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全威 《内蒙古科技与经济》2013,(9):86-89
综述了近年来人们对SiO负极材料的研究进展以及改善其电化学性能的方法,讨论了目前SiO负极材料面临的挑战,并提出了一些可能的解决办法,指出了其研究前景。 相似文献
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硅是微电子技术的材料基础。为了发展光电子集成就必须研究硅基发光材料。多孔硅是硅基发光材料的一个重大突破,并实现了多孔硅发光二极管与集成电路的集成。同时,硅基发光材料研究的纵深发展,出现了发光强、稳定性好的硅基多孔SiC蓝光发射材料和发光波长范围宽的纳米半导体镶嵌SiO_2发光材料。硅基镶嵌纳米发光材料是一个富有活力,有应用前景的研究领域。 相似文献
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随着信息(IT)业的迅猛发展,便携式电器如移动电话、笔记本电脑以及摄(照)相机大量出现,这对作为电源的可充电(蓄)电池提出了更高的要求,刺激了它的发展。在这种形势下,1991年日本索尼公司成功研究开发了钾离子电池。与传统的可充电电池如铅酸电池、镍镉电池、镍氢电池相比,锂离子电池具有能量密度大(小型和轻量化)、电压高、自放电小、无记忆效应和不含铅、铜等有害物质等特点,因而问世后迅速占领市场,倍受各国重视,用途急剧扩大,性能不断提高。近两、三年来,移动电话、笔记本电脑、摄相机几乎全部使用了锂离子电池… 相似文献
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采用改性的hummers法制备了氧化石墨,并与二水醋酸锌溶液、NaOH水溶液及水合肼反应制备出氧化锌—石墨烯(GZO)粉末。通过激光显微拉曼光谱仪、X射线衍射仪、场发射扫描电镜等,分析了所制备的GZO的结晶性能、微观形貌,并与氧化锌—铝(AZO)的电阻率、透光率进行了比较。结果表明:GZO的透光率在可见光波段与AZO相差不大,但在紫外光(200~380nm)波段,AZO的透光率为20%,而GZO的透光率达到了50%,透光效果明显优于AZO;AZO的电阻率一般在10-2~10-4Ω.cm,GZO的电阻率为1.03×10-5Ω.cm,导电性也优于AZO,所以理论上GZO更加适合作为TCO玻璃的材料。 相似文献
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自问世起,石墨烯就被当作21世纪的“神奇材料”,在科学界掀起巨大的波澜。其非比寻常的导电导热性能、超出钢铁数十倍的强度和极好的透光性等等属性引无数科学家“竞折腰”,有人认为石墨烯将是昂贵的硅的“终结者”,并对此欢呼不已。尽管如此,仍然有科学家在种种纷乱的喧嚣中保持冷静态度。 相似文献
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运用基于密度泛函理论的第一性原理计算了对Li4Ti5O12体系进行Ti位掺杂后的各种属性,包括掺杂后的晶格参数,优化体积,体系总能以及嵌入电压等。计算结果显示对体系掺入少量Mn原子会使体系体积收缩,并且会降低体系的平均嵌入电压。更有趣的是,靠近Mn原子的八面体TiO6结构出现扭曲,且有发生了Jahn-Teller效应。 相似文献
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铸造铝硅合金的组织中的硅相以及粗大的树枝晶会严重影响合金的性能,传统的变质细化对组织的改善能力较为限。目前国内外已有利用半固态成形技术来控制合金中的初生相,并且对于组织控制机理也有一定的研究成果,本文综述了各种半固态成形方法的效果及机理,并展望了铝硅合金半固态成形技术的研究前景。 相似文献
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红光器件是通信领域各种光纤跳线、尾纤以及光纤线路维护等的重要捡测工具。而目前,红光光源的制备材料均为三五族材料的化合物半导体,如掺磷砷化镓等。为了降低成本研究制备出硅基红光光源是非常好的选择。本文中介绍了应用常规的等离子体增强化学气相淀积技术制备基于碳化硅的Fabry—Pemt结构全固态一维平面微腔。在488nm的激光激发下得到线宽为11nm,品质因子为59,峰位在646nm的发光谱线。与有源层的发光相比强度增强了2倍。为实现硅基光源在通信领域的应用奠定了基础。 相似文献
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有机硅改性丙烯酸树脂的制备 总被引:7,自引:0,他引:7
有机硅改性丙烯酸树脂(硅丙树脂)的制备方法主要分为物理共混法和化学改性法.综述了近年来关于硅丙树脂制备方面的研究进展,并详细介绍了乙烯基大分子硅单体的制备过程以及硅丙树脂制备过程中乳化体系、单体种类和加料方式等因素对产品性能的影响. 相似文献
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镁合金是目前工业上最轻的金属结构材料,密度只有1.74-1.85g/m3,镁合金具有高的比强度、比刚度,优良的机械加工性能和铸造性,良好的阻尼减震性、高的热导率和优良的电磁屏蔽性能以及可回收利用等,被认为是二十一世纪最具有开发和应用潜力的绿色材料。 相似文献
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综述了近年来铝合金表面改性技术取得的研究进展,重点介绍了激光熔覆、阳极氧化和等离子体微弧氧化等方法在铝合金表面制备膜层的原理、特点及研究成果,并对等离子微弧氧化技术提出了展望。 相似文献
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《中国科学院院刊》2009,(4):439-439
物理所/北京凝聚态物理国家实验室杜小龙研究组,与微加工实验室的顾长志研究组合作,设计并制备了一种新型n-ZnO/i—MgO/p—Si双异质结p—i-n可见肓紫外探测器原理型器件。该器件具有良好的pn结整流特性,在±2V时的整流比达到10^4以上。研究发现ZnO/Si中间插入的MgO势垒层有效地抑制了硅对可见光的响应,器件只对高于ZnO带隙(380nm)的紫外光响应,因而具有可见肓紫外光探测功能。与市售的硅紫外光电探测器相比,该器件充分利用了宽带隙ZnO卓越的光电性能,紫外光响应强。并可直接在可见光背景下工作,不需要滤光系统来屏蔽可见光的响应,因而具有结构简单、性能优越等优点。 相似文献