戴维南定理在分析低频放大器中的应用

本文从教学角度出发,介绍用戴维南定理在晶体管低频放大器电路分析中的应用,通过用两种方法分析放大器的输出电阻,指出在应用戴维南定理分析含有受控电源的二端网络应注意的地方.     

戴维南定量在分析低频放大器中的应用

本文从教学角度出发,介绍用戴维南定理在晶体管低频放大器电路分析中的应用,通过用两种方法分析放大器的输出电阻,指出在应用戴维南定理分析含有受控电源的二端网络应注意的地方。     

频响曲线的折线逼近法

对于一个附容耦合的单级共射放大电路，由于电路中存在串联耦合电容和射极分路电容，当放大器工作于低频信号时，上述电容的压降增加，放大信号被衰减，使放大器产生了低频限制；同时，由于放大器的输入和输出端又存在晶体管的极间电容、接线分布电容等。对交流而言，它们都是并联在放大器的输人或输出端，当放大器工作于高频信号时，上述电容可视为短路，放大信号被分流，使放大器产生了高频限制。下面我们将首先分析一阶RC网络的频率特性，进而对单级共射放大电路的频率特性进行综合分析。1一阶RC网络的频率特性1，1一阶RC低通网络的频…     

双极型伴随运算放大器的特性及应用研究

应用伴随运算放大器将通用电压模式的电压运放电路转换为电流模式电路，提出一种双极型晶体管伴随运放电路，分析其开环特性，并利用其组成闭环电流放大器和五阶低通滤波器。     

电压并联负反馈放大器的精确分析

一般电了技术基础教材中对各类负反馈放大器均采用以方框图法为基础的近似分析法，本文试图用密勒定理对电压并联负反馈放大器的反馈支路作等效变换，然后用节点法和晶体管y参数模型，对电压并联负反馈放大器的中频增益特性作更精确的分析。     

《电子技术基础》一书中的一点失误

[1]中第二章晶体管低频放大器,第七小节负反馈放大器中用方框图法计算电压并联负反馈放大电路中第(4)步计算电流放大倍数(第103页,倒数第4行)的原文如下: “因为是并联负反馈,所以已知开环电流增益为:     

大功率晶体管在三相异步电动机调速中的应用

本文主要介绍一种简易的调速方式,它是利用大功率晶体管的开关特性,通过脉宽调制器对大功率晶体管的开关放大器开关时间进行探讨,从而达到调节电机转速的目的。     

共基极放大器Y参数等效电路分析

介绍了共基极放大器Ｙ参数的等效电路，通过电路分析了晶体管共基极放大器Ｙ参数及幅频特性、稳定性等有关问题，说明了共基极放大器的优越性及普遍性。     

寄生参数对阻容耦合放大器高频特性的影响

寄生参数对放大器高频特性的影响已在许多书中做过分析,但这些分析都只限于考虑放大电路的外部因素,却忽略了放大电路的核心元件晶体管自身参数的影响.本文就是同时考虑外部和自身两种参数时,分析放大器的高频特性,其分析结果完全与实际情况相符合.     

基于双踪示波器的差动放大器传输特性图示法

大信号作用下的差动放大器的输入—输出关系常用传输特性来表示。在模拟电路实验教学中,若采用具有X—YA、YB工作方式的双踪通用示波器、低频信号发生器、交流电压表可以同时显示出差动放大器两管的传输特性曲线;利用此特性曲线能够观测差动放大器电压放大倍数的线性度,测试出差动放大器的电压放大倍数、动态范围;通过这一测试过程也能够加深学生对双踪示波器工作方式的理解、提高学生运用示波器的技能。     

晶体管直流偏置电路及特点

为了使晶体管正常工作,必须给它设置适当的静态工作点,即 I_B、I_C 和 V_(CE)值。此外,由于晶体管的特性容易受温度的影响,温度的变化也会引起工作点的改变,所以对晶体管放大器不仅要求有适当的静态工作点,而且要求工作稳定。下面介绍一些常见的直流偏置稳定电路,从而对教材中的相应部分进行补充和总结。     

