外部电场对三角束缚势量子点量子比特概率密度的影响

本文在电子与体纵光学声子强耦合的条件下,用P ekar类型的变分方法,计算出了三角束缚势量子点中电子的基态能量和第一激发态的能量.将量子点中的这样一个二能级体系作为一个量子比特,研究并讨论了不同电子与声子的耦合强度、极角和电场对量子点量子比特概率密度的影响.     

抛物量子点中束缚极化子的性质

利用两种不同的理论方法对抛物量子点中束缚极化子的性质进行了研究.首先是从抛物量子点中电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了外界温度、库仑势、量子点受限长度、耦合强度对抛物量子点中强、弱耦合束缚极化子的基态能量、振动频率及声子平均数的影响.接下来是从处于稳定的磁场抛物量子点中电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了声子之间的相互作用、量子点受限长度、耦合强度和外磁场对弱耦合束缚磁极化子的基态能量及声子之间的相互作用对基态能量贡献的依赖因素.     

电场对抛物量子线中弱耦合极化子的影响

采用线性组合算符法乖变分法研究了电场对抛物量子线中弱耦合极化子性质的影响。在考虑电子与LO声子相互作用和加电场的情况下,计算了抛物量子线中弱耦合极化子的基态能量．数值计算结果表明：抛物量子线中弱耦合极化子的基态能量Eο随电场强度F和约束强度‰的增强而增大,而随量子线长Z的增大而减小．     

抛物量子点中束缚极化子的性质

利用两种不同的理论方法对抛物量子点中束缚极化子的性质进行了研究．首先是从抛物量子点中电子一声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了外界温度、库仑势、量子点受限长度、耦合强度对抛物量子点中强、弱耦合束缚极化子的基态能量、振动频率及声子平均数的影响,接下来是从处于稳定的磁场抛物量子点中电子一声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了声子之间的相互作用、量子点受限长度、耦合强度和外磁场对弱耦合束缚磁极化子的基态能量及声子之间的相互作用对基态能量贡献的依赖因素。     

非对称量子点中杂质束缚极化子的基态结合能

采用线性组合算符和么正变换方法研究了非对称量子点中弱耦合杂质束缚极化子的性质.导出了极化子基态结合能随横向和纵向有效受限长度、电子-声子耦合强度和库仑束缚势的变化关系以及声子平均数随耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:基态结合能随横向和纵向有效受限长度的增加而减少,随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而增大.声子平均数随耦合强度的增加而增大.     

抛物线性限制势量子点量子比特的研究进展

本文综述了近年来对抛物线性限制势量子点量子比特性质方面的部分研究工作,第一节从抛物量子点中电子-声子体系的哈密顿量出发,采用Pekar类型变分方法,得出了抛物量子点中的二能级体系,这样的体系可作为量子计算机的一个基本信息储存单元-量子比特.在此基础上考虑了电子-声子耦合强度,量子点的受限长度,库仑势,外磁场对量子比特的振荡周期的影响,同时给出了电子的概率密度分布随时间的演化.第二节在抛物量子点量子比特中,由于声子的自发辐射造成量子比特的消相干,计算了电子-声子耦合强度,量子点的受限长度,库仑势,色散系数对消相干时间的影响,同时得出了量子比特的密度矩阵随时间的演化过程.     

抛物量子线中的极化子效应

在考虑电子与LO声子和电子与SO声子相互作用情况下,采用微扰法研究圆柱形自由抛物量子线中极化子效应．计算量子线中两种声子对极化子自能和电子有效质量的影响．结果表明：随着量子线半径的减小LO声子对极化子自能和电子有效质量的影响相对小些,而SO声子对极化子自能和电子有效质量的影响却显著增加.     

Ⅲ-Ⅴ族半导体异质界面上负施主中心

讨论了Ⅲ-Ⅴ族半导体异质界面上负施主中心的能量随磁场的变化情况,计算中利用变分的方法,得到描述电子内外轨道参量随磁场的变化情况,同时计及电子与界面声子的相互作用,计算此界面上负施主角动量L=-1三重态的本征能量和束缚能.研究表明界面声子对施主能量的影响显著.     

T_d群的E矩阵表示及T_d对称性系统e声子间耦合的CG系数计算

计算了T_d群下不可约表示E的矩阵表示,探讨了具有T_d对称性系统e声子间耦合的CG系数计算问题,利用群论与对称性分析等数学方法导出了e声子间耦合的CG系数计算公式,最后用所得到的计算公式计算出了这些CG系数值.     

