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反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应
引用本文:吴琦,胡紫英.反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应[J].湖南科技学院学报,2004,25(6):108-111.
作者姓名:吴琦  胡紫英
作者单位:湖南科技学院,电子工程与物理系,湖南,永州,425006
基金项目:零陵学院院级课题(零院字[2003]81号)和永州市科技局(永科发[2004]19号).
摘    要:提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质.结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为.

关 键 词:反对称磁垒纳米结构  电子自旋极化  隧穿输运
文章编号:1671-9697(2004)06-0108-04
修稿时间:2004年10月20

Electron-spin polarization effect in asymmetric magnetic-barrier nanostructures
WU Qi,HU Zi-ying.Electron-spin polarization effect in asymmetric magnetic-barrier nanostructures[J].Journal of Hunan University of Science and Engineering,2004,25(6):108-111.
Authors:WU Qi  HU Zi-ying
Abstract:
Keywords:
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