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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 359 毫秒
1.
在对锰氧化物的晶体结构、电子结构和电子态及其CMR效应的可能机理进行全面论述的基础上 ,报道作者对La0 .67Ca0 .33MnO3掺Ga磁电阻的研究。实验结果表明Ga掺杂破坏了DE作用 ,使电阻率上升而磁有序转变推移到低温。但值得强调指出的是 ,Ga掺杂使磁电阻效应显著提高 ,证明Mn位元素替代是提高CMR的一种可能机理  相似文献   

2.
采用固相反应法制备实验所需的多晶样品,主要探讨LaMnO3的La位分别用不同价阳离子掺杂对输运特性和磁电阻的影响,明确指出La位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻(CMR)效应的一种有效途径。实验结果表明:La1-xMxMnO3(M为Ag,Na)多晶样品当0.1相似文献   

3.
Mn位掺杂是调整稀土锰氧化物中Mn3+-O2--Mn4+网络的一种十分有效的方法,对理解稀土锰氧化物材料的物理机制和微观机理具有重要作用。在Ln1-xAxMnO3体系中,当x=0.3左右时,Mn位微量掺杂即可破坏原有的长程铁磁有序与金属性共存,而产生团簇玻璃型(短程)铁磁有序行为;多数情况下,TP降低,对应的峰值电阻率ρp急剧升高,居里温度TC降低,CMR效应增强。当x=0.5时,通过在Mn位掺杂可以使反铁磁绝缘母体产生铁磁金属性行为;电阻率急剧降低,出现CMR效应。  相似文献   

4.
通过大量查阅资料并结合我们自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室多年对钙钛矿氧化物CMR(庞磁电阻)效应研究,综述了钙钛矿氧化物研究现状;阐述了钙钛矿氧化物庞磁电阻产生的机制:钙钛矿氧化物的磁电阻效应大多用双交换机理进行解释,虽然双交换机理能够定性地解释若干重要的实验结果,但定量地与实验相比较却碰到困难,单独由双交换机理计算所得的电阻率远低于实验值,而居里温度TC的理论值远高于实验值,指出必须考虑Jahn-Teller畸变,并指出研究Jahn-Teller畸变的途径.为研究钙钛矿氧化物的磁电阻效应指明了方向.  相似文献   

5.
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Co掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。本文对不同方法及条件制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了归纳总结,分析发现铁磁性可能源于载流子调制、晶格中的氧空位、杂质相、交换作用等。  相似文献   

6.
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Mn掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。文章对不同方法及条件制备的Mn掺杂以及Mn与其它元素共掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了整理和归纳。总结发现,铁磁性可能源于样品的内禀性、晶格中Zn替代、缺陷、裁流子调制等。  相似文献   

7.
采用射频溅射法在单晶硅基片上沉积了(FE88ZR7B5)0.97CU0.03软磁薄膜样品,对制备态样品进行了直流电流退火处理。结果表明,最佳退火电流为800 MA,在13 MHZ频率下,最大纵向巨磁阻抗比从制备态的8%上升到最佳退火态的17%,明显提高了巨磁阻抗效应和磁场响应灵敏度。详细分析和讨论了样品的巨磁阻抗效应随退火电流变化的特性和机理。  相似文献   

8.
研究了Cu掺杂对FeZrB非晶软磁合金薄膜的巨磁阻抗(GMI)效应的影响。研究发现,未掺Cu元素的Fe88Zr7B5非晶软磁合金薄膜和掺了4at%过量Cu的(Fe88Zr7B5)0.96Cu0.04非晶合金薄膜均无明显的GMI效应.掺了3at%适量cu的(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶合金薄膜则具有显著的GMI效应,在13MHz的频率下,最大纵向巨磁阻抗比为17%,最大横向巨磁阻抗比11%.  相似文献   

9.
传统材料磁电阻机理概述   总被引:2,自引:0,他引:2  
重点在于对几种传统材料的磁电阻的机理进行简述和比较,除了它们各具特色外,还可以从中提炼出物理本质的内容,以此来促进有关适合于应用的CMR材料方面的研究和开发。  相似文献   

10.
用射频溅射法制备了FeZrBNb软磁合金薄膜,研究了不同退火方式对薄膜磁特性和巨磁阻抗效应的影响。结果表明,退火能改善薄膜的软磁性能,使其矫顽力由0.5kA·m^-1降到了0.09kA·m^-1,横向和纵向有效磁导率都有所提高。退火也能明显提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,加磁场退火的薄膜样品在13MHz下纵向和横向最大巨磁阻抗比分别为2.6%和1.7%。  相似文献   

11.
马氏体孪晶变体的形成和重定向是铁磁形状记忆合金的磁致形状记忆效应所产生诱发应变的主要原因,本文在此分析基础上综合考虑了影响和控制重定向过程的力-磁-热能量影响的基础上,建立了铁磁形状记忆合金的力-磁-热耦合模型,以分析铁磁形状记忆合金的力磁机理和特性。  相似文献   

