人生格言

王占国人生格言 科学是老实的,科学家要做老实人。真理要坚持,谬误一定要修正。文过饰非,弄虚作假,一定要坚决反对。     

新院士主要科技成就(二十二)

王占国半导体材料物理学家。中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室主任，研究员，博士生导师。半绝缘Ⅲ－Ⅴ旅材料国际顾问委员会委员，国家高技术新材料领域专家委员会委员，功能材料专家组组长。１９３８年生于河南省镇平县。１９６２年天津南开大学物理系固体物理专业毕业。在国防科研工作中，取得的人造卫星用硅太阳电池辐照效应研究成果，为我国空间用硅太阳电池定型（由ＰＮ改为ＮＰ）投产起了关键作用。根据ＧａＡｓ热学和强场性质实验结果，与林兰英先生一起提出的杂质控制观点，对我国７０年代末ＧａＡｓ研制方向的转移…     

高迁移率聚合物半导体材料

半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于溶液加工、适用于室温制备等。目前,高迁移率聚合物半导体材料经过多年研发,已经取得了突飞猛进的成果,并且经过不断的创新,诞生了各种结构新颖、性能良好的聚合物半导体材料,不断优化器件制备工艺,使得聚合物场效应晶体管的载流子迁移率从10~(-5_cm~2v~(-1)s~(-1)提升到了36.3cm2v~(-1)s~(-1)。详细地描述了高迁移率聚合物半导体材料的研究现状,分析了高迁移率聚合物在半导体器件设计中的应用情况,从空穴传输型、电子传输型和双极传输型等三个方面分析高迁移率聚合物半导体研发现状,归纳和总结半导体材料,从而可以进一步的为半导体器件构筑提供一定的指导。     

半导体光催化材料的制备及改性

半导体光催化剂有很多种制备方法,本文主要介绍磁控溅射法、溶胶-凝胶法和电沉积法。单一的半导体光催化剂存在一定的局限性,限制了其性能。本文研究了利用肖特基势垒和异质结结构对半导体光催化材料进行改性,提高光催化性能。     

新一代半导体材料新贵GAN

6aN（氮化镓）时代即将到来 在当今半导体材料与器件的研究与应用中，GaN（氮化镓）系材料日益成为世人瞩目的焦点，并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料。以GaN为代表的Ⅲ-V族化合物材料为直接跃迁半导体材料，     

新一代半导体材料新贵GAN

GaN(氮化镓)时代即将到来 　　在当今半导体材料与器件的研究与应用中,GaN(氮化镓)系材料日益成为世人瞩目的焦点,并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料.以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料为直接跃迁半导体材料,包括AlN、GaN和InN及以此为基础的三元合金AlGaN、InGaN、四元合金(AllnGaN)材料.……     

氧化物稀磁半导体的本征铁磁性及其应用

<正>电子具有电荷和自旋两个重要属性,传统的半导体器件仅利用了电子的电荷属性,稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷和自旋属性,成为未来半导体自旋电子器件的关键材料之一。人们期望通过对稀磁半导体材料的研究获得具有非易失、多功能、超高速和低功耗等特性的半导体自旋器件,这对材料和信息技术领域都将是一场质的革命。从上世纪80年代末90年代初,人们就开始关注Mn掺杂III—V族稀磁半导体材料,如(In,Mn)As和(Ga,     

中国科学院院士、半导体材料和材料物理学家王占国——求真求新终不悔

王占国,1938年12月出生于河南省镇平县,1962年毕业于南开大学物理系。1980年在瑞典隆德大学固体物理系当访问学者。1986年破格晋升为中国科学院半导体研究所研究员。1995年当选为中国科学院院士。     

关于掺杂半导体光吸收的研究

掺杂半导体光吸收是半导体材料应用于电子和光电器件的基础。当光场作用在n型掺杂半导体材料砷化镓时,结果表明不同掺杂浓度下光生电子浓度随着弛豫时间的变化而变化,光生电子浓度随着光吸收系数的增加而增加。     

半导体材料的发展现状

工业的快速发展使我国许多行业都得到了相应的发展,半导体行业就是其中最为重要的一个,人们对半导体产品的研究不断深入,其性能得到了进一步增强。纵观半导体材料的发展,其中硅、锗作为第一代半导体材料;砷化镓、磷化铟、磷化镓等为第二段半导体材料;宽禁带(Eg2.3eV)氮化镓、碳化硅以及金刚石作为第三点半导体材料杰出代表。而当前已然进入到光电子时代并不断向光子时代转变。预计第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。     

超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究

半导体照明已成为光电转换效率最高的人工光源,节能效益显著.氮化物半导体材料与器件是半导体照明的"核芯",实现超高能效发光器件是国内外半导体照明研发和产业界追求的目标,对掌握半导体照明科技制高点和产业主导权意义重大. 在国家重点研发计划"战略性先进电子材料"重点专项"超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究"项目(项目编号:2017YFB0403100)的支持下,由中国科学院半导体研究所牵头的项目团队依据半导体照明光源全技术链展开,系统突破材料、芯片、封装与光谱技术,在掌握载流子复合规律基础上建立高效器件模型,通过高质量外延材料提升内量子效率,通过芯片和封装设计提升光提取效率,通过光谱匹配实现高效白光器件,并取得了一系列重要进展.     

