用离子束增强沉积法制备In-N共掺杂ZnO薄膜

用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶.在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜.在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜.初步研究了INZO共掺杂薄膜的电阻率随退火条件的变化.     

常压MOCVD法制备TiO_2薄膜及性质研究

利用常压MOCVD法在Si及Al2O3衬底上制备了TiO2薄膜.研究了沉积温度和退火温度对TiO2薄膜结构和形貌的影响,以及TiO2薄膜的光学性质.研究发现,沉积温度为600℃时,制备的TiO2薄膜结构为锐钛矿相,薄膜质量较高.TiO2薄膜在1 090℃高温退火后,薄膜结构完全转变为金红相.TiO2薄膜在可见区域有着高达90%以上透射率,在紫外区域有着强烈的吸收.     

一维GaN纳米结构的制备、表征及其特性研究

采用在石英炉中,氨化Ga2O3薄膜的方法,在Si（111）衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜：纳米线、纳米棒．分别用X射线衍射仪（XRD,Rigaku D／Max--rB Cu Ka）、傅立叶红外透射谱（FTIR,TENSOR27）、扫描电子显微镜（SEM,Hitachi S-570）、高分辨电镜（HRTEM,Philips TECNAIF30）和光致发光谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了测量分析．最后,简要的讨论了其生长机制．     

沉积时间对非晶碳/Mo_2C混合薄膜场发射性能的影响

在Al2O3衬底上采用微波等离子体增强化学气相沉积(MPCVD)系统中沉积薄膜,反应气体为CH4、H2。从样品的Raman谱中可以分析出薄膜中含有非晶碳成分。XRD有明显的晶态Mo2C衍射峰,所制备的薄膜为非晶碳/Mo2C混合膜。在高真空室中测量了样品的场发射特性,其开启场强为0.55 V/μm,在1.8 V/μm电场下测得样品的场发射电流密度为6.8 mA/cm2。CCD图中可以看到样品有比较好的发光特性。研究了在一定反应条件下,沉积时间对样品场发射特性的影响,4 h制备的样品场发射性能最好。良好的场发射性能决定了所制备的样品是一种好的场致发射体。     

无机溶胶—凝胶途径制备V2O5薄膜的实验研究

在分析纯V2O5粉末为原料，H2O2为溶剂，采用溶胶－凝胶（Sol-Gel)工艺，以无机途径成功制备了V2O3薄膜。研究了在不同衬底上制备薄膜的可行性及工艺过程，不同温度热处理及不同厚度V2O5薄膜的透射光谱及300℃热处理薄膜的温阻特性。实验发现在石英玻璃及普通载玻片上可制备均匀透明度的薄膜，100℃热处理的V2O5薄膜透光性能最好，而300℃热处理V2O5薄膜在紫外及近紫外线区（350nm-450nm)的吸收率最高。该工作对于V2O5光电薄膜的面积，低成本制备具有一定的参考价值。     

溶胶-凝胶法制备BiFO3薄膜的结构研究

运用溶胶-凝胶（sol-gel）法,在SiO2／Si衬底上制备了BiFeO3薄膜．研究表明,退火温度、退火时间分别为500％、1h的条件下,并且运用XRD及表面扫描电镜（SEM）分析,可制备出纯相的BiFeO3薄膜,R3m点群．     

不同形貌氧化锌纳米结构的水热合成、表征和场发射特性

以Zn（NO3）2.6H2O和NaOH为原料,采用改进的水热法通过控制反应溶液的浓度、反应温度和反应时间等沉积参数,合成了包括氧化锌纳米棒阵列、蜂窝状氧化锌纳米棒、花状氧化锌纳米棒等纳米结构.用XRD、SEM和HR-TEM对样品进行了表征,结果表明所制样品为六方纤维锌矿结构的ZnO晶体;SEM测试结果显示ZnO晶体的形貌呈花状和蜂窝棒状等形貌,HR-TEM结果表明单晶纳米棒沿[0001]方向生长.研究了玻璃衬底上装配的花状氧化锌纳米棒的场发射特性,测试结果表明花状氧化锌纳米棒具有优良的场发射;开启场强为4.3V/μm,当场强为8V/μm时,发射电流密度达到2.2mA/cm2.     

0.9Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5))O_3-0.1PbTiO_3/PbTiO_3多层薄膜制备及铁电性研究

以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3/PbTiO3铁电多层薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量.研究发现,原位生长的薄膜已经具备了较好的铁电性,这为(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-x0.1PbTiO3薄膜的低温制备提供了可能性.经过退火后,薄膜的铁电性略有下降,高温下铅的损失可以很好的解释这一现象.     

MOCVD法生长ZnO纳米管及光学性能评价

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)方法在Al2O3(1 1 2 0)衬底上生长高质量的ZnO薄膜,在衬底温度450℃及生长舱压力40 Pa的条件下,我们得到了ZnO纳米管.利用X射线衍射(XRD)对样品的结构进行了分析,利用光致发光(PL)对样品的光学性能进行了评价.     

溅射功率对掺镁氧化锌薄膜结构及厚度的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺镁氧化锌薄膜,利用SEM(扫描电镜)、XRD(X射线衍射)和椭偏仪等设备研究薄膜的表面形貌、成分、结构和厚度.结果表明,溅射功率没有对薄膜的生长方向产生较大影响,当溅射功率在40 W到100 W之间变化时,随着溅射功率的增大薄膜的结晶状况变好,晶粒尺寸变大,薄膜的厚度增加.     

