法制类报纸的视频传播探索——以河南法制报“法直播”为例

随着信息化进程的加快、新媒体发展的加速和媒体融合的逐步深入,作为传统媒体之一的报纸面临着不少困难,也面临着不少机遇。作为行业报之一的法治类报纸,如要保持报纸的报道专长,巩固并扩大影响力,既要靠内部挖潜,更要靠媒体融合。在这方面,河南法制报以打造视频直播品牌“法直播”为契机,作了一些探索,积累了一些经验,也找到了努力方向。     

高等数学教学中关于学生解题思维的反思

通过在高等数学教学过程中对学生一些解题思维的反思,得到求00型幂指函数在x趋向于x0时的极限,及判别交错级数、正项级数收敛性,求一阶可分离变量微分方程解法新的见解,可促进教学效果的提高.     

“泾以渭浊”解

《诗经·邶风·谷风》中有“泾以渭浊”的句子。很久以来,作注的人都说泾渭是指陕西境内的泾水和渭水;泾水浊,渭水清。直到高亨先生的《诗经今注》,还说这句话的意思是“泾水流入渭水,把渭水也弄浊了。”但是,实际的情况却是泾清渭浊,恰巧相反。弄清产生这个错误的根源,是有意义的。     

低输出功率应用的E类CMOS功率放大器设计(英文)

利用标准的0.18μm6层金属混合信号/射频CMOS工艺设计了一种工作在2.4 GHz频段的全集成E类功率放大器.电路采用两级放大器级联结构,其中驱动级利用谐振技术生成高摆幅开关信号;输出级采用E类结构实现了信号的功率放大.在1.2 V电源电压下,设计的功率放大器最高输出功率为8.8 dBm,功率附加效率(PAE)达到44%.同时,提出了一种E类功率放大器功率控制方法.通过改变进入E类开关晶体管的信号幅度和占空比,在3位数字控制字的控制下,输出功率达到-3～8.8 dBm.所设计的功率放大器可以满足诸如无线传感网络(WSN)和生物遥测等低功率系统的应用.     

采用RF CMOS T型衰减器的TH-UWB通信调制器(英文)

对T 型衰减器的插入损耗和衰减性能进行了理论分析, 在此基础上设计了一个用于跳时超宽带(TH-UWB)通信的载波频率为4 GHz 的通断键控(OOK)调制器. 该调制器的核心是一个T 型RF CMOS 衰减器, 其电路拓扑结构包括3个主要部分: 振荡频率为4 GHz 的振荡器、由射频CMOS 晶体管构成的T 型衰减器和带有L 型结构的输出阻抗匹配网络. 该调制器由一个脉位调制(PPM)信号控制, 使已调信号的包络随控制信号的幅度而变化, 以实现调制功能. 除此之外, 输出匹配网络将调制器的输出阻抗匹配到50Ω负载. 调制器采用0.18 μm 射频CMOS 工艺进行设计并仿真, 其芯片经过测试, 在1.8 V 电源和50Ω负载下有65 mV 的输出幅度, 输出端回波损耗(S11)小于-10 dB, 功耗为12.3 mW, 芯片尺寸为0.7 mm×0.8 mm.     

应用于无线局域网802.11a高中频下变频器的设计(英文)

给出了一个应用于无线局域网WLAN802.11a的中低噪声、高增益的下变频器.该下变频器采用高中频的结构,输入的射频频率(RF)、本振(LO)频率和输出的中频频率(IF)分别为5.15 ～5.35,4.15 ～4.35和1GHz.为了提高混频器的线性度,电路采用了伪差分的吉尔伯特结构和源极电阻负反馈技术;为了获得低的噪声系数,混频器采用电流源注入技术和LC谐振电路作为负载.此外,采用了一种改进的源极跟随器输出缓冲电路,在不恶化其他性能的情况下混频器可以达到较高的增益.该芯片采用0.18μm RF CMOS工艺制作,包含所有焊盘在内的芯片尺寸为580μm×1 185μm.测试结果表明:在1.8V电源电压下,消耗电流为3.8mA,转换增益为10.1dB,输入1dB压缩点为-3.5dBm,输入三阶截点为5.3dBm,单边带(SSB)噪声系数(NF)为8.65dB.     

433MHz低功耗CMOS LNA的噪声优化与实现(英文)

采用0.18μm SMIC数模混合与射频(RF)CMOS工艺实现了一个应用于ISM(工业、科学和医疗)频段接收机的433 MHz低功耗低噪声放大器(LNA)的设计.电路通过调节源级反馈电感和在LNA输入晶体管上并联电容的方法实现了最优的噪声性能.测试结果表明,LNA在431 MHz处的噪声系数为2.4 dB,S21=16 dB,S11=-11 dB,S22=-9 dB,反向隔离度大于35 dB.测量的1-dB压缩点(P1dB)和输入三阶交调(ⅡP3)分别为-13dBm和-3 dBm.芯片面积为0.55 mm×1.2 mm,在1.8 V供电时整个电路功耗仅4 mW.     

CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计

本文介绍了用0.18μm 6层金属混合信号/射频 CMOS工艺设计的2个 LC谐振压控振荡器及测试结果, 并给出了优化设计的方法和步骤. 第1个振荡器采用混合信号晶体管设计, 振荡频率为2. 64GHz, 相位噪声为-93. 5dBc/Hz@500kHz. 第2个振荡器使用相同的电路结构, 采用射频晶体管设计, 振荡频率为2. 61GHz, 相位噪声为-95.8dBc/Hz＠500kHz. 在2V电源下, 它们的功耗是8mW, 最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm. 2个振荡器均使用片上元件实现, 电路的集成简单可靠.     

宽带CMOS LC压控振荡器设计及相位噪声分析

应用标准0.18μm CMOS工艺设计并实现了宽带交叉耦合LC压控振荡器.采用开关电容阵列拓宽频率范围.设计过程中对相位噪声进行了优化.应用线性时变模型(LTV)推导出相位噪声与MOS晶体管宽长比之间的函数关系,从理论上给出相位噪声性能最优的元件参数取值范围.为简化推导过程,针对电路特点按晶体管工作状态来细分电路工作区域,从而避免了大量积分运算,以尽可能简单的比例形式得到相位噪声与设计变量间的函数关系.测试结果表明,在1.8V电源电压下,核心电路工作电流为8.8mA,压控振荡器的频率范围为1.17 ～1.90GHz,10kHz频偏处相位噪声达到-83dBc/Hz.芯片面积为1.2mm×0.9mm.     

蓝牙射频前端跳频频综的几项关键技术

提出了应用于蓝牙射频前端的跳频频率综合器的设计方案,并介绍了关键模块压控振荡器与双模预分频器的设计技术,采用混合0.18 μm CMOS工艺进行了流片验证.设计的压控振荡器性能稳定,低功耗低相噪,频率在2.4 GHz时测试相位噪声达-114.32 dBc/Hz@2.4 MHz.对双模分频器进行了设计优化,并采用一种集成"或"逻辑的锁存器结构,降低了功耗,提高了电路速度.测试结果显示电路在1.8 V时稳定工作双模分频器核心功耗仅5.76 mW;均方差抖动在输出周期为118.3 MHz时仅为2 ps,约占输出周期的0.02%.