二极管的检测

本文通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。     

利用ADS设计电调移相器

文章利用ADS仿真软件高效快速的设计了一种应用于射频预失真系统的电调移相器,采用变容二极管作为相移控制元件。仿真结果显示该移相器能提供范围较大的相移,并且幅度波动较小。     

二极管的种类与应用

依据不同的标准可以把二极管分为不同的类型。本文试图按照用途的不同对二极管进行分类,并简要介绍其工作原理和导电特性。     

浅谈二极管

二极管是用半导体材料做成的最基本的电子元器件之一,也是组成电子电路最基本的元器件之一。可以说,任何一个电子设备的电路组成都离不开二极管,就像组成我们人体的细胞一样。本文简要地阐述了二极管的定义、特性、作用和检测,相信随着科技的日新月异,二极管的运用将会更广。     

二极管钳位电压源型STATCOM的控制与仿真

多电平变换器技术是一种通过改进变换器自身拓扑结构来实现高压大功率的新型变换器技术,多电平变换器技术目前比较常见的有二极管钳位技术、电容钳位技术和级联型多电平变换器技术。以电压源型变换器为例,主要介绍了利用二极管钳位的电压源型多电平变换器的拓扑结构及其在STATCOM上的应用。     

模拟移相器的研究与实践

文章介绍了移相器基本概念,讨论模拟移相器的工作原理,并着重分析一种使用桥T型均衡网络结构的模拟移相器的设计、ADS仿真及实物调试过程,最后给出了元件参数、仿真结果及测试数据。     

基于电荷刷新的二极管箝位型多电平逆变器电容电压均衡控制

提出了一种新颖的二极管箝位型多电平逆变器电容电压均衡控制方法:通过一个均衡电容在一个采样周期内与箝位电容的轮换并联,将电压较高的电容上的电荷,注入到电压较低的电容上,实现电荷的动态刷新,保证各箝位电容电压的基本平衡。该方法所需的硬件电路简单,不增加调制算法的复杂性,且对任意电平具有通用性。不同负载状态下的仿真研究结果证明了该方法的有效性。     

基于SRD的梳状谱发生器仿真设计

本文介绍了一种利用ADS软件仿真C波段梳状谱发生器的方法。主要论述了梳状谱发生电路的设计原理,介绍了一种用ADS软件对阶跃恢复二级管（SRD）的建模方法。利用该方法仿真的梳状谱发生器具有结构简单,频谱纯度高的特点。     

二极管、三极管判断测试仪的设计与自制

设计、制作一种二极管、三极管判断测试仪,能非常直观和方便地对二极管和三极管进行离线或在线测试,从而为电路设计与实验提供器件质量的保障。与万用表的静态测试不同,属于动态测试,能真实反映二、三极管特性,具有重量轻、体积小、线路简单、使用方便等特点。它具有直接判别二极管、三极管的好坏和极极、较准确测出三极管的电流放大系数β值、在板直接判断二极管、三极管的好坏等功能。     

一种快恢复二极管的反向动态漏电流测试方法及测试电路

专利号:ZL200810045621.6项目简介在快恢复二极管的参数中反映二极管开关速度的参数通常是用trr来表征。但是,在实践过程中trr存在许多不确定性。     

肖特基二极管背面金属化工艺技术

本文介绍了肖特基二极管背面金属化原理和制作过程,针对背面多层金属化系统的特点,分析了影响蒸发镀膜质量的原因,提出了相关解决措施。     

用电位差计测二极管伏安特性曲线

本文介绍了应用电位差计测量二极管伏安特性曲线的电路设计,并给出实验结果。     

自扫描光电二极管阵列的输出信号探讨

本文介绍了自扫描光电二极管阵列的基本工作原理,在此基础上主要探讨其在颗粒测试系统中的输出信号特点,最后研究了其输出信号处理电路。     

外延过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响

本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在6英寸111晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长厚度11μm、电阻率1.6Ω·cm的N/N+型硅外延片,作为100V肖特基二极管的衬底材料;实验中,利用SRP、FTIR、CV等测试方法,对材料的电学参数、几何参数以及过渡区形貌进行了测试分析,通过对比不同过渡区结构对肖特基器件I-V特性的影响,总结出外延过渡区与肖特基二极管I-V特性的对应关系,作为材料制备的理论支撑。     

利用反向代理实现对图书馆数据库的"远程"访问

针对读者在家庭电脑上无法访问本单位图书馆数字资源的状况,结合工作实践,提出了用“反向代理”作为校园网外读者访问图书馆数据库的解决方案,并对由此引起的问题进行了思考分析。     

东风4D型机车主整流柜二极管烧损的原因及解决措施初探

介绍了东风4D型内燃机车牵引整流装置的特点，重点对东风4D型内燃机车整流装置二极管烧损的原因及其危害进行了讨论和分析，并且提出了解决措施。     

InGaAs/InP雪崩二极管的温度-电压特性

用InGaAs/InP雪崩二板管进行单光子探测,其工作温度和偏置电压是影响InGaAs/InP单光予探测器探测性能的重要因素.介绍了基于ADN8831控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单光子探测器的精密温度控制的方法;并分析了几组不同温度下光电流、暗电流-电压特性曲线,得出一些结论.     

类比法在《电子线路》教学中的应用

本文简单阐述类比法在电子线路教学中的具体应用方法和例证,对电子教学中的一些抽象问题作出比较简单的解释。     

InGaAs／InP雪崩二极管的温度一电压特性

用InGaAs／InP雪崩二极管进行单光子探测,其工作温度和偏置电压是影响InGaAs／InP单光子探测器探测性能的重要因素。介绍了基于ADN8851控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单光子探测器的精密温度控制的方法;并分析了几组不同温度下光电流、暗电流一电压特性曲线,得出一些结论。     

扩散条件对低压TVS电参数的影响

介绍了制备平面双向瞬态电压抑制二极管(TVS)的工艺方法。通过实验给出扩散温度、扩散时间等对TVS电参数的影响。