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| 基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运 | |
| 引用本文： | 李健文,梁文斯钰,朱昊天,赖伊倩,吴子明,吴琦.基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运[J].宜春学院学报,2023(6):36-40+101. |
| 作者姓名： | 李健文 梁文斯钰 朱昊天 赖伊倩 吴子明 吴琦 |
| 作者单位： | 1. 南昌工程学院理学院;2. 南昌市光电转换与储能材料重点实验室;3. 南昌工程学院光电材料与新能源技术重点实验室 |
| 基金项目： | 江西省教育厅科学技术研究项目(编号：GJJ190962)； |
| 摘 要： | 本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明，δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导。通过改变δ掺杂的权重和位置可以实现较大程度的自旋极化。研究结果将有助于理解δ掺杂磁纳米结构中的实验现象和设计δ掺杂可调制自旋电子器件。 |
| 关 键 词： | 磁纳米结构 δ掺杂 自旋极化 自旋电子器件 |