恒电位法制备氧化亚铜薄膜工艺的研究

本文探索了以CuSO4·5H2O为铜源,乳酸为络合剂,应用恒电位法在导电玻璃（ITO）上沉积Cu2O薄膜的工艺条件.主要研究了Cu2＋与络合剂乳酸的摩尔比、络合时间、溶液的pH及电镀面积对薄膜结构的影响规律.通过X-射线衍射分析（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对其结构和形貌进行了表征.结果表明：在Cu2＋与乳酸的摩尔比为1∶4～1∶7,pH=9～11的特定参数范围内的Cu2O膜为砖红色,膜面均匀致密,属于立方晶系结构,晶体择优（200）面生长.     

硅基光电子材料的研究

综述了硅基发光材料的研究新进展，分别以发光多孔硅、多孔碳化硅、纳米硅薄膜和发光硅基超晶格为例，分析了讨论了其准备、物理特性及发光机理。     

HfOxNy薄膜的制备及其性能研究

本文采用磁控溅射法制备了HfOxNy高介电薄膜，结合XRD、XPS等手段研究了退火温度对薄膜的结构和化学键态的影响，发现N的掺入使Hf4f峰位向低能方向移动．而随着退火温度的升高，Hf4f的双峰峰位向着高结合能的方向移动，这表明N的含量随着退火温度的升高而降低．XRD结果显示N的掺人能提高薄膜的晶化温度．     

脉冲激光沉积法在多孔硅衬底上制备ZnS薄膜

用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积法以PS为衬底生长一层ZnS薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计分别表征了ZnS薄膜的结构、形貌和ZnS/PS复合膜的光致发光性质.XRD结果表明,制备的ZnS薄膜沿β-ZnS(111)方向择优生长,结晶质量良好,但衍射峰的半峰全宽较大;SEM图像显示,ZnS薄膜表面出现一些凹坑,这是衬底PS的表面粗糙所致.室温下的光致发光谱表明,沉积ZnS薄膜后,PS的发光峰蓝移.把ZnS的蓝绿光与PS的橙红光叠加,在可见光区450~700 nm形成了一个较宽的光致发光谱带,ZnS/PS复合膜呈现较强的白光发射.     

硅基光电子材料的研究

综述了硅基发光材料的研究新进展,分别以发光多孔硅、多孔碳化硅、纳米硅薄膜和发光硅基超晶格为例,分析讨论了其制备、物理特性及发光机理.     

复杂型腔工模具表面硬质薄膜材料制备成套设备及关键工艺技术

该技术围绕脉冲直流等离子体化学气相沉积(PCVD)成套工业设备研制、PCVD制备硬质薄膜材料以及在工模具表面薄膜材料强化领域的关键应用等进行了系统研究,主要内容及特点如下：     

脉冲激光引发过渡金属与硅及锗硅薄膜固相反应研究

本项目《脉冲激光引发过渡金属与硅及锗硅薄膜固相反应研究》涉及的学科领域是微电子薄膜材料,主要内容是脉冲激光制备用于集成电路（IC）纳米超浅的源、漏结接触材料的硅／锗硅的过渡金属化合物及其特性。     

基于监测技术的注塑工艺参数研究

模腔温度对塑料制品的表面质量具有很大的影响。借助奇石乐模腔温度测量传感器,直接测量注塑成型过程中,塑料模具型腔中的温度最大值,然后采用正交实验的方法,分析工艺参数对模腔温度最大值的影响次序,根据效应关系图详细分析工艺参数对模腔温度最大值的影响规律。     

钕铁硼永磁材料电沉积制备工艺设计

通过单因素试验和正交试验,设计推导出合适的电镀液配方.通过研究镀液的pH值、电流强度、镀液温度、电镀时间和硼酸含量等电沉积过程中的主要工艺参数对电镀结果的影响,最终得到的最佳工艺条件为采用72 g/L甘氨酸和30g/L氯化铵作混合络合物,36 g/L的硼酸作稳定剂,主盐浓度分别为12 g/L的氯化钕4、0 g/L的氯化亚铁;pH值为3.15,温度为45℃,电流密度J为1.0 A/dm2,电镀时间为15 min.该工艺能产生均匀、致密的光亮镀层,为制备NdFeB永磁材料提供了一条新途径.     

ZnO薄膜的电化学沉积及其性能研究

以透明导电玻璃(TCO)为衬底,用硝酸锌水溶液作为电解液,采用阴极电沉积法合成了ZnO薄膜.通过改变电解液浓度、温度和沉积电压等实验条件,系统研究了锌氧化物薄膜材料的电化学沉积过程.用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见光谱法等技术对沉积物的形貌、结构及光学性质进行了表征.结果表明,通过控制电解液的浓度和温度及沉积电压等反应条件可以制备出不同形貌的ZnO薄膜.XRD结果表明,所得的ZnO纯度高且呈六方纤锌矿结构;光谱法研究表明,该薄膜在344 nm和552 nm处有两个吸收峰,禁带宽度为3.25 eV.     

