TbCo薄膜磁各向异性的单离子模型分析

根据沉积过程中薄膜中稀土原子周围最近邻原子的各向异性排列,建立了TbCo非晶垂直磁化膜磁各向异性的单离子模型,并计算了TbCo非晶垂直磁化膜磁各向异性能Ku值,与实验测量结果符合很好.结果表明:膜内非S态Tb离子的非球对称电荷分布与局部晶场之间的相互作用,是TbCo薄膜存在垂直磁各向异性的主要原因.     

含氮氟化非晶碳（a-C：F：N）薄膜电学性能的研究

用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备氮掺杂氟化非晶碳（a-C：F）薄膜，用电桥测试薄膜的介电常数．研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响．结果表明：掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升．     

TbCo非晶薄膜垂直各向异性的磁偶极模型分析

根据稀土-过渡金属薄膜中原子磁矩的亚铁磁结构排列，建立TbCo非晶垂直磁化膜磁各向异性的磁偶极模型，依此计算TbCo非晶垂直磁化膜磁各向异性能Ku值随温度的变化．与实验测量结果比较，稀土原子、过渡金属原子以及稀土-过渡金属原子之间的磁偶极相互作用，只是TbCo薄膜存在垂直磁各向平性的次要部分．     

伊辛薄膜的Monte—Carlo计算

应用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法模拟了伊辛薄膜，得到了薄膜的表面磁性，体磁性以及系统的磁化率与温度的关系曲线。根据模拟结果发现在大块材料的临界温度附近磁化率存在一有限峰；并且在系统温度大于大块材料的体监界温度时，进一步跟踪研究了薄膜上，下表面的磁化强度，由此讨论了其它文献中利用有效场理论处理薄膜的一些争议的问题。     

DyFeCo磁光薄膜的制备和特性研究

本文采用射频磁控溅射方法制备了ＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压、溅射功率对ＤｙＦｏＣｏ薄膜性能的影响，实验表明：反射率随惶气压升高而降低，矫顽力随敢压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反应，随后矫顽力又逐渐减少，高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差，本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减少。反射率随溅射功率增加而     

TbCo磁化膜制备工艺对其垂直磁各向异性的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片制备TbCo非晶垂直磁化膜,采用样品振动磁强计和磁转矩测量仪测量薄膜的磁性能和磁转矩曲线．结果表明：Cr底层、TbCo磁性层组分、溅射气压、基片偏压、退火温度和TbCo磁性层厚度对薄膜的磁各向异性能都有很大影响．．     

非晶碳氮薄膜的X射线光电子能谱研究

采用空心阴极等离子体化学气相沉积法,在甲烷-氨气、氢气混合气体体系下,制备出了非晶碳氮薄膜。利用原子力显微镜(AFM)及X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的表面形貌、成分及微观结构进行了测试和表征。结果表明,薄膜的表面光滑、致密,均方根粗糙度小于0.5 nm;薄膜中的氮含量随NH3(H2)流速的增加呈现降低的趋势,sp2C-N及sp3C-N键含量均随氮含量的增加而增加。     

TiO_2修饰层与ZnO复合薄膜中非晶化现象研究

为改善ZnO薄膜的光学性质,采用溶胶-凝胶法分别制备了3层和6层ZnO基底上覆不同层数TiO_2修饰层的透明薄膜,分析TiO_2修饰层对薄膜晶体结构的影响。用不同工艺流程制备了覆TiO_2修饰层的ZnO基透明薄膜,研究非晶化出现的过程。结果表明:所有混合镀膜样品,其结晶性均受到阻碍,所得样品呈现出明显的非晶状态;非晶化的出现会对薄膜的光学性质产生显著影响。非晶化过程发生在样品制备过程中的预处理和退火阶段,其中退火过程中的非晶化更为主要。     

Cu掺杂对FeZrB软磁合金膜巨磁阻抗效应的影响

研究了Cu掺杂对FeZrB非晶软磁合金薄膜的巨磁阻抗(GMI)效应的影响。研究发现，未掺Cu元素的Fe88Zr7B5非晶软磁合金薄膜和掺了4at％过量Cu的(Fe88Zr7B5)0．96Cu0.04非晶合金薄膜均无明显的GMI效应．掺了3at％适量cu的(Fe88Zr7B5)0．97Cu0.03非晶合金薄膜则具有显著的GMI效应，在13MHz的频率下，最大纵向巨磁阻抗比为17％，最大横向巨磁阻抗比11％．     

纳米氧化铝薄膜制备及表征

采用溶胶-凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的氧纳米化铝纳米薄膜;通过XRD及AFM分析表征了烧结温度对纳米氧化铝薄膜的晶型及颗粒尺寸变化的影响.在900℃烧结时,氧化铝结构薄膜样品以非晶相和γ-Al2O3共存,颗粒尺寸50纳米;当烧结温度为950℃时开始向θ-Al2O3转变,颗粒尺寸几乎不变,有小颗粒生成,1050℃时基本完成θ-Al2O3转变,颗粒尺寸15纳米,1200℃时基本完成向α-Al2O3的转变,颗粒尺寸20纳米,在晶型转变过程中其晶粒尺寸由大变小而后再变大.     

