德研制成锗晶体管

德国埃森大学和汉诺威大学2月12日宣布联合研制成锗晶体管,电子在其中的运动速度是在硅晶体管中的2～3倍。这种晶体管     

有望用于制造下一代高性能移动电话的晶体管

美国IBM公司近日宣布,他们首次成功利用“绝缘体上硅”技术设计出硅锗双极晶体管,其速度达到现有硅锗双极晶体管的4倍,能耗比后者降低80％,有望用于制造下一代高性能移动电话等设备。 “绝缘体上硅”是近年发展起来的一种新技术,它通过在晶体管的硅薄层和硅衬底之间使用超薄绝缘氧化层,能够减少电流干扰、降低能耗,显著提高晶体管性能。目前,该技术主要用来制造高性能的互补金属     

体积极小的单分子晶体管

美国贝尔实验室的两名科学家在1947年发明了晶体管,当时它的长度相当于手表的直径。现在,贝尔实验室的另一个研究小组利用单个分子制成了晶体管,它的大小只有针尖的1000万分之一。科学家们预计,作为当代计算机基础构件的硅晶体管的体积在本世纪20年代将无法再缩小。有机纳米晶体管将使计     

量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管

据报道,美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示,他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题,在一块芯片上集成更多晶体管,从而提高电子设备的计算能力。晶体管是电子设备的基本组成元件,在过去40年间,科学家们主要通过将更多晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力,但目前这条道路似乎已快走到尽头。     

志存高远 勇攀高峰——半导体与信息科学专家王守觉院士

王守觉,中国科学院半导体研究所研究员,中国科学院院士,是我国半导体器件与微电子奠基人之一。1958年,他在国内成功研制锗合金扩散高频晶体管;1959～1963年负责研究全部硅平面工艺技术,并成功研制了五种硅平面型晶体管;1974年成功应用自制的图形发生器自动制版技术制成了大规模集成电路掩模版;     

美科学家研制出新型隧穿场效应晶体管

c美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示．他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题．在一块芯片上集成更多晶体管,从而提高电子设备的计算能力。     

传真海外

<正>碳纳米管晶体管迈出商用关键一步美国威斯康星大学麦迪逊分校的科学家日前在碳纳米管晶体管制造技术上获得突破。由他们开发的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题,在开关速度上获得了比普通硅晶体管快1000倍、比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍的成绩,这意味着碳纳米管晶体管向正式商用     

新兴技术改变生活

<正>进入21世纪后,新兴技术的问世,给人类的生活带来了巨大的变化。下面介绍的这些新技术,将在未来几年对我们的生活产生重大影响。原子级石墨晶体管2006年3月,美国佐治亚理工学院宣布研制成功一种石墨晶体管。2008年3月,美国IBM的科学家在世界上率先制成了低噪声的石墨晶体管。这一年的4月,英国曼切斯特大学科学家海姆教授和诺沃谢洛夫研究员,在美国《科学》杂志上,披露已开发出世界上最小的石墨晶体管,仅1个原子厚,10个原子宽。     

“乐”此不疲探索在微电子领域

正1948年,美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出了一种点接触型锗晶体管。晶体管的问世,是20世纪的一项重大发明,是微电子革命的先声。到了20世纪70年代,微型计算机的发明标志着微电子技术的发展达到了前所未有的高度。改革开放以来,我国的微电子技术也有了很大的发展。现如今,微电子技术已经渗透到诸如现代通信、计算机     

利用纳米级氮化硼和金量子点实现量子隧穿效应

美首次制造出不使用半导体的晶体管科技日报讯据美国每日科学网站6月21日报道,美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点,实现量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。     

美研制出只有分子大小的有机晶体管

美国朗讯公司贝尔实验室的科学家最近研制成功沟道长度只有一个分子大小的有机晶体管，为发展新一代廉价而易装配的、基于碳的化合物的分子电子原件做好了准备。科学家们一直在寻找普通硅晶体管的替代品，因为他们预计大约１０年后硅集成电路将因为本身的物理局限而无法进一步缩小。对多学科进行研究的贝尔实验室研究小组用体积只有一颗沙粒的一百万分之一的有机晶体管制成了电压倒相器———一种把“０”和“１”相互转化的电子电路。电压倒相器是所有计算机芯片的标准构件。研究人员几十年来一直在努力制造分子大小的晶体管，使得单个分子…     

