主变噪音异常及案例分析

从噪音产生机理、谐波电流的影响、直流电流的影响等对主变压器噪音异常现象进行了分析。直流入侵时会产生直流偏磁现象,随着直流分量的增大,励磁电流畸变越来越严重,并出现严重的半周饱和,从而对变压器产生严重危害。通过分析,确认驿南府变电站主变压器异常噪音为直流电流的影响,为解决这些问题,提出了串联电阻、串联高压电容器等解决的方案。实践证明了这些方案的有效性。     

飞轮储能用永磁同步电机气隙磁通密度波形优化

为了优化气隙磁通密度波形的幅值与正弦畸变率2个关键指标,提出了一种基于Kriging模型与差分进化算法(differential evolution algorithm, DEA)相结合的多目标优化方法。首先,通过对飞轮储能用永磁同步电机(permanent magnet synchronous motor for flywheel energy storage, FPMSM)有限元模型进行拉丁超立方体采样(Latin hypercube sampling, LHS),取得样本数据,并引入Kriging算法建立对应的替代模型;其次,利用DEA对影响气隙磁通密度波形的关键结构参数进行全局优化,给出Pareto最优解;最后,对Pareto最优解集的3种优化方案与原始方案进行对比分析和有限元验证。结果表明,所提FPMSM气隙磁通密度波形多目标优化方法能够使气隙磁通密度波形在幅值提高的同时,正弦畸变率显著降低。     

一维PN结二极管稳态模型的数值模拟

用GUMMEL提出的一种非耦合算法对一维PN结二极管进行数值模拟，数值计算中采用有限差分结合解三对角矩阵的方法，通过对电场和电势的计算，得到了正偏、反偏和零偏置情况下电场、电势分布．收敛速度和计算的精确程度较普通算法有了一定的提高，为下一步射频二极管非稳态模拟奠定了基础．     

直流电抗器概述

在可控硅整流或逆变成套装置中,往往必须附加直流电抗器,举例如下: (一)从电流连续观点必须附加直流电抗器 若可控硅成套装置是反电势负载(如直流电动机、线绕型交流异步电动机串级调速系统、蓄电池、电解槽等),当负载反电势E和可控硅管压降△E之和大于空载整流电压U。     

均匀带电椭圆细环电场的数值计算

利用mathematica6．0数学计算软件对均匀带电椭圆环的电场进行数值计算,详细描绘出其周围电势和电场分布规律。     

探讨非线性光学中的二次谐波

对非线性光学的定义和发展史进行了简说。通过非线性电极化效应的引入，重点讲述了非线性光学中的二阶非线性过程和二次谐波形成的机理，并较为详细地对实验装置进行了阐述。通过麦克斯韦方程组导出二次谐波产生的耦合方程组，并对此方程组进行了简单的分析，其分析的结果对优化光倍频器件设计有很大帮助。最后介绍了倍频器件和材料的一些特点和性质及二次谐波显微成像技术在医学中的应用。     

逆变电路输出电压的谐波研究与MATLAB仿真分析

首先采用双重傅立叶级数理论,推导了基于正弦脉宽调制(SPWM)的全桥逆变电路的数学模型,分析了输出电压的谐波分布特征和影响输出电压总谐波畸变率的因素。其次采用MATLAB进行仿真分析,给出输出电压的波形及其频谱图。数学分析与仿真结果表明:在一定载波比下,输出电压总谐波畸变率随着调制度的增大而减小;而在一定调制度下,当载波比大于10以后,载波比的变化对输出电压总谐波畸变率基本无影响。     

一对点电荷电场的MATLAB模拟实验

设计了应用MATLAB对两个点电荷的电场强度和电势进行模拟的实验,对电场和电势的数值进行计算,绘制出相应电场线和等势线的图形。     

The MATLAB Simulation of Plotting the Electric Field Experiment

设计了应用MATLAB对两个点电荷的电场强度和电势进行模拟的实验,对电场和电势的数值进行计算,绘制出相应电场线和等势线的图形。     

交错相互作用反铁磁链的临界区域

本文应用玻色化方法,研究了电子间具有交错相互作用和晶格格具有弹性作用的反铁磁链能谱。在一定的晶格畸变范围内,该模型同样会出现自旋Ｐｅｉｅｒｌｓ相变,最终给出了模型基态能量密度与晶格畸变的函数关系和模型出现自旋Ｐｅｉｅｒｌｓ相