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| 钨刻蚀残留的改善 | |
| 引用本文： | 胡浩.钨刻蚀残留的改善[J].中国科技纵横,2014(8):83-84,86. |
| 作者姓名： | 胡浩 |
| 作者单位： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司一厂工程二部,上海201206 |
| 摘 要： | 钨CVD在现代先进集成电路制造中有着不可或缺的应用，利用氟化学药品产生等离子体刻蚀钨的钨回刻工艺在业界中被广泛地使用。在集成电路制造过程中会发生钨被刻蚀以后硅片表面仍有大面积的宏观钨残留的现象，这样会造成电路失效，导致废弃硅片。钨薄膜淀积的均匀性是造成钨刻蚀残留的主要原因，通过改善钨薄膜淀积设备的一些设置，作业方法和作业条件的合理分配，以及钨刻蚀的条件，有效地改善了钨刻蚀残留现象，减少了硅片的废弃． |
| 关 键 词： | 钨CVD 钨刻蚀钨残留 |
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