晶体管放大器输出电阻及其计算

输出电阻是晶体管放大电路的重要参量，其大小直接影响放大器带负载的能力，文章通过举例采用三种方法来计算输出电阻。     

多功能晶体管放大器实验装置

我们设计了一种新的“多功能晶体管放大器实验装置”,学生可以在一次实验中,完成三种基本放大器以及反馈放大器实验内容。还可对它们的性能进行比较分析,从而全面地掌握它们的性能,大大节省实验时间,提高实验效果。下面说明该实验装置的电路结构原理及功能、使用方法。1 电路组成及原理 整个实验装置如附图所示。T为3DG6晶体管,S_1,S_E,S_C,S_L为联动单刀三掷测试电路选择开关,每个开关的1,2,3档分别使电路组成晶体管共射极基本放大器,共基极基本放大器和共集电极基本放大器。K_1为单刀三掷开关,用以控制信号源以不同方式给放大器输入信号(R_0为输入电流取样电阻),当K_1置     

2.0GHz差分结构低噪声放大器的研究与设计

设计了一个基于TSMC0.18 μmCMOS工艺的2.0 GHz全差分CMOS低噪声放大器.根据电路结构特点,对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;采用在输入级增加电容和选择小值LC并联网作为差分电路的负载的方法,在改善输入匹配网络特性的同时,提高了电路的增益.仿真结果表明该放大器较好地满足了小信号放大器的指标要求,可以用于射频输入电路的前端.     

大功率晶体管GTR的Pspice模拟

介绍了利用Pspice软件对大功率晶体管GTR的基本特性进行模拟仿真的方法，通过模拟对大功率晶体管GTR的基本特性进行分析，讨论了不同温度对大功率晶体管GTR特性参数的影响。     

高速开关电容放大器的动态频率补偿技术

运算放大器的动态频率补偿技术，是在带开关电容的运算放大器忽略了偏置电压的影响的情况下提出的，在这种情况下，有效地改善了低频小信号和高频大信号相对于传统的静态频率补偿技术的输出特性。     

大功率低频、超低频放大器实现途径及特点

提出了关于无线电低频、超低频频段大功率放大器的实现方法,并介绍了4种放大器的特点。低频、超低频放大器随着应用的发展,所需要的功率等级越来越大,从20世纪50~60年代的几十千瓦到现在的几百千瓦、几兆瓦,尤其是军事、导航和高频加热等领域,几兆瓦的需求比比皆是,放大器的功率从小到大,到超大功率在迅猛地发展。就此提出了基于4种不同功率器件实现大功率放大器的方法及特点。     

演示用晶体管低频振荡器

上学期,我在教学工作中经多次实验,成功地制作了“演示用晶体管低频振荡器”.它可以演示无阻尼低频等幅振荡电流的产生,并定性说明振荡电流的频率跟电感量和电容量之间的关系,使用效果良好.现介绍于后,供同志们参考.一、电路原理与元件选择“晶体管低频振荡器”的电路如图一所示.由     

放大器直流反馈新论

本文首先指出了现行的一些电子学教材对于直流反馈的论述的根本缺陷。然后，根据辩证唯物主义的质量互变规律，以晶体管放大器为例，对直流反馈的基本类型和性质，提出了新的见解。     

基于STM32的晶体管特性曲线测试仪

设计了一种以STM32F103VET6为核心的晶体管输入输出特性曲线测试仪。通过数字电位器实现对待测三极管基极输入电流的阶梯控制,基极驱动电流0~160μA,分辨率达到0.1μA;通过内嵌DAC控制三端稳压电路的输出实现集电极扫描电压的调节,输出范围0~30V,最高分辨率3.18mV;电流的测量首先通过采样电阻转换为待测电压,经仪表放大器进行放大后由内嵌ADC进行采样,采用中位值平均滤波法滤除采样干扰。由STM32F103VET6处理器对所测得参数运算处理,绘制晶体管输入输出特性曲线,通过LCD实时显示晶体管特性曲线及放大倍数hFE值;测试仪还具有与上位机通信的功能,方便实现对所测数据做进一步处理。