二氧化碳玻璃

我们日常生活中的玻璃制品,例如窗玻璃、玻璃瓶等,最基本的成分是硅的氧化物,如二氧化硅。在元素周期表中锗与硅处于同一族,它的氧化物即二氧化锗也已经用于光纤玻璃中。科学家不免要思考:与硅和锗同一族的最常见的碳是否也可以用于制造玻璃呢?近日,意大利科学家发现,气体二氧化碳竟然也可以形成玻璃。不过二氧化碳形成玻璃的条件比较苛刻:必须在几十万个大气压的高压下,二氧化碳分子才可以形成玻璃态的固体。二氧化碳气体若要变成固体不难,冷却到-78.5℃就可以了,但这时的固体是很有秩序的干冰晶体,而要变成玻璃,必须让晶体排列混乱无序,加…     

利用纳米级氮化硼和金量子点实现量子隧穿效应 美首次制造出不使用半导体的晶体管

美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点,实现量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。     

科学人生--王守觉

王守觉院士一直从事信息科学研究，硕果累累。他早年研究解决了“两弹一星”所需计算机的基础器件：1958年研制成中国首只锗合金扩散高频晶体管，使频率由2兆赫提高到200兆赫，解决了高速晶体管化计算机的需要。1963年在我国首先研制成硅平面工艺和平面器件，保证了为中国“两弹一星”的研制工作做出重大贡献的109丙机的研制成功。并研制成国内最早的4种固体组件，为专用微机创造了基本条件。     

半浮栅晶体管将引发芯片革命

最近,上海复旦大学微电子学院张卫教授带领的科研团队,成功研制出半浮栅晶体管（Serei—Floating—Gate Transistor,SFGT）,有望让电子芯片的性能实现突破性提升。该成果发表在今年8月9日的《科学》杂志上,这也是我国科学家在《科学》上发表的首篇有关微电子器件的研究论文。金属一氧化物一半导体场效应晶体管（MOSFET）和浮栅晶体管是广泛应用于当前主流芯片的两种器件。     

澳研制出完美的单原子晶体管

澳大利亚科学家表示,他们研制出一种单原子晶体管,其由蚀刻在硅晶体内的单个磷原子组成,拥有控制电流的门电路和原子层级的金属接触,有望成为下一代量子计算机的基础元件。     

砷化铟可替代硅制造未来电子设备

据美国物理学家组织网近期报道,美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上,制造出～块纳米晶体管,其电学性能优异,     

专家称新型纳米材料或让电脑芯片告别硅时代

<正>[导读]美国科学家称,使用新型纳米材料,将催生一种新型的计算机芯片,将有助于减少未来芯片的制造成本。美国科学家称,使用新型纳米材料,将催生一种新型的计算机芯片,将有助于减少未来芯片的制造成本。科学家戈登·E·摩尔(Gordon E.Moore)曾在1965年时提出,大约每过18个月,硅芯片上蚀刻的晶体管数量就会增加一倍。之后不久,评论家就开始预言"摩尔定律"(Moore’s Law)的时代将接近尾声。     

2000年的摩尔定律

<正> Intel公司创始人之一摩尔(Gordon Moore)于60年代未提出,硅技术将根据以后所称的摩尔定律(Moore’s Law)不断提高芯片的集成度和速度。 30多年来的实践证明,该定律是正确的。与此同时,也有一些科学家和业界名人对该提高速度表示过怀疑,15年前若干科学家即一致认为,场效应晶体管的线宽极限为     

可贴在窗户上的电视机

日本科学家开发出一种新型晶体管，在30摄氏度的常温条件下，研究人员在真空中用激光照射一种由铟、镓和锌构成的半导体材料，使之成为气状，然后利用聚对苯二甲酸乙二脂(PET)树脂作为基片，让气状半导体材料在基片上蒸镀成厚度为30至60纳米的薄膜，最后在薄膜上制作晶体管，