会干扰其内部低压电路,甚至会导致整个电机驱动系统无法正常工作。在电动汽车电磁兼容的研究中,传导性电磁干扰是不可忽略的主要因素,随着诸如GB/T18387等针对电动汽车相关电磁兼容国家标准的出台,且电磁干扰幅值的标准越加严苛,因此本文主要针对电动汽车电机驱动系统传导性电磁干扰的抑制进行相关阐述。     

开关电源中软开关技术应用探析

软开关技术是今后技术发展的方向,软开关的应用是个重要课题.本文着重介绍谐振开关电路、ZCS/ZVS/ZCT/ZVT-PWM 电路、移相全桥电路、有源钳位电路、移相全桥 ZVS-PWM电路、不对称半桥型电路和 PWM三电平直流开关电路等软开关技术的核心电路的概念、结构和分类,并对软开关技术的电路、工作特性和应用等的分析     

正弦波输出的自适应中频镀膜电源设计

中频镀膜电源已广泛应用于镀膜领域。文中设计了一种以IGBT为功率器件的中频镀膜电源,主电路采用BuckDC-DC变换电路进行电压调整,中频输出电路采用全控型器件构成串联谐振式逆变电路,详细的分析设计了主电路以及控制电路。实验结果证明,中频正弦波电流输出工作在(30±5)kHz,具有功率调节范围宽、自动适应负载变化、高效率的特点。     

基于单片机的车载DC-DC智能变换器的设计

本文主要介绍以51单片机为主控制的DC-DC智能变换器的设计方法及实现。220V市网交流电经工频变压器、经整流桥(单相桥式整流电路)、经电解电容滤波后变成18V直流电。采用脉冲宽带调制(PWM)软件法,利用AT89C51单片机的定时功能输出PWM信号,产生输出的PWM信号通过控制DC-DC直流变换器中开关的开、关来控制DC-DC模块的输出电压,使电压的转换从18V变为36V,此类开关主器件在开通瞬间器件上存在较高电压,关断瞬间器件中流过的电流非零,工作在这种状态下的开关我们称为"硬开关"。并且要利用模/数转换芯片ADC0808采集输出端电压和电流信号:电压信号通过电阻分压后送入ADC0808,电流信号经电流互感器后再经电阻分压成电压信号后送入ADC0808,两者都转换成数字信号后再送入单片机,再用LDC液晶显示,以达到实时显示输出电压和电流的目的。液晶显示的分类方法很多,按显示方式可分为段式、字符式、点阵式等。除了黑白显示外,液晶显示器还有多灰度、彩色显示等,这里采用芯片LM016L。在设计中还设置了过流保护装置,以保护整个电路中的元器件,避免因电流过大而损坏。     

基于模拟电路的步进电机驱动系统

文章采用模拟电子技术,设计了一种步进电机驱动系统。系统电路主要采用运算放大器、MOSFET、电阻电容等器件,搭建了脉冲循环电路和电流放大驱动电路,可驱动步进电机顺时针方向和逆时针方向旋转。通过理论计算和电路仿真,验证了该系统方案的可行性。