12.
加磁场退火对铁基薄膜巨磁阻抗效应的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
用射频溅射法制备了(Fe88zr7B5)0.97CU0.03软磁合金薄膜,研究了不同磁场退火方式对(Fe88Zr7B5)0.97 Cu0.03薄膜软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应的影响。结果表明,纵向和横向磁场退火方式都能有效地提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,在13 MHz频率下纵向最大GMI比分别为18%和17%;纵向磁场退火能有效消除薄膜样品的磁各向异性,优化薄膜样品的软磁性能;横向磁场退火则能有效感应横向磁各向异性并提高巨磁阻抗效应的磁场响应灵敏度。  相似文献   

13.
验证AB效应,是现代物理学中一个重大问题,它使量子理论受到严峻的考验,引起电磁场理论变革和发展。本文介绍了两种形式的AB效应——磁AB效应和电AB效应,并且采用Feynman路径积分的概念方法分析了AB效应,最后对AB效应的实验验证做了说明。  相似文献   

14.
用固相反应法制备La(1-x)2/3Ca1/3MnO3(V-LCMO)和(La(0.7-x)Y0.3)2/3Ca1/3MnO3)(V-LY-CMO)(x〈0.15)系列的La空位锰氧化物样品。X射线衍射(XRD)测量分析表明所有的样品均为单相,具有正交对称性(Prima)。体系的晶构参数以及Mn-O键长和Mn-O-Mn键角随空位浓度不同而改变,表明局域Jahn-Teller效应的存在。输运测量表明,不同的空位及空位浓度影响磁电阻效应,在X=0.04时磁电阻值在转变温度‰处达到最大值约为220%,我们认为很大的磁电阻效应与Y部分替代La有关,是双交换作用与Jahn-Teller效应竞争的结果。  相似文献   

15.
为提高Ba0.67Sr0.33Ti O3陶瓷介电性能、降低成本,采用低熔点化合物掺杂。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等研究了Ca、Bi掺杂对Ba0.67Sr0.33Ti O3陶瓷微观结构与性能的影响。研究发现,Ca、Bi掺杂使Ba0.67Sr0.33Ti O3陶瓷烧结温度显著降为1 100℃,且有效抑制了晶粒的生长。Ca、Bi掺杂明显改善了Ba0.67Sr0.33Ti O3陶瓷温度稳定性,当超出一定固溶限度(x6%)时,介电常数温度稳定的范围已无显著改善。  相似文献   

16.
为了筛选最佳磁处理条件,为磁处理在金针菇菌种生产中的有效应用提供理论依据和参数,以金针菇菌丝体为对象,用6、12、17、27mT四种磁感应强度进行不同时间的磁处理,研究磁场对金针菇菌丝体生长所产生的正负生物学效应,从而筛选出具有正生物学效应的最佳磁处理条件.结果表明不同磁处理条件对金针菇菌丝体生长所产生的生物学效应不同.适当条件的磁处理能够产生良好的正生物学效应,从而能够促进金针菇菌丝体的生长.本实验中,对金针菇菌丝体生长具有正生物学效应的最佳磁处理条件为:27mT/50min.  相似文献   

17.
环境激素对动物的环境生态效应表现为使动物的内分泌系统失调、生殖能力下降、慢性疾病发病率提高、生长发育受阻、性别比例失调、行为异常等。本文结合国内外研究进展,从动物生理学、细胞学和分子生物学角度阐述了环境激素对动物生态效应的微观毒害机理。  相似文献   

18.
Co60.15Fe4.35Sil2,5B15非晶合金进行低频脉冲磁场处理,当脉冲频率固定,脉冲磁场强度为2500e时观察到较大的GMI效应。研究了脉冲磁场作用产生巨磁阻抗的机理:脉冲磁场作用产生的磁致伸缩能降低了非晶合金的形核势垒,使非晶合金得以纳米晶化,进而提高了材料的软磁性能,获得较大的GMI效应。  相似文献   

19.
Co60.15Fe4.35Sil2,5B15非晶合金进行低频脉冲磁场处理,当脉冲频率固定,脉冲磁场强度为2500e时观察到较大的GMI效应。研究了脉冲磁场作用产生巨磁阻抗的机理:脉冲磁场作用产生的磁致伸缩能降低了非晶合金的形核势垒,使非晶合金得以纳米晶化,进而提高了材料的软磁性能,获得较大的GMI效应。  相似文献   

20.
在教学中尝试运用心理效应,探索有效的教学策略.通过"首因效应"和"名字效应"使学生对老师和化学学习产生美好印象,拉近师生距离,为提高学习的效率打下良好的基础;运用"皮革马利翁效应",提高学生的自信心,尤其是学习困难学生的学习效率明显提高;利用"鲶鱼效应",调动全体学生学习积极性.  相似文献   

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