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利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu/CoN/Si(100)和Cu/CoSiN/Si(100)薄膜,并对它们进行了不同温度的退火.用原子力显微镜观察了它们的表面形貌.用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布,然后利用菲克第二定律对Cu/CoN/Si和Cu/CoSiN/Si体系中cu的扩散进行了计算和分析,得出中温条件(300℃-700℃)下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8.98×10^-13exp(-0.45eV/kT)cHf/s和5.39×10^-11exp(-0.49eV/kT)Cm2/s. 相似文献
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文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜. 相似文献
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