一种基于T型匹配网络的分布式功率放大器设计（英文）

基于T型匹配网络对分布式放大器的阻抗特性进行了分析,并设计了一个三级分布式功率放大器.设计中采用非均匀的T型匹配网络结构使得与栅极和漏极相连的人工传输线阻抗逐级渐变,实现阻抗匹配的同时提升了放大器的输出功率及效率.测试结果表明:该放大器在频带3~16.5 GHz带宽内平均增益为6d B,输入回波损耗小于-9.5 dB,输出回波损耗小于-8.5 dB;2~16 GHz频带内的1 dB增益压缩点处输出功率达到3.6~10.6 dBm,功率附加效率为2%~12.5%.电源电压为1.8 V时放大器功耗为81 mW,芯片面积为0.91 mm×0.45 mm.     

非对称高回退宽带Doherty功率放大器实验研究

在传统Doherty功率放大器基础上,提出了一种新的非对称式结构,通过在Doherty功放负载调制网络中减小λ/4传输线的阻抗变换比和增加两段短路微带线抑制阻抗漂移来扩展带宽。使用GaN HEMT器件设计并制作了一款工作于1.6~2.2GHz的Doherty功放。仿真与实验结果表明,该功率放大器饱和输出功率大于43.5dBm,饱和漏极效率保持在56%以上,且饱和输出功率回退6dB后漏极效率大于42%,回退9dB时漏极效率在36.5%~46.5%之间,未使用线性化技术的ACPR优于-25dBc。     

互补对称功率放大器的信号流图分析

本文在高频小信号谐振放大器、变压器耦合功率放大器及高频功率放大器的信号流图分析的基础上,对互补对称功率放大器进行信号流图分析,以求进一步拓展该分析法在电子技术领域中的应用范围。     

关于D类音频功率放大器的研究

D类音频功率放大器具有高效、节能、数字化、体积小、重量轻的特点,本文通过对D类音频功率放大器的进一步研究和设计调试结果,表明不久将取代模拟音频放大器的必然趋势.     

基于MOSFET的高频宽带线性单片功率放大器研究

本文基于功率MOSFET设计高频宽带线性功率放大器单片集成电路,主要针对功率放大器自身功耗和因高频下电路容性负载引起的信号相移及与此有关的功率放大器的效率问题.特别是选用高频功率MOSFET器件,通过电路优化设计使功放的转换速率达到最大,频带宽度达5-135 MHZ,在60 MHZ频率下,放大器的线性度为1 d B增益压缩点,在20-110 MHZ频率范围内,输入功率12 d B时,放大器的平均和最大增益分别为51.8 d B和53.5 d B,放大器的增益稳定性测试表明,频率60 MHZ,输入功率6 d B时,放大器的增益在24 d B-29 d B区间内波动.     

放大器的线性化技术

本文详细地阐述了功率放大器线性化的基本工作原理,并对常见的有源偏置(active biasing)、前馈(feed-forword)、具有非线性元件的线性放大器(LINC)、负反馈(negative forword)、预失真等五种线性化技术的特点、实现方法及使用中的优缺点进行了全面、系统的比较和分析,指出利用功率模块合成的放大器线性化程度较高、应用也最普遍.自适应预失真系统有自己独特的优势,是目前研究放大器线性化的方向.     

光纤参量放大器带宽特性的理论研究

为研究DSF光纤参量放大器(DSF-FOPA)的带宽增益特性,利用四波混频功率耦合方程进行分析,并对相位匹配条件进行了讨论.在小信号条件下,采用对称抽运时,得到了不同参数对放大器的带宽和增益的影响情况.分析结果表明,采用大的抽运功率、短的DSF光纤及宽的波长间隔可以拓宽放大器的带宽.     

功率放大器教学浅探

在电子线路功率一章的教学中,书上有些内容只是一提而过,使学生对于放大器的认识模糊,因此有必要对它作以详细的介绍。电器电路中放大电路的末级在输出大幅度信号电压的同时。还必须输出大幅度的电流．即向负载提供足够的功率．这种放大器就称为功率放大器。一个功率放大器的直流电源提供的功率,能不能最大限度地转换成交流输出功率。关键要看放大器的工作状态和如何选择元器件了。     

光纤CATV系统中掺铒光纤放大器的研究

本通过分析掺光纤放大器（EDFA）参数对并入EDFA作功率放大器的CATV系统性能的影响,提出了该类EDFA的性能要求以及设计方法。     

谈功率放大器中负载阻抗的确定

通常认为在放大器中实现阻抗匹配就可以得到最大功率输出，本拟从应用这一原理的前提条件入手分析在功率放大器中负载的确定并不能应用这一原理，并提出了如何确定功率放大器负载的方法。     

增益可控的预失真线性化技术

为了满足现代无线通信系统对传输系统线性化性能的要求,线性化技术成为通信领域的研究热点.在研究预失真技术特点的基础上,分析功率增益对预失真技术线性化性能的影响,指出降低预失真放大器的实际输出增益能有效地提高系统的线性化性能.引入功率增益控制因子,改进预失真算法,提出基于增益可控的预失真线性化技术.仿真实验证明,该技术可以实现满意的线性化性能,提高预失真放大器的效率.     