半导体材料的性能分析及其应用

社会经济发展为各行各业带来了更大的挑战和更好的发展机遇,对于半导体行业来说,要求材料的更好运用和对技术的不断革新,半导体物理也成为材料物理重要的研究方向。针对这种情况,本文主要阐述半导体的具体含义及其分类,根据不同类型的半导体,对其发展前景进行进行简单的设想和展望,希望为我国的半导体行业发展尽一份绵薄之力。     

权利要求的功能性描述要点

一、半导体领域简介半导体领域广义上包括半导体制造技术领域和半导体集成电路设计技术领域。半导体制造技术领域涉及半导体材料及其制造、半导体器件及其制造、应用、封装和测试技术等。半导体集成电路设计技术领域主要涉及电路设计以及支持电路设计技术的软件平台和设计系统。     

抢占“镓体系”半导体科技制高点 助力实现光电子信息产业的率先突破

“镓体系”半导体材料具有高效光电转换效率和光谱覆盖广的突出优点,是助力实现光电子信息产业突破的关键基础材料。为抢占“镓体系”半导体科技制高点,文章在分析“镓体系”半导体科技的战略意义、重大需求和国内外发展态势基础上,从建制化科研组织、基础研究、自主可控的平台建设等方面对我国发展“镓体系”半导体科技提出了政策建议。     

低温下生物衬底上制备半导体氧化物薄膜

半导体材料由于其优异的特性,近年来成为了材料科学与物理、化学、生物、电子信息技术等交叉学科研究的热点。本文研究了在生物衬底上制备半导体氧化物薄膜材料的工艺与技术,实现了低温下生物衬底上氧化物半导体薄膜材料的制备与研究。     

基于温差发电的水杯式收音机

本实用新型提供一种基于温差发电的水杯式收音机,其特征在于,该水杯式收音机包括一杯体和一收容空间,所述杯体的内壁和外壁分别覆盖有用于构成温差发电组件的第一半导体材料和第二半导体材料,所述收容空间中设置有电池模块和收音机模块,所述电池模块通过与构成温差发电组件的第一半导体材料以及第二半导体材料相连进行充电,所述电池模块还与收音机模块连接,用于为收音机模块提供电力,所述收音机模块包括一组控制按键以及音响模块,所述控制按键以及音响模块位于所述收容空间的外壁。     

观点

要从源头重视基础研究自主创新引领发展,要充分认识基础研究是前沿技术自主创新的一个源头。当今科技发展的一个趋势是,基础性研究、创新性研究与实际可能的应用之间的距离以及时间正在日益变短、变快。比如半导体发光,从半导体发光现象的基础研究到如今半导体光源的实际应用,其间的周期非常短。再比如新能源技术,如何提高太阳能光伏电池的光电转换效率,归根到底还得立足基础研究。同时为了进一步提高太阳能电池的效率,还需要发现新的材料、提出新的构思、设计     

新型半导体材料的性能分析及其应用研究

半导体材料是制作功率器件、晶体管、集成电路、光电器件的基础材料,随着社会不断的进步和发展,直接或间接的影响着人们的生活,同时半导体业的也是物理材料研究的主要方向之一,因此本篇文章对新型的半导体材料的性能以及其应用前景进行了分析和概述。     

学术带头人:博士生导师陈治明教授

陈治明为中国科学院理学硕士,西安理工大学校长;半导体器件与微电子学教授,电力电子技术学科博士生导师。 1969年北京机械学院工程经济系毕业后留校在半导体材料与器件教研室任教;1978年入中国科学院研究生院半导体材料物理专业学习,1981年毕业后留中国科学院半导体研究所从事半导体材料物理学研究;1982年赴加拿大     

锑化物半导体开拓先锋——记中国科学院半导体研究所研究员牛智川

<正>半导体,与计算机、原子能、激光科技并称为当代科技文明标志性四大领域。半导体科技经过约70年的发展,科学理论不断完善,材料器件应用日益广泛,已经成为世界各大国强盛的战略根基。我国科技界将半导体材料体系的拓展称为三代半导体,也就是硅或锗基、砷化镓或磷化铟基、氮化镓或碳化硅基材料三大体系。基于这三代（类）半导体形成的大规模集成电路与计算机技术、高速光纤通信与互联网技术、高功率电力电子与能源技术等诸多重大战略应用价值方向,不断推动现代信息技术、能源技术以及人工智能技术的进步和发展。