CoSiN薄膜的制备

文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜.     

Cu在CoN和CoSiN薄膜中的扩散研究

利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu／CoN／Si（100）和Cu／CoSiN／Si（100）薄膜,并对它们进行了不同温度的退火．用原子力显微镜观察了它们的表面形貌．用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布,然后利用菲克第二定律对Cu／CoN／Si和Cu／CoSiN／Si体系中cu的扩散进行了计算和分析,得出中温条件（300℃-700℃）下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8．98×10^-13exp（-0．45eV／kT）cHf／s和5．39×10^-11exp（-0．49eV／kT）Cm2／s．     

载玻片为基底制备钛薄膜的研究

采用磁控溅射法,以普通载玻片为基底,制备了不同厚度的金属钛薄膜,在添加光栅掩模版后,制备了钛薄膜光栅。采用控制变量法,重点研究了不同溅射时间(10 min、15 min、20 min、30 min、40 min、50 min)对金属钛薄膜厚度、透过率、电阻率的影响,并测量了所制备的钛薄膜光栅的光栅常数。结果表明,增加溅射时间,在载玻片表面制备的金属钛薄膜的厚度也呈现出增加的趋势。但金属钛薄膜的透过率和电阻率却呈现现相反的趋势,即随着溅射时间的增加而减小;采用分光光度计测量薄膜光栅的光栅常数为0.168 mm.     

溅射功率对掺镁氧化锌薄膜结构及厚度的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺镁氧化锌薄膜,利用SEM(扫描电镜)、XRD(X射线衍射)和椭偏仪等设备研究薄膜的表面形貌、成分、结构和厚度.结果表明,溅射功率没有对薄膜的生长方向产生较大影响,当溅射功率在40 W到100 W之间变化时,随着溅射功率的增大薄膜的结晶状况变好,晶粒尺寸变大,薄膜的厚度增加.     

薄膜太阳能光伏器件工艺制备及测试实验教学平台

采用磁控溅射和真空热蒸镀方法制备薄膜太阳能电池并测试其光伏性能,使学生了解薄膜太阳能电池的结构及制备工艺,熟悉Keithley半导体测试仪的使用方法,绘制薄膜太阳能电池的电流电压曲线,计算薄膜太阳能电池的各项性能参数,通过对薄膜太阳能电池中每一层薄膜的制备和功能的分析,理解薄膜太阳能电池的结构和工作原理,并运用于工艺实验环节,着力提升学生的创新实践能力。     

钛酸系铁电薄膜制备技术适用性的研究

钛酸系铁电薄膜是铁电薄膜中最重要的一类,其制备技术繁多.虽然很多文献对各种制备技术的优缺点有所论述,对于其适用性则未有全面的分析.本文结合钛酸系铁电薄膜的化学成分特点,对主要的铁电薄膜制备技术进行分类,通过比较分析各种技术的特点,讨论这些技术在实验室基础研究、商业化生产、军工或高附加值产品制备这三方面的适用性,可为铁电薄膜制备技术研究人员在技术选用、方向把握方面提供参考.     

薄膜提拉装置研制

设计并开发了一种薄膜提拉装置。该装置由液压装置、提拉装置、控制装置3个独立分体装置组成。为了实现薄膜制备过程中无振动、匀速提拉运行的"理想"成膜条件,选用液压传动系统以液体静压力进行动力传递和控制,并采用了与振动源保持柔性连接的隔离技术。该装置具有振动极小、低速稳定、匀速运行等优点,制得的薄膜表面平整、厚度均匀。为薄膜制备领域的教学科研和应用技术研究,提供了一种高品质的薄膜制备设备。     

液相沉积法制备光催化TiO2/SiO2复合薄膜及其表征

通过液相沉积法在较低的温度下制备了TiO2/SiO2复合薄膜,利用UV-Vis、XRD和SEM等表征手段对薄膜的透明性、物相和表面形貌进行了表征;并在紫外光照下,通过薄膜对罗丹明B水溶液的光催化降解实验,评价了沉积薄膜的光催化活性.实验结果表明,在室温下制备的液相沉积膜具有较好的光催化活性.     

基于薄膜干涉的研究

光学薄膜是现代光学仪器和光学器件的重要组成部分,它在各类光学系统中的应用极为广泛。传统的光学薄膜是以光的干涉为基础,并以此设计和制备增透膜、高反膜、滤光膜、分光膜、偏振及消振膜。本文根据薄膜干涉的基本原理,阐述了半波损失的条件和薄膜厚度的选取。     

淀粉溶液极化薄膜的正交实验结果分析与验证

对电化学沉积淀粉薄膜的沉积参数进行了系统地研究,并采用正交试验对电化学沉积淀粉薄膜的工艺条件进行了优化;然后选取一组最佳电化学沉积工艺参数,制备了淀粉薄膜样品;最后还用扫描电子显微镜(电极离子M)、X--射线衍射仪(XRD)以及对制备的薄膜的性能进行了袁征,研究表明,制备的淀粉薄膜的化学计量比接近1:1,其性能较好.     

