热处理时间对IT0薄膜显微组织及光电性能的影响

采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了ITO薄膜,研究了后续热处理时间对ITO薄膜显微组织及光电性能的影响。研究结果表明:随着热处理时间的延长,ITO薄膜的微观形貌发生了很大的变化,出现了小丘生长并伴随着回复与再结晶过程,严重影响了ITO薄膜的光电性能。     

ITO薄膜的电学性能研究

以In金属和SnCl4·5H2 O作为原材料 ,采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了高质量的ITO薄膜 ,并分析了Sn掺杂时、热处理温度、热处理时间三种工艺参数对ITO薄膜电学性能的影响 ,确定了ITO薄膜的相组成     

半导体薄膜研究型实验教学的探索与实践

研究型实验教学是培养学生创新意识和创新能力的重要环节,论文以ITO薄膜为例,围绕ITO薄膜光电学性能,介绍了半导体薄膜研究型实验教学的内容和实施方法,激发了学生的科学研究兴趣,探讨了研究型实验教学对培养学生创新思维和科研能力所起的作用。     

Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征. Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1eV;Ga2O3(45 nm)/ITO(14 nm)/ Ga2O3(45 nm)膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/ Ga2O3膜的光电性质.     

无机溶胶—凝胶途径制备V2O5薄膜的实验研究

在分析纯V2O5粉末为原料，H2O2为溶剂，采用溶胶－凝胶（Sol-Gel)工艺，以无机途径成功制备了V2O3薄膜。研究了在不同衬底上制备薄膜的可行性及工艺过程，不同温度热处理及不同厚度V2O5薄膜的透射光谱及300℃热处理薄膜的温阻特性。实验发现在石英玻璃及普通载玻片上可制备均匀透明度的薄膜，100℃热处理的V2O5薄膜透光性能最好，而300℃热处理V2O5薄膜在紫外及近紫外线区（350nm-450nm)的吸收率最高。该工作对于V2O5光电薄膜的面积，低成本制备具有一定的参考价值。     

共溅射法金属掺杂透明导电ITO薄膜的研究进展

论述了磁控共溅射法在透明导电ITO薄膜中掺杂其他的金属材料的重要性,综述了采用该方法在ITO薄膜上掺杂Zn、Ag、Mn等金属材料后,薄膜光谱透射率的变化,并且对掺杂之后ITO薄膜的结晶情况、微观机理的变化、导电性能与光谱透射特性的内在联系进行归纳总结。     

磁控溅射法制备氧化镓薄膜

随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一。氧化镓薄膜具有结构简单、成本低廉、响应快、便于制造的优点,而且还有很高的化学稳定性。它作为一种新型的气体传感器材料近年来日益受到重视。本文研究了通过磁控溅射法制备氧化镓薄膜时,不同的热处理温度对氧化镓薄膜结晶质量的影响。并利用X射线衍射仪,紫外可见透射光谱,对氧化镓薄膜的结构性能及表面形貌进行了测试和分析。     

溶胶-凝胶法制备氧化钒薄膜的结构及特性研究

利用溶胶-凝胶法制备了氧化钒薄膜,在大气环境及400℃下、对产物进行不同时间的退火处理。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、高阻仪、紫外-可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪,对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性等进行了系统的分析。结果表明,退火时间明显地影响溶胶-凝胶法制备氧化钒薄膜的化学结构及光电性能:退火时间过短,薄膜中有机成分不能完全分解、并且结晶度低;退火1h时,薄膜主要成分为V2O5和VO2,此时薄膜电阻低、但光吸收性弱;退火2h以上,薄膜中的主要成分为V2O5,此时薄膜电阻变大、但光吸收性有所加强。研究了退火时间对溶胶-凝胶制备氧化钒薄膜的化学结构及光电特性的影响,揭示了相关的微观机理。     

混合等离子体处理ITO表面对OLED性能的影响

氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)具有高透光率、导电性能好等特点,作为阳极材料广泛应用于有机电致发光器件(Organic Electro-luminescent Device,OLED).但是,ITO的表面功函数与器件内的空穴传输层NPB的最高电子占有轨道(highest occupied molecular orbital,HOMO)之间存在较高的势垒,导致器件的驱动电压高、工作效率低、寿命短等问题.科学家经研究后发现ITO经氧等离子体的处理可大大提高空穴的注入和器件的稳定性.实验利用不同功率的混合等离子体对ITO进行不同时间的处理,使得ITO功函数大幅提升,优化了器件的性能.实验发现当使用功率为70 W的混合等离子体处理ITO时间长达15 min时,器件性能最优.相比未用等离子体处理的器件,启动电压低至3 V,最大亮度达到8 676 cd/m2,亮度提高了约1.4倍.     

衬底状态及热处理对Sm-Fe GMFs磁致伸缩性能的影响

采用IBS法在锡青铜衬底上溅射沉积Sm-Fe非晶态超磁致伸缩薄膜,研究衬底的表面状态和薄膜热处理对Sm-Fe薄膜磁致伸缩性能的影响.实验结果表明,锡青铜衬底状态对Sm-Fe超磁致伸缩薄膜磁伸性能有很大影响.样品经过200℃真空热处理后,100 mT内dλ/dH值从制备态Sm-Fe薄膜的0.71×10-3 T-1提高到2.48×10-3 T-1,薄膜低场磁敏性得到显著提高.