Fe3O4(100)/STO(100)薄膜的制备及磁输运特性研究 |
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引用本文: | 黄思俞,王宗篪.Fe3O4(100)/STO(100)薄膜的制备及磁输运特性研究[J].三明高等专科学校学报,2013(4):34-38. |
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作者姓名: | 黄思俞 王宗篪 |
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作者单位: | 三明学院机电工程学院,福建三明365004 |
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基金项目: | 福建省省属高校科研专项基金项目(JK2010060) |
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摘 要: | 采用脉冲激光沉积方法,以烧结的Fe3O4为靶材,在STO(100)基底上制备了Fe3O4(100)薄膜。XRD和AFM显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整。对薄膜的磁电阻进行测量,薄膜为负磁电阻,且在Verwey转变温度(约120K)时磁电阻最大。霍尔效应测量得到薄膜中栽流子浓度随着温度的降低而减小,In(n)与I/T基本呈线性关系,符合半导体热激活模型,迁移率随着温度的降低而减小,说明在薄膜内存在大量电离杂质中心。薄膜磁滞回线中较高的饱和磁化场。说明薄膜中APBs密度较低。
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关 键 词: | Fe3O4薄膜 磁电阻 霍尔效应 磁滞回线 |
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