3d过渡金属掺杂II-IV-V_2黄铜矿半导体的电磁性质

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和N i)掺杂的II-IV-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体进行系统计算.结果发现:V-、Cr-和N i-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),而Mn-、Fe-以及Co-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM).     

ZnO基过渡金属掺杂的磁性来源

由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究。综述了TM掺杂ZnO的磁性起源的三种理论解释,并且调研了几种不同的TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响。     

气相中前过渡金属正离子乙炔络合物M(C2H2)+(M=Sc,Ti,V)的振动频率计算分析

采用密度泛函(DFT)计算方法,在UB3LYP/6-311 G(3d,2p)水平上优化了过渡金属正离子乙炔络合物M(C2H2) (M=Sc,Ti,V)不同自旋态的稳定几何构型,并对此络合物体系的全部振动频率进行了计算和全面分析。结果表明,能量较低的高自旋态M 与C2H2在形成络合物时,M 的价电子要发生翻转,形成稳定的低自旋态络合物。根据频率分析,所计算的振动频率值反映出低自旋态络合物比高自旋态络合物有较强的M-C键,在形成低自旋态络合物的同时,过渡金属正离子M 已活化了乙炔的C-C三键和C-H键。     

LaMnO3的La位掺杂对输运特性和磁电阻的影响

采用固相反应法制备实验所需的多晶样品,主要探讨LaMnO3的La位分别用不同价阳离子掺杂对输运特性和磁电阻的影响,明确指出La位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻(CMR)效应的一种有效途径。实验结果表明:La1-xMxMnO3(M为Ag,Na)多晶样品当0.1相似文献   

双(苯并咪唑-2-叶立德)金属汞(Ⅱ)配合物的合成

N-乙基苯并咪唑与溴乙烷在加热条件下反应生成溴化双(苯并咪唑-2-叶立德)盐,探讨这种配体直接和氧化汞在多种通常的条件下反应,实验表明,都生成双(苯并咪唑-2-叶立德)金属汞(II)配合物.并通过乙醚缓慢渗透培养出单晶,利用X-衍射来测定其分子结构.