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| 元素掺杂WS2与SnO磁电子性质的第一性原理计算研究 | |
| 引用本文： | 韩医临,李慧,任杰,王敏,周铁戈.元素掺杂WS2与SnO磁电子性质的第一性原理计算研究[J].科技风,2022(1):77-80. |
| 作者姓名： | 韩医临 李慧 任杰 王敏 周铁戈 |
| 摘 要： | 随着摩尔定律的逐渐失效,发展可替代的高速、低功耗信息技术迫在眉睫.自旋电子器件是其中最具前景的技术.本文采用第一性原理计算方法,对具有潜在自旋电子特性的二维(2D)材料(WS2与SnO单层)开展磁电子学方面的研究,系统揭示了元素掺杂对体系电子结构及磁性的作用机制.研究发现,未经掺杂的单层WS2、SnO是带隙为1.96 ... |
| 关 键 词： | 二维材料 WS2 SnO 第一性原理 电子结构 自旋电子学 |