| 添加剂和升温速度对Si_3N_4陶瓷显微结构的影响 |
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| 引用本文： | 李柳生.添加剂和升温速度对Si_3N_4陶瓷显微结构的影响[J].洛阳工业高等专科学校学报,1996(1). |
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| 作者姓名： | 李柳生 |
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| 作者单位： | 洛阳工业高等专科学校材料工程系 |
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| 摘 要： | 本文研究了添加剂种类和升温速度对气压烧结Si_3N_4陶瓷显微结构的影响。结果表明:只加入Sc_2O_3,升温速度对β—Si_3N_4晶体生长影响甚微。同时加入Sc_2O_3和ZrO_2,升温速度对β—Si_3N_4的晶体形貌影响显著。慢速升温可有效地提高β-Si_3N_4晶体的长径比,并形成长径比大的大晶体镶嵌在细小晶体群之中的显微结构。
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| 关 键 词： | 氮化硅 显微结构 长径比 |
Effects of Additives and Heating Rates on the Microstructures of Si_3N_4 Materials |
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| Li Liusheng Luoyang Technology College
H.-J.Kleebe,G.Ziegler IMA,Universitat Bayreuth,FRG.Effects of Additives and Heating Rates on the Microstructures of Si_3N_4 Materials[J].Journal of Luoyang Technology College,1996(1). |
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| Authors: | Li Liusheng Luoyang Technology College
H-JKleebe GZiegler IMA Universitat Bayreuth FRG |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si3N4 Microstructure Aspect ratio |
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