基于0.6μm CMOS工艺的限幅放大器设计 |
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引用本文: | 陆超,袁静.基于0.6μm CMOS工艺的限幅放大器设计[J].河南科技学院学报,2006,34(2):53-56. |
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作者姓名: | 陆超 袁静 |
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作者单位: | 宿迁学院计算机系,江苏宿迁223800 |
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摘 要: | 提出了用于SOH系统SIM-4速率级光接收机中主放大器的CMOS限幅放大器的设计方法。此限幅放大器由输入缓冲、主放大单元、输出缓冲、偏置补偿电路四部分组成。当限幅放大器工作在622Mb/s,输入动态范围为47dB,50Ω负载上的输出限幅在900mVpp刑用5V电源供电,功耗约为70mW。
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关 键 词: | 光接收机:主放大器 限幅放大器 CMOS工艺 |
A Limiting Amplifier Design of Basing on CMOS Technics |
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