溶胶-凝胶法制备氧化钒薄膜的结构及特性研究

利用溶胶-凝胶法制备了氧化钒薄膜,在大气环境及400℃下、对产物进行不同时间的退火处理。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、高阻仪、紫外-可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪,对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性等进行了系统的分析。结果表明,退火时间明显地影响溶胶-凝胶法制备氧化钒薄膜的化学结构及光电性能:退火时间过短,薄膜中有机成分不能完全分解、并且结晶度低;退火1h时,薄膜主要成分为V2O5和VO2,此时薄膜电阻低、但光吸收性弱;退火2h以上,薄膜中的主要成分为V2O5,此时薄膜电阻变大、但光吸收性有所加强。研究了退火时间对溶胶-凝胶制备氧化钒薄膜的化学结构及光电特性的影响,揭示了相关的微观机理。     

热红外探测VO2薄膜的制备与XPS分析

采用射频磁控溅射沉积方法,结合氢气氛退火工艺制备了热红外探测VO2薄膜,通过优化工艺,制备出化学计量比接近理论值、高质量的VO2薄膜．利用X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的相结构、组分进行了分析．测试结果显示,V2O5薄膜在退火温度450℃、退火2h条件下,制备得到的薄膜成分主要是VO2相．     

柔性透明导电ZnO基薄膜的制备及其发展前景

随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜将成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,柔性透明导电薄膜ZnO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点.总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,分析了柔性透明导电薄膜的研究历史和现状.综述了柔性透明导电ZnO膜的主要制备技术及其优缺点,阐述了当前该领域的最新研究成果及应用,并讨论了工业应用对柔性透明导电膜的性能要求及其未来发展趋势.     

常压MOCVD法制备TiO_2薄膜及性质研究

利用常压MOCVD法在Si及Al2O3衬底上制备了TiO2薄膜.研究了沉积温度和退火温度对TiO2薄膜结构和形貌的影响,以及TiO2薄膜的光学性质.研究发现,沉积温度为600℃时,制备的TiO2薄膜结构为锐钛矿相,薄膜质量较高.TiO2薄膜在1 090℃高温退火后,薄膜结构完全转变为金红相.TiO2薄膜在可见区域有着高达90%以上透射率,在紫外区域有着强烈的吸收.     

利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火（RTA）技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪（XRD）和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响.     

磁控溅射制备MoS_2/C复合薄膜及其结构表征

采用单靶与双靶磁控共溅射技术,在非晶态石英玻璃基底上分别沉积生长了MoS_2薄膜及MoS_2/C复合薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱检测技术对MoS_2薄膜和MoS_2/C复合薄膜材料的结构进行表征,探讨了退火处理前后薄膜结构的变化.结果表明,通过脉冲和射频双靶共溅射制备的MoS_2/C复合薄膜,碳原子对二硫化钼的空隙进行了填充,经过400℃真空退火20分钟,获得了结晶度较好的MoS_2/C复合薄膜材料.     

Excimer紫外灯辐照法钽氧化物膜XPS分析

报道了利用新型紫外光源—Ｅｘｃｉｍｅｒ紫外灯辐照制备钽氧化物薄膜的新方法,并对所制备的薄膜进行了Ｘ光光电子能谱（ＸＰＳ）分析,分析结果表明：所制备的钽氧化物薄膜不含碳而且符合化学计量比,有望获得好的介电性能     

AgNbFeB纳米微晶薄膜材料的制备及磁谱特性研究

利用磁控溅射法制备了AgNbFeB纳米微晶薄膜材料，对其结构和磁谱特征进行了分析和研究，发现该纳米微晶薄膜用作高频材料是很理想的。     

ZnO薄膜的反应蒸发法制备及其光电特性

分析热蒸发时锌液滴在舟内跳动的原因,给出解决问题的方法．用反应蒸发法制备成功ZnO导电薄膜,并给出薄膜的形貌显微照片、XRD图谱、光电效应的测量结果以及其结果与电阻率、薄膜光电子迁移率的关系．     

双层透明薄膜制备及氧含量对折射率影响研究

利用磁控溅射技术在玻璃基片上分别沉积ZnOx薄膜、TiO2-y薄膜和TiO2-y/ZnOx双层透明薄膜,改变薄膜沉积过程中的氩气(Ar)和氧气((O2)的比例,获得具有不同氧含量的ZnOx薄膜和TiO2-y薄膜.采用椭偏仪测定所有样品的折射率,仔细研究薄膜中氧含量对折射率的影响.分别选择具有较大的折射率TiO2-y薄膜和具有较小的折射率ZnOx薄膜的生长条件,制备TiO2-y/ZnOx双层薄膜,获得光密媒质/光疏媒质双层结构,并观察到He-Ne激光从ZnOx薄膜入射到TiO2-y/ZnOx界面上发生的全反射现象.研究成果适用于大学生物理实验中的研究型实验或大学创新实验.