薄膜材料连接方式的发展现状

在需连接的材料之间,应根据其大小、形状、种类和结构等来确定适当的复合方式,否则很难达到需要的效果.而对小微薄膜而言,其连接方式有特殊之处.本文综述了这类薄膜材料可能用到的连接方式,如物理气相沉积法、精密轧制压延技术、钎焊技术、摩擦焊技术和扩散焊接技术等,分析了这些连接方式的适用性和优缺点,指出了扩散焊接技术在小微薄膜连接方面更为适合,展望了该方式的发展前景.     

超薄膜Si外延生长过程的动力学蒙特卡罗模拟

建立超薄膜Si外延生长的晶格一动力学蒙特卡罗模型,并应用该模型模拟了Si原子在Si（111）基底上外延生长的过程．系统研究了沉积时间、基片温度对于薄膜初始生长形貌的影响,如影响粒子的扩散与凝聚、岛的生长等微观过程．     

典型模具材料表面激光淬火技术及工艺参数分析

对常用的典型模具材料选取不同的工艺参数,对其表面进行激光淬火,取样后进行金相组织照片采集、淬火层层深及显微硬度检测分析。经试验结果对比分析,进而得出淬火层的性能与其微观组织以及激光淬火工艺参数三者之间的相互影响规律。为获得较理想微观组织分布和性能优异的淬火层提供了坚实的实验基础,使激光淬火技术在模具的表面强化处理上获得更好的应用。     

磁控溅射法制备氧化镓薄膜

随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一。氧化镓薄膜具有结构简单、成本低廉、响应快、便于制造的优点,而且还有很高的化学稳定性。它作为一种新型的气体传感器材料近年来日益受到重视。本文研究了通过磁控溅射法制备氧化镓薄膜时,不同的热处理温度对氧化镓薄膜结晶质量的影响。并利用X射线衍射仪,紫外可见透射光谱,对氧化镓薄膜的结构性能及表面形貌进行了测试和分析。     

聚硅硫酸盐的制备及其性能研究

无机高分子絮凝剂是城市用水和工业废水处理的有效药剂。本文在研究聚合硫酸铁(PFS)合成工艺的基础上,设计出一套合成无机高分子混凝剂聚硅硫酸铁(PSPFS)和聚硅硫酸铝铁(PSAFS)的方法。本文采用正交试验法,通过模拟浊水的混凝试验,确定Fe/Si摩尔比、Na2SiO3.9H2O溶液聚合时间、反应时间、反应温度和Al/Si摩尔比等最佳参数;通过PSPFS、PSAFS和商品PAC的对比试验,得出PSPFS、PSAFS在处理炼油废水时,要好于商品PAC。     

Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征

使用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了ZnOSe薄膜。不同温度下对ZnOSe薄膜在N2气氛中进行快速退火。采用X射线衍射、Hall测试、紫外-可见透射光谱测试及X射线光电子谱等分析测试技术对薄膜进行结构和性能表征,结果表明:ZnOSe薄膜具有良好的(002)择优取向;800℃退火后的薄膜中空穴浓度达到了1.517×1017 cm-3,实现了p型导电。     

对超滤浓缩牛奶工艺参数的研究

牛奶超滤浓缩单元操作工艺能提高浓缩牛奶的倍数为3－4倍。主要工艺参数为：一般温度45－50℃，操作压力25km/cm^2。根据上述条件下的渗透速度和浓缩倍数，来选定合适的膜面流速。     

ABS材料光纤激光打标的工艺参数

利用华之尊HZZ-M300型光纤激光打标设备对白、黄、红和黑4种基底颜色的ABS树脂进行打标,研究不同打标功率(p)和打标速度(v)等打标参数下,激光打标后的效果和质量,并用超景深显微镜观察打标后的微观结构。实验结果表明：不同颜色基底的ABS材料,其激光打标性能不同,基底颜色较深的,其激光打标性能较好,较容易获得好的打标效果。因此,在实际生产应用中,应尽量选用深色基底的材料。同时,实验也得到了不同颜色基底的ABS材料的光纤激光打标工艺参数,能为它们的高效、高质量光纤激光打标提供一定的借鉴。     

锌卟啉功能化薄膜材料的制备与性能综合实验设计

以吡咯、4-氯苯甲醛和醋酸锌等为原料,合成了一种取代四苯基卟啉锌的配合物,用元素分析、红外光谱、紫外-可见光谱和电喷雾质谱等手段表征了其组成和结构。采用静电纺丝法制备了聚丙烯腈(PAN)纤维为载体的含四苯基卟啉锌的配合物复合薄膜材料,研究了其荧光性能。该实验项目涵盖大环化合物的合成、柱色谱分离技术、静电纺丝技术和现代仪器分析技术等诸多知识点,具有综合性和可操作性,用于"现代化学化工实验技术"研究生课程的教学,可以培养研究生的综合实验技能和创新能力。