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以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3/PbTiO3铁电多层薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量.研究发现,原位生长的薄膜已经具备了较好的铁电性,这为(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-x0.1PbTiO3薄膜的低温制备提供了可能性.经过退火后,薄膜的铁电性略有下降,高温下铅的损失可以很好的解释这一现象.  相似文献   
2.
一、引言 材料是人类社会进步的基石与里程碑。高技术新材料是国民经济的基础和先导。新材料的研制、开发与应用的水平和能力是衡量一个国家综合实力的重要标志之一。面向21世纪,人们已经充分认识到信息、能源和新材料将成为各国高新技术和综合实力竞争的重要科技领域。因此,有预见地针对21世纪材料科学与工程的发展,培养高质量、高  相似文献   
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