海森堡薄膜的临界温度

在相关有效场理论框架内,应用类伊辛模型分析方法,研究了海森堡薄膜的临界行为。     

海森堡薄膜的临界性质

本文在相当有效场理论框架内,应用类伊辛模型分析方法,研究了海森堡薄膜的临界行为。     

非晶Sm_xCo_(1-x)薄膜的反常霍尔效应研究

为了研究量子效应对磁性薄膜低温输运性质的影响,采用直流磁控溅射方法,通过改变Sm质量分数,制备了厚度约为100 nm的非晶Sm_xCo_(1-x)系列薄膜。输运性质测量发现,由于结构的高度无序,薄膜出现了显著的弱局域化效应。当温度低于50 K时,Sm_xCo_(1-x)薄膜的纵向电阻率和反常霍尔电阻率均随温度降低而呈对数增长。基于Mitra等人提出的颗粒模型,计算了弱局域化效应对纵向电导率和反常霍尔电导率的修正,并进一步分析了反常霍尔电导率与纵向电导率之间的依赖关系。结果表明x=5,29%和x=16,7%样品中弱局域化效应对霍尔电导的修正为零,与理论分析结果一致。     

Schwarzschild黑洞的统计熵

避开求解各种粒子波动方程的困难,直接利用量子统计的方法,计算schwarzschild黑洞背景下Bose场和Fermi场的配分函数,进而采用brick-wall薄膜模型,得到黑洞熵与其视界面积成正比的结论。     

沉积时间对非晶碳/Mo_2C混合薄膜场发射性能的影响

在Al2O3衬底上采用微波等离子体增强化学气相沉积(MPCVD)系统中沉积薄膜,反应气体为CH4、H2。从样品的Raman谱中可以分析出薄膜中含有非晶碳成分。XRD有明显的晶态Mo2C衍射峰,所制备的薄膜为非晶碳/Mo2C混合膜。在高真空室中测量了样品的场发射特性,其开启场强为0.55 V/μm,在1.8 V/μm电场下测得样品的场发射电流密度为6.8 mA/cm2。CCD图中可以看到样品有比较好的发光特性。研究了在一定反应条件下,沉积时间对样品场发射特性的影响,4 h制备的样品场发射性能最好。良好的场发射性能决定了所制备的样品是一种好的场致发射体。     

Fe3O4（100）／STO（100）薄膜的制备及磁输运特性研究

采用脉冲激光沉积方法,以烧结的Fe3O4为靶材,在STO（100）基底上制备了Fe3O4（100）薄膜。XRD和AFM显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整。对薄膜的磁电阻进行测量,薄膜为负磁电阻,且在Verwey转变温度（约120K）时磁电阻最大。霍尔效应测量得到薄膜中栽流子浓度随着温度的降低而减小,In（n）与I／T基本呈线性关系,符合半导体热激活模型,迁移率随着温度的降低而减小,说明在薄膜内存在大量电离杂质中心。薄膜磁滞回线中较高的饱和磁化场。说明薄膜中APBs密度较低。     

在大学物理教学中介绍薄膜干涉的滤波效应

薄膜干涉是一种常见、有用的干涉效应。现行大学物理教材中只讨论了光场的强度效应而忽略了频率效应。该文从相位差与光程差的关系出发，得到了干涉场中光强随光波频率(波长)的分布，结合具体实例，给出了归一化的光强(反射光与透射光)随波长变化的关系曲线。     

初探石墨薄膜的表面结构及导电性

论述了在常温下和在大气状态下,扫描隧道显微镜（STM）在石墨薄膜表面上的电场加工实验,并对作用机理进行了分析,认为表面结构现象生成是场蒸发效应作用的结果,其导电性受外电场力的大小和薄膜层数之间的束缚力的影响。     

CoSiN薄膜的制备

文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜。     

CoSiN薄膜的制备

文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜.