| 新型稀磁半导体Cu掺杂LiMgN的电子结构和光学性质 |
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| 引用本文： | 邓军权,毋志民,杨武庆,崔玉亭,胡爱元,赵若禺,王敏娣.新型稀磁半导体Cu掺杂LiMgN的电子结构和光学性质[J].科学中国人,2015(8):830-837. |
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| 作者姓名： | 邓军权 毋志民 杨武庆 崔玉亭 胡爱元 赵若禺 王敏娣 |
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| 作者单位： | 重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆市重点实验室 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对纯LiMgN,Cu掺杂LiMgN,以及Li过量和不足时Cu掺杂LiMgN体系进行几何结构优化,计算并分析体系的电子结构、半金属性、形成能及光学性质.结果表明,Cu掺入使体系产生自旋极化杂质带,表现出半金属性,且体系性质受Li计量数的影响.当Li不足时体系的杂质带宽度增大,半金属性增强,净磁矩增大,同时体系的形成能降低,居里温度提高.而当Li过量时,体系半金属性消失,但带隙值减小,导电能力增强.通过比较光学性质发现,Cu掺入后体系在低能区出现新的介电峰,且当Li不足时介电峰增强,同时复折射率函数也发生明显变化,体系对低频电磁波吸收加强.
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| 关 键 词： | Cu掺杂LiMgN 电子结构 光学性质 第一性原理 |
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