掺铁镍酸镧LaNi1-xFexO3薄膜制备及其性能

采用溶胶-凝胶法（Sol-gel）在p-Si（111）衬底上制备掺杂铁酸镧（LaNi1-xFexO3,LNF）（x=0,0.2）薄膜,在700度退火处理后,利用X-射线衍射仪对薄膜样品进行结构分析,测试表明样品为六方晶系的钙钛矿结构.     

衬底状态及热处理对Sm-Fe GMFs磁致伸缩性能的影响

采用IBS法在锡青铜衬底上溅射沉积Sm-Fe非晶态超磁致伸缩薄膜,研究衬底的表面状态和薄膜热处理对Sm-Fe薄膜磁致伸缩性能的影响.实验结果表明,锡青铜衬底状态对Sm-Fe超磁致伸缩薄膜磁伸性能有很大影响.样品经过200℃真空热处理后,100 mT内dλ/dH值从制备态Sm-Fe薄膜的0.71×10-3 T-1提高到2.48×10-3 T-1,薄膜低场磁敏性得到显著提高.     

强紫外发射ZnO薄膜的溅射方法制备及表征

采用直流反应溅射方法在N型Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的晶体结构采用X射线衍射技术来表征,测量结果表明制备的样品是沿c轴高度取向的六方纤锌矿结构的多晶薄膜.扫描电子显微镜测量显示薄膜的表面粗糙度较低,且ZnO与Si衬底的边界线清晰,结构致密.此外,利用室温光致发光谱研究了薄膜的光学性能,ZnO薄膜的室温光致发光谱(PL)只有位于377nm处的一个很强的紫外峰,这与材料内的激子复合有关.此外对薄膜进行了拉曼散射的研究,拉曼频移的计算结果表明溅射生长的薄膜中存在张应力(0.25Gpa).     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜晶体结构和发光特性的研究

采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）旋涂法在Si（100）衬底上制备ZnO薄膜，在室温下利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、光致发光谱（PL）等手段分析所得ZnO薄膜的晶体结构和发光特性．结果表明：当热分解温度为400℃，晶化温度为450℃～650℃时，溶胶．凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜样品属六方纤锌矿结构，ZnO薄膜呈现沿各个晶面自由生长的特性；在室温下均有较强的紫外带边发射峰，这表明带间跃迁占了主导地位，与缺陷有关的可见发射带很弱．以上结果说明：溶胶．凝胶法制备的ZnO薄膜质量较高．     

衬底温度对Zn095Ca005O薄膜结构和光学性质的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn095Ca005O薄膜,用X射线衍射（XRD）研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350－400nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。     

退火温度对NZFO铁氧体薄膜磁性能的影响(英文)

采用化学溶液沉积法在Si(001)衬底上制备Ni0.7Zn0.3Fe2O4铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有单相的尖晶石结构;扫描电子显微镜结果表明样品平均颗粒尺寸随着退火温度的上升从10 nm增加到32 nm。NZFO铁氧体薄膜磁性能与退火温度有强烈的依赖关系,薄膜的矫顽力从退火温度为500℃时的25 Oe增加到900℃时的80 Oe,饱和磁化强度也由146emu/cm3增加到283 emu/cm3,这对于现代电子器件微型化有着非常重要的意义。     

V2O5光电薄膜的溶胶——凝胶制备及性能研究

以V2O5为原料，苯甲醇，异丁醇为溶剂，采用溶胶0－凝胶（Sol-Gel）工艺制备了V2O5薄膜。采用差热－失重（DTA－TG）、付里叶红外光谱（FT－IR）、X－射线衍射（XRD）等分析手段研究了V205薄膜的结构特性。并研究了V2O5薄膜的透射光谱、气敏、伏安特性及温阻特性。实验发现沉积在ITO导电玻璃衬底上的V2O5薄膜，烧结温度起高,透光性能越好；V2O5薄膜在常温下对NOx气体具有一定的气敏性能。     

(110)取向镍酸镧导电薄膜的制备及性能研究

采用化学溶液法在SiO2/Si(100)衬底上制备了LaNiO3导电薄膜,研究不同热解温度、不同薄膜厚度对LNO薄膜结构和导电性的影响,结果发现薄膜均呈现(110)择优取向生长,尤其是650°C退火6层的薄膜(110)相对取向度最大为2.05,750°C退火的薄膜电阻率最小,且电阻率随时间和厚度的增加而变大.     

溶胶-凝胶法制备BiFeO_3薄膜的结构研究

运用溶胶-凝胶(sol-gel)法,在SiO2/Si衬底上制备了BiFeO3薄膜.研究表明,退火温度、退火时间分别为500℃、1 h的条件下,并且运用XRD及表面扫描电镜(SEM)分析,可制备出纯相的BiFeO3薄膜,R3m点群.     

ZnO外延薄膜的制备及孪晶的形成

采用螺旋波等离子体辅助溅射沉积法在衬底Al2O3的(0001)面上沉积ZnO薄膜,所生长的薄膜在未退火和退火时表现出不同的平面内取向.未退火时薄膜表现出较好的单筹异质外延生长,而退火后薄膜的Φ扫描图像中出现了12个峰,这表明退火后薄膜出现反相筹,表现为孪晶生长.重点分析了退火对螺旋波等离子体辅助溅射技术外延ZnO薄膜的结构及表面形貌的影响规律,为外延ZnO薄膜质量的提高及该技术应用的探索奠定基础.