量子阱中强耦合束缚极化子的性质

运用改进的线性组合算符与变分相结合的方法,研究无限深量子阱中强耦合束缚极化子的性质.得到束缚极化子的基态能量和库仑束缚势、阱宽以及拉格朗日乘子的关系.通过数值计算结果表明:当库仑束缚势、阱宽和拉格朗日乘子增大时,基态能量的绝对值增大.     

短波长纳米ZnO／MgO准一维光电材料的晶格振动及电子-声子相互作用耦合特性

基于介电连续模型与Loudon单轴晶体模型,研究了短波长纤锌矿氧化锌（ZnO）材料与闪锌矿氧化镁（MgO）晶体构成的准一维ZnO／MgO纳米线结构的晶格振动特性及相关的电子-声子相互作用耦合函数。结果表明,在准一维ZnO／MgO圆柱形纳米线体系中存在两种极化光学声子模,即界面模与准受限模。均给出了结构中的这两种声子模的声子态及其色散方程。而且,也导出了基于场的量子化方案,体系解析的电子一声子相互作用耦合函数。结果对进一步研究准一维ZnO／MgO纳米线体系的极化子效应对结构的光电平特,陛的影响具有鼋耍囊义     

议量子阱中的界面声子模

使用宏观连续介电方法研究了量子点一量子阱中的界面声子模.对不同阱宽的ZnSeQD-QW结构进行计算取得了具体结果.发现界面声子的本征频率依赖于量子点一量子阱的阱宽度.角量子数越小的界面模能量越依赖于阱的宽度.     

电场对量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响

采用线性组合算符及幺正变换的方法.研究了电场对量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响,得出基态能量和电场强度、阱宽、库仑束缚势、振动频率之间的关系.计算结果表明:随着电场强度的增加,束缚极化子的基态能量增大;随着阱宽的增大,束缚极化子的基态能量减小,且阱宽越小.量子尺寸效应越显著.     

量子计算中的量子点

介绍一种利用量子点中单电子耦合自旋态的方法来实现量子计算中一个或两个量子位门的方案。在Born和Markov近似下，利用组合消相干自旋主方程计算得出量子位的超算子。     

半导体超晶格量子阱中声子运动对电子运动的影响

本文利用寝渐键荷模型研究了ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ（００１）中声子运动对电子运动的影响，导出了量子阱中计入声子影响后电子的波函数。本文的计算结果及理论对于研究超晶格半导体中的声子模及极化子的运动具有重要价值。     

半导体超晶格量子阱中声子运动对电子运动的影响

本文利用寝渐键荷（AdiabaticBOnd－Charge）模型研究了AlAs／GaAs（001）中声子运动对电子运动的影响，导出了量子阱中计入声子影响后电子的波函数．本文的计算结果及理论对于研究超晶格半导体中的声子模及极化子的运动具有重要价值．     

磁场对不同半导体异质结构负施主中心的影响

讨论了两种半导体异质结构中负施主中心（D）能量随磁场的变化情况,计算中利用变分的方法,分析磁场中的电子结构,得到描述电子内外轨道参量随磁场的变化情况,计算此异质结构中负施主角动量L 1三重态的本征能量和束缚能,发现L 1三重态在外加磁场0.053时实现了由非束缚态到束缚态的转变。同时计及电子与界面声子的相互作用,数值计算并对比了界面声子对CdSe（ZnSe）和GaAs（GaP）半导体异质界面上D的束缚能的影响。     

极性半导体和离子晶体中束缚极化子的性质

本文利用两种不同的理论方法对极性半导体和离子晶体中束缚极化子的性质进行了研究.首先是从库仑场中电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法研究强、弱耦合束缚极化子的有效质量、振动频率、声子平均数与外界温度和库仑势的关系.其次是从稳定磁场中离子晶体或极性半导体的电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法在强、弱磁场的条件下讨论了束缚极化子的有效质量,振动频率,声子平均数与外界温度,磁场的变化关系.     

氮化物抛物量子阱中激子的能级及组分效应

考虑到纤锌矿氮化物抛物量子阱(PQW)材料中空穴有效质量和光学声子模的各向异性、声子频率随波矢变化的效应,作者利用LLP变分法研究了纤锌矿抛物量子阱中激子的能级。结果表明:轻空穴激子的基态能量和结合能高于重空穴激子的相应值;抛物量子阱中激子的基态能量和结合能随量子阱宽度和Al组分变化的规律和方量子阱中是一致的。     

耦合通道光学势方法研究电子碰撞氧原子2p43P-2P33s3S0跃迁过程(二)

本文应用动量空间耦合通道光学势方法研究了电子同氧原子碰撞过程,计算了入射电子能量为25eV、30 eV,50 eV,100eV时的微分散射截面,并研究了连续态对散射截面的影响。