溅射法制备纳米硅薄膜研究进展

纳米硅(nc-Si:H)薄膜被视为新型硅基薄膜太阳能电池的核心材料.本文从溅射工艺,沉积过程、结构特征方面对溅射法制备纳米硅薄膜的研究进展作了综述.     

溅射压强对薄膜太阳电池背电极电学性能的影响

采用直流磁控溅射工艺,在不同溅射压强条件下制备了薄膜太阳电池用金属Mo背电极。用场发射场发射扫描电子显微镜(FESEM)和四探针测试仪研究了溅射压强对薄膜的成膜速率和电学性能的影响。结果表明,较高溅射压强条件下,制得的薄膜电阻率较高,薄膜与衬底附着性能较好。随溅射压强减小,制备的薄膜电阻率降低,与衬底附着性较差。溅射过程中,改变溅射压强制备的双层Mo薄膜,能同时达到具有良好附着性和较低电阻率的要求,更适合做薄膜太阳电池背电极。     

二氧化钛薄膜材料制备工艺研究进展

TiO2薄膜材料由于其具有颜料特性及高的催化活性和光稳定性而应用广泛。本文通过查阅大量文献资料，主要对制备TiO2薄膜的常用方法，如溶胶-凝胶法，溅射法，化学气相沉积法进行了综述，以及对TiO2薄膜的制备工艺的发展趋势进行了简述。     

粉末烧结法制备铝钪靶材专利分析

<正>靶材主要应用于电子及信息产业,如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等,也可应用于玻璃镀膜等领域。靶材的产业链主要分金属提纯、靶材制造、溅射镀膜、终端应用四个环节。靶材制造环节是在溅射靶材产业链条中对生产设备及技术工艺要求最高的环节,溅射薄膜的品质对下游产品的质量具有重要影响。在此背景下,为了制备更高纯度的铝钪靶材,针对粉末冶金法制备铝钪合金靶材进行了众多研究,致力于方法的优化,改善铝钪合金靶材的均匀性、纯度。     

利肝片薄膜包衣的工艺研究

文章利用现有设备的条件,采用正交实验研究利肝片薄膜包衣生产的最佳工艺参数.确定了利肝片薄膜包衣的最佳工艺参数为:包衣液的浓度为16％,包衣液的喷量为150 g/min,进风温度为95℃.利肝片薄膜衣片比糖衣片崩解快速,有利于该药的更快吸收.     

溶胶-凝胶法制备锆钛酸钡薄膜的研究

采用溶胶-凝胶法（sol—gel）法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了BaZr0.75O3,（简称BZT）薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线（TG—DTA）分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,650℃时已经基本形成了钙钛矿结构,结合原子力显微图确定薄膜的热处理温度为750℃。     

Mg-Li合金表面沉积Ti/TiN复合薄膜提高合金抗腐性的研究

本文采用直流反应磁控溅射法低温下在Mg-Li合金表面沉积Ti/TiN复合薄膜,薄膜厚度约为1.6μm,靶材是纯度为99.99%的钛靶。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的相结构、表面形貌、及在0.35wt%NaCl中的抗腐蚀性能。结果表明:复合薄膜的腐蚀电位较合金基体正移82.6mV,腐蚀电流降了一个数量级,析氢速率也明显减小,说明Ti/TiN复合薄膜提高了镁锂合金的抗腐蚀性。     

对高介电常数栅介质Nd_2O_3薄膜生长速率影响的分析

本文生长了不同前驱体加热温度以及不同淀积温度下的Nd2O3薄膜,通过分析不同条件下的薄膜生长速率从而给出了薄膜生长的最佳工艺参数。     

探测器硒化铅薄膜的磁控溅射制备及性能研究

本文主要探讨硒化铅薄膜的生长机制以及镀膜工艺参数、掺杂处理等对硒化铅薄膜成分、结构、级光电性能的影响,以保证探测器的实际应用性能,促进核物理和粒子物理实验研究的顺利开展。     

硬质TiN薄膜与基体结合强度的研究现状

硬质Ti N薄膜在力学性能、耐腐蚀性能等诸多方面存在优势,是常用的合金表面改性材料之一。但是,长期使用过程中薄膜容易与基体脱离,关注并提高薄膜与基体之间的结合强度具有重要的现实意义。     

沉积时间对高熵合金溅镀氮化薄膜性能的影响

以高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V)为靶材,Ar为工作气体,N2为反应气体,利用反应式直流磁控溅镀在硅晶片和车削刀具上制备高熵合氮化薄膜,探讨不同溅镀沉积时间对(Al Cr Nb Si Ti V)氮化物薄膜表层微结构及机械性质的影响。沉积薄膜中所有元素的相对原子浓度与高熵合金靶材相当。氮化物薄膜组织均匀、致密地附着于基材,薄膜表面为颗粒状组织。随着溅镀时间的增加,显示薄膜表面晶粒变大,薄膜沉积速率下降。应用高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V) N氮化物薄膜镀层刀具干式切削S45C中碳钢圆柱工件时,工件表面的粗糙度和刀具的侧面磨损显著降低。研究显示镀层可有效提升刀具切削效率,延长刀具使用寿命,溅镀时间30 min时,车削刀具的切削性能最佳。     

高精度碳膜电阻温度系数的研究

随着微电子技术的飞跃发展,对薄膜集成电路,半导体集成电路的功能、集成度、精度、可靠性和使用寿命等,都提出了越来越高的要求。薄膜混合集成电路中的薄膜电阻无源器件,具有参数精度高、温度系数小、噪声系数低、高频特性好、可靠性高等特点,得到了广泛应用。本文主要论述了薄膜电阻的制作工艺对温度系数的研究。     

溅射温度对BCN薄膜质量的研究

近年来,研究者们对硬质薄膜的研究越来越广泛,而BCN薄膜由于其优异的性能深的研究者的青睐,其应用的范围也是极其广泛。本文主要通过射频磁控溅射法制备BCN薄膜,在溅射功率,气体流量,工作气压保持不变的前提下改变沉积温度,通过原子力显微镜,傅里叶红外析光谱,台阶仪表征手段对薄膜进行分析。     

射频补偿朗缪尔探针等离子体诊断系统

目前,等离子体科学和工程技术越来越广泛地被应用到国民经济的各个领域中。特别是低温非平衡等离子体已经广泛应用在半导体芯片的生产、功能薄膜的物理化学沉积和溅射、材料的切割和焊接、生物医疗和航空航天等各个领域。     

磁带存储焕发新生

索尼公司研发的一项技术让磁带焕发了新生,新一代磁带的存储容量可达到185TB,是传统磁带的74倍、蓝光碟的3700倍。新型磁带采用一个柔软的磁底层,利用一项名为“溅射淀积”的真空薄膜形成技术形成一层光滑表面。溅射淀积技术通过向聚合物膜发射氩离子,形成极细的晶体颗粒层,厚度只有5微米。此前,     

离子束溅射沉积—刻蚀作用下KDP晶体表面粗糙度研究

为了消除单点金刚石车削(SPDT)后KDP晶体表面留下的周期性小尺度波纹,文章探索采用离子束溅射沉积-刻蚀的方法对车削后KDP晶体进行抛光加工。本文主要分析了平坦化层材料的选择,溅射沉积工艺参数对KDP晶体平坦化层粗糙度的影响,并计算了平坦化层刻蚀速率从而完成了刻蚀转移。利用刻蚀转移成功地将单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nmRMS,经过1.76nmRMS的平坦化层,最终刻蚀转移到KDP晶体表面得到1.84nmRMS的光滑表面,实验结果验证了离子束溅射沉积—刻蚀抛光方法的可行性。     

模板法制备SnO_2纳米棒的研究

SnO2是一种重要的宽能级n型半导体金属氧化物,是一种重要的功能材料。制成的SnO2纳米棒可以在传感器方面发挥很大用途,在透明导电薄膜、太阳能电池电极、光催化剂等方面发挥重要作用。实验采用多孔硅为模板,使用直流磁控溅射的方法,向多孔硅的孔柱内溅射Sn,使孔柱内生长了一定厚度的Sn膜。然后进行氧化工艺,生成SnO2。再进行刻蚀工艺,将多孔硅表面的SnO2膜腐蚀掉,再腐蚀一段多孔硅模板,露出一段SnO2柱,在模板上生长出SnO2纳米棒。     

高功率脉冲磁控溅射等离子体特性与动力学研究进展（英文）

高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)作为一项极具发展前途的物理气相沉积新技术,近年来引起学术界和工业界的广泛关注.HIPIMS技术(也被称为HPPMS)可以提供足够的放电功率来获得极高的电流密度,数值达到几个A·cm-2;同时,可以得到1019m-3量级的高密度等离子体.溅射过程中独特的等离子体特性表明了该技术的突出优势,因此可实现沉积过程的控制和薄膜性能的优化.文中对HIPIMS技术的IV放电特征,电源设计,以及溅射原子离化率进行深入分析.同时,回顾讨论等离子体时间空间演变规律,离化基团输运,薄膜沉积速率等问题的研究进展.     

多晶硅薄膜制备工艺及其应用发展

科学技术的快速发展,使得多晶硅薄膜的制作工艺得到了完善优化,并且,多晶硅薄膜也已经得到了广泛的应用。本文介绍了结合现有工艺条件制作多晶硅纳米薄膜的多种工艺方法,细致研究了工艺条件对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响,分析了多晶硅薄膜制备工艺的应用发展,希望能够为相关人员提供参考借鉴。     

“镁基金属表面耐磨和减摩镀层的制备技术研究”项目获国际合作资助

西安理工大学蒋百灵教授主持的国际合作重点项目“镁基金属表面耐磨和减摩镀层的制备技术研究”获国际合作资助 ,研究经费 1 70万元。该研究利用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术 ,针对镁基金属的低熔点特性 ,研究在低温条件下镁基金属表面溅射CrAlTiN耐磨和Ti改性MoS2 减摩镀层的形成机理和力学行为 ,进而规范出高速滑动摩擦条件下镁合金制品表面耐磨和减摩镀层的制备工艺 ,为轻金属的产业化应用提供优质的表面状态。课题国际合作方英国TeerCoatingsLtd承担多项欧共体离子镀领域的研发计划。代表性成果闭合场非平衡磁控溅射离子镀设备和…