ZnO单晶材料不同温度下光致发光性能研究

对ZnO单晶材料不同温度下进行了光致发光研究。室温下ZnO单晶有两个发光峰,分别为375nm的紫外发光峰和570nm的可见光发光带。随着温度的降低,出现两个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)和束缚激子(D0X)发光峰,并且束缚激子发光峰随着温度降低较自由激子变化明显。较低温度时在370nm到400nm出现多个发光峰,为声子(LO)参与的受主束缚激子(A0X)发光峰。10K时出现四个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)、表面激子(SX)和束缚激子(D0X)发光峰。     

ZnO纳米棒与纳米管的制备及光致发光特性研究

采用水热法,以氯化锌和氨水为反应溶液,在Cu衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米棒和纳米管阵列。借助SEM和PL等手段对其结构和光致发光进行了分析研究。实验表明,ZnO纳米棒的生长过程结束后,自然冷却与恒温(40℃)溶解会使ZnO纳米棒发生优先溶解的区域不同,在溶解过程中,纳米棒的各处溶解的速率大小不同,形成了不同的纳米结构。在PL图谱中,ZnO纳米棒与纳米管表现出相似的弱的紫外峰和强的由于Cu杂质引起的绿光发射峰。     

离子注入制备Si基InAs量子点

利用离子注入法在Si(001)片上先后注入了In+和As+,注入剂量为1.5×1017cm-2,注入能量分别为210和150keV,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料,用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了材料的截面像。