精确测定点阵常数的探索

晶体的点阵常数是晶体的重要参数,它的改变是极细微的.若要发现这些细微改变,必须对晶体的点阵常数进行精确测定.     

一类晶体试题的快速解法

关于晶体的组成、结构、密度和阿伏加德罗常数关系的计算，不断出现在近年的高考试题、竞赛试题里，难度较大．这类题目的解题方法，我们可以根据1mol晶胞(晶体中具有代表性的最小重要结构单元)的质量建立如下关系式求解：VρNA=ZM式中V是一个晶胞的体积，ρ是晶体的密度，NA是阿伏加德罗常数，M是该物质的摩尔质量，Z是1mol晶胞含该物质的物质的量．     

应变层超晶格晶体结构分析

本文分析了应变层超晶格晶体材料的结构特征，得到在平行于超晶格生长方向的内平面上，每个应变层的晶格常数都是相同的结论，并利用错配度的概念推导了晶格常数的表达式。     

晶体常数α、β、γ与α^＊、β^＊、γ^＊的几何关系

研究晶体常数α、β、γ与α^*，β^*，γ^*之间的几何关系，给出了它们在球面上的表示。     

Mg:Er:Yb:LiNbO3晶体的结构和光学性质

采用阳离子掺杂方法制备了Mg:Er:Yb:LiNbO3晶体,获得了光折变效率高和不影响其它性能的激光晶体.为了探究铌酸锂晶体的微观结构对光学性质的影响,测量了Mg:Er:Yb:LiNbO3晶体的折射率和晶格常数.分析了晶格常数变化的因素和寻常光折射率、非常光折射率变化的因素,这两种性质与Er3 /Yb3 成分的关系不是完全单调变化的,在晶体中,Er3 /Yb3 浓度在1.1—1.2mol%范围内时观察到异常变化.给出了铌酸锂晶体结构对折射率影响的关系,Er3 /Yb3 掺杂LiNbO3晶体的两个主折射率随晶格畸变ca增大而增大.Er3 /Yb3 双掺杂对折射率和晶格常数的变化行为可以用稀土离子浓度影响锂空位浓度和稀土离子在晶体内的位置来解释.     

一维铝/铅匀直杆状声子晶体带隙特性分析

通过单一改变组分材料铝或者铅的密度,以及单一改变晶格常数的取值来调节一维铝/铅匀直杆状声子晶体的带隙分布情况。结果表明：该声子晶体中,当单一增大每种材料的密度时,散射体与基体材料的密度差值增大,其入射波散射就更为强烈,也就越容易产生低频带隙;当单一增大声子晶体的晶格常数,即增加复合结构的长度时,入射波散射得就越多,透射波就越来越少,该声子晶体带隙便呈现出向低频率区域靠近的特性。     

NaCl晶体马德隆常数理论研究

采用Evjen晶胞法并结合Matlab软件编程,研究了NaCl晶体的马德隆常数.计算结果表明：一维、二维和三维NaCl的马德隆常数分别是1.38629,1.6148和1.7475,这与实验值和其他理论结果符合得非常好.     

ZnGeP_2晶体力学性质的第一性原理研究

基于第一性原理密度泛函理论,采用广义梯度近似的赝势平面波方法计算了中红外非线性光学材料ZnGeP_2晶体的几何结构,弹性常数和力学性质.利用计算得到的平衡晶格体积附近不同原胞体积所对应的晶格总能量,通过拟合Birch-Murnaghan状态方程,得到了ZnGeP_2晶体的体弹模量B0以及其对压力的一阶导数B′0.利用计算得到的弹性常数Cij,我们获得了ZnGeP_2晶体的剪切模量G,杨氏模量Y,泊松比ν,各向异性因子A等力学性质.     

高温下钼的弹性和热力学性质第一性原理计算

通常晶体熔化时弹性常数C44和(C11-C12)/2就将消失,由此提出晶体熔化的力学判据.本文采用第一性原理研究了高温下钼的弹性性质,并且得出结论:在计算温度范围内钼没有熔化并且弹性常数C11、C12、C44随着温度的升高逐渐减小.最后采用准谐德拜模型方法对钼的热力学性质进行了研究,得出了比较好的结论.     

在低频区具有大带隙的长方晶格二维光子晶体

利用降低光子晶体的对称性来提高绝对禁带宽度，在长方网格边上加正方介质柱而构成像素型长方晶格二维光子晶体，用快速平面波展开法计算其能带结构，通过参数优化，在低频区找到最大绝对禁带宽度△ωe=0．119ωe（ ωe=2πc／a，a为晶格常数，c为光速），绝对禁带中心频率ωmid=0．829ωe，△ω/ωmid=14，4％。     

晶体马德隆常数的几种计算方法

通过分析马德隆常数的三种计算方法和其相应的使用范围,得出不同晶体结构下相应的计算方法和使用范围.     

The madelung constant of the sodium chloride crystal lattice

An analysis of the Madelung constant of the sodium chloride crystal lattice has been made, in an effort to supplement information available in undergraduate textbooks. A method of approximation of the constant using the personal computer is presented. An erratum to this article is available at .     

离子化合物点阵能公式的改进

在前人经验的基础上 ,通过分析晶体内部点阵点的电位与马德隆常数和阳离子有效核电荷数Z + ,以及阴离子所带形式电荷Z-的关系 ,改进了点阵能的计算公式为 :V0 =1389.75∑Z0 .80 61Z + · n Z-r0( 1- 0 .34 2r0)。{n =0 .2 5(Z+ - 1) 2 +2 }该公式具有参数易得 ,适用性广 ,计算误差小等优点。     

铝单晶价电子能带结构的第一性原理计算研究

基于密度泛函理论框架下平面波赝势法的VASP软件包。根据任意给定的一个晶胞棱边长度在原胞内求解Kohn—Sham方程,在计算得到的4．05A这个晶格常数的基础上,分析计算了铝晶体的能带结构。其结构图和前人所得到的结果相符,同时还得到了铝的价电子具有较大的非局域性、共价性强的特点．     

CeO2掺杂对BaTiO3系统微观结构及介电性能的影响

对稀土氧化物CeO2掺杂的BaTiO3系统微观结构和介电性能进行了研究。结果表明,在BaTiO3陶瓷中掺杂CeO2会产生细晶效应、介电常数增大以及介电损耗减小等现象。由X射线衍射仪（XRD）计算可知,c轴变长,a轴变短,增强,Ti^4＋“自发极化强度,因而介电常数有所提高。由于Ce^4＋离子进行A位取代,Ce^4＋离子半径（0．103nm）小于Ba^2＋离子半径（0．135nm）,导致晶格常数有所减小,居里温度向低温移动。掺杂CeO2的摩尔分数为0．5％的BaTiO3陶瓷在1240℃下烧成的主要性能指标为：室温介电常数ε25℃≈3160,介电损耗-0．9％,-55℃到125℃范围内最大电容量变化率不超过±15％。     

不同常数液晶光栅的三基色透射特性研究

选取向列相液晶MLC-7700-100制备液晶光栅,三种液晶光栅的光栅常数分别为200μm、100μm、66.7μm,采用与计算机相连的UV-Vis 8500型双光束紫外/可见分光光度计,在温度为25℃的环境下.同时对液晶光栅施加频率为f=100Hz的交流电信号.研究在电压驱动下,不同光栅常数液晶光栅红(R)、绿(G)...     

CeO_2掺杂对BaTiO_3系统微观结构及介电性能的影响

时稀土氧化物CeO2掺杂的BaTiO3系统微观结构和介电性能进行了研究.结果表明,在BaTiO3陶瓷中掺杂CeO2会产生细晶效应、介电常数增大以及介电损耗减小等现象.由X射线衍射仪(XRD)计算可知,c轴变长,a轴变短,增强Ti4+自发极化强度,因而介电常数有所提高.由于Ce4+离子进行A位取代,Ce4+离子半径(0.103 nm)小于Ba2+离子半径(0.135 nm),导致晶格常数有所减小,居里温度向低温移动.掺杂CeO2的摩尔分数为0.5%的BaTiO3陶瓷在1 240℃下烧成的主要性能指标为:室温介电常数ε25℃a≈3 160,介电损耗≈0.9%,-55℃到125℃范围内最大电容量变化率不超过±15%.