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溅射法制备纳米硅薄膜研究进展
引用本文:袁珂,黄强,郝会颖.溅射法制备纳米硅薄膜研究进展[J].中国科技信息,2008(15).
作者姓名:袁珂  黄强  郝会颖
作者单位:1. 中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,100083
2. 中国地质大学(北京)信息工程学院,100083
基金项目:中国地质大学(北京)大学生创新性实验计划项目专项基金
摘    要:纳米硅(nc-Si:H)薄膜被视为新型硅基薄膜太阳能电池的核心材料.本文从溅射工艺,沉积过程、结构特征方面对溅射法制备纳米硅薄膜的研究进展作了综述.

关 键 词:纳米硅薄膜  溅射  制备
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