一种线性可控全集成SiGe BiCMOS驱动放大器

基于Jazz工艺,提出一种线性可控全集成Si Ge Bi CMOS驱动放大器（DRA）,实现多种可调功率增益放大作用。电路采用全差分共射共基结构,通过调节CMOS电流镜偏置电路和Si Ge-HBT管尺寸以及3bit控制位,实现1d B步长的可控增益。仿真结果显示：在10μA的带隙基准电流源以及3.3V的电源电压下,DRA实现八种可调功率增益,其线性度指标即输出1d B压缩点OP1d B〉3d Bm,电路供电电流〈10m A,且电路输入输出匹配良好（S11与S22均小于-19d B）。     

应用于感知无线电的可重构抗干扰射频收发机

介绍了一种应用于感知无线电的射频收发机,该射频收发机包含一个零中频接收机和一个直接上变频发射机.在与电视信号共存的环境中,射频接收机采用可调信道滤波器组来抑制邻近信道干扰.采用了具有宽动态范围、高线性度的低噪声放大器来提升零中频接收机的抗干扰性能.同时,采用高线性功率放大器来提高直接上变频发射机的邻近信道功率比特性.测...     

一种改进的线性功放前馈设计法

根据表示功率放大器线性的参数——三阶互调的产生机理,提高功率放大器线性的方法有功率回退法、预失真法和前馈法。传统的前馈技术存在成本过高、功率损耗过大的问题,通过改变系统组成、增加环行器的方式可以改进传统前馈技术,通过实验对比,表明该方法能明显改善传统前馈技术中存在的问题。     

基于MOS管低频功率放大器的设计

基于集成运放NE5532设计而成的一种低频功率放大器,由直流稳压电源、电压放大电路、MOS管功率放大级电路、带阻滤波电路及数据采集显示模块五部分组成,其主要功能是将10Hz-50KHz的低频小信号放大,输出功率大于5W且波形无明显失真,并将系统的输出功率、直流电源的供给功率和整机效率实时显示出来。     

2.4GHz CMOS低噪声放大器的设计

基于0.18μm CMOS工艺,采用共源共栅源极电感负反馈结构,设计了一个针对蓝牙接收机应用的2.4GHz低噪声放大器(LNA)电路.分析了电路的主要性能,包括阻抗匹配、噪声、增益与线性度等,并提出了相应的优化设计方法.仿真结果表明,该放大器具有良好的性能指标,在5.4mW功耗下功率增益为18.4dB,噪声系数为1.935dB,1dB压缩点为-14dBm.     

高效率音频功率放大器的设计

以D类放大器的原理为基础,设计了一个高效率音频功率放大器,用于对通频带范围为0.002～20 kHz的音频信号进行功率放大。功率放大部分采用+5 V单电源供电,主要由前置放大模块、三角波产生模块、比较器模块、驱动模块、H桥互补对称输出模块构成。整个功放电压放大倍数1～90倍连续可调,效率可达82.0%。在8Ω负载上,最大输出功率为1.24 W,输出波形几乎无失真。系统可测量放大器输出功率并实时显示出来,精度优于4%。此外,还增加了过流保护的功能,负载短路时自动切断功放电源。该音频功率放大器由于其高效率和低耗电的特点在实际中有很好的应用前景。     

基于MSP430的低频功率放大器设计

以MSP430F135单片机作为测量和显示的核心部件,采用两级前置放大电路、功率放大电路、带阻滤波电路、电流转换电路（功率测量电路）等组成一个低频功率放大器电路系统。测试结果表明,该系统能实现信号功率放大功能,具有输出噪声低、工作频带宽（10 Hz~50 kHz）、输出效率较高的特点。     

Inductorless CMOS Low Noise Amplifier for Multiband Application in 0.1–1.2 GHz

A 0.18 μm CMOS low noise amplifier(LNA) by utilizing noise-canceling technique was designed and implemented in this paper. Current-reuse and self-bias techniques were used in the first stage to achieve input matching and reduce power consumption. The core size of the proposed CMOS LNA circuit without inductor was only 128 μm 9226 μm. The measured power gain and noise figure of the proposed LNA were 20.6 and 1.9 dB,respectively. The 3-dB bandwidth covers frequency from 0.1 to 1.2 GHz. When the chip was operated at a supply voltage of 1.8 V, it consumed 25.69 mW. The high performance of the proposed LNA makes it suitable for multistandard low-cost receiver front-ends within the above frequency range.     

2-μm GaAs HBT工艺的L型网络分布式放大器

首先对分布式放大器中L型和T型网络的频率特性进行了研究.分析表明,L型网络比T型网络在设计中具有更好的频率特性.基于稳懋半导体的2-μm GaAs HBT工艺实现了一种L型网络的分布式放大器.测试结果表明,在3～18GHz频率范围内其增益为5.5dB,增益平坦度为±1dB,体现了很好的带宽性能.此外,在设计的频率范围内反射损耗S11,S22均低于-10dB.在5GHz时的1dB压缩点处输出功率为13.3dBm.芯片面积为0.95mm2,在3.5V电源下功耗为95mW.