| 半导体PN结器件一维稳态模拟 |
| |
| 引用本文： | 余稳,黄文华.半导体PN结器件一维稳态模拟[J].衡阳师范学院学报,1999,20(6):34-39. |
| |
| 作者姓名： | 余稳 黄文华 |
| |
| 作者单位： | 常德师范学院电磁理论研究所!常德，415000，常德师范学院电磁理论研究所!常德，415000，西北核技术研究所!西安，710024，西北核技术研究所!西安，710024 |
| |
| 摘 要： | 从研究半导体PN结器件烧毁物理机理出发，建立了一种高效通用的半导体PN结器件计算机分析模型，并编制了一维德态程序，瞬态程序及二维模型研究将随后开展。
|
| 关 键 词： | 半导体结器件 计算机模拟 一维稳态 |
Modeling of one-dimensional static semiconductor PN devices |
| |
| Yu Wen Cai Xinhua.Modeling of one-dimensional static semiconductor PN devices[J].journal of Hengyang Normal University,1999,20(6):34-39. |
| |
| Authors: | Yu Wen Cai Xinhua |
| |
| Abstract: | Based on the purpose of mechanism research of burnout of semiconductor PN devices,we built a general and high per formance computer mode for it,and programmed the one -dimensional static code. The transit and the two dimensional situation will be fol-lowed. |
| |
| Keywords: | semiconductor devices computer modeling one-dimensional static |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
