| Mn掺杂GaAs稀磁半导体的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 张云丽,杨建国,朱自强,周小东,巫洪章,谭明秋.Mn掺杂GaAs稀磁半导体的第一性原理研究[J].周口师范学院学报,2015(2):49-52. |
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| 作者姓名： | 张云丽 杨建国 朱自强 周小东 巫洪章 谭明秋 |
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| 作者单位： | 周口师范学院物理与机电工程学院;周口师范学院稀土功能材料及应用重点实验室;浙江大学物理系 |
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| 基金项目： | 周口师范学院高层次人才科研启动经费项目(ZKNUB2013005) |
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| 摘 要： | 稀磁半导体因兼有半导体及金属共同特性,在电子器件和磁性方面有着广泛应用.因此,无论从理论还是应用上研究稀磁半导体都具有重要意义.本文基于第一性原理计算研究了Mn掺杂GaAs稀磁半导体的稳定结构、磁序特点、磁性来源及电子结构.首先,计算研究了GaAs的电子结构,证实其半导体特点;其次,研究发现了铁磁(FM)构型为Mn掺杂的GaAs体系的最稳定构型,并且基于该稳定构型进一步研究发现Mn掺杂GaAs的磁性主要来源于Mn原子;最后,研究发现Mn掺杂GaAs体系的电子结构具有稀磁半导体特性,并基于此展望了Mn掺杂GaAs稀磁半导体的应用前景.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 第一性原理 电子结构 磁性质 |
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