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基于0.6μm CMOS工艺的限幅放大器设计
引用本文:陆超,袁静.基于0.6μm CMOS工艺的限幅放大器设计[J].河南科技学院学报,2006,34(2):53-56.
作者姓名:陆超  袁静
作者单位:宿迁学院计算机系,江苏宿迁223800
摘    要:提出了用于SOH系统SIM-4速率级光接收机中主放大器的CMOS限幅放大器的设计方法。此限幅放大器由输入缓冲、主放大单元、输出缓冲、偏置补偿电路四部分组成。当限幅放大器工作在622Mb/s,输入动态范围为47dB,50Ω负载上的输出限幅在900mVpp刑用5V电源供电,功耗约为70mW。

关 键 词:光接收机:主放大器  限幅放大器  CMOS工艺

A Limiting Amplifier Design of Basing on CMOS Technics
Abstract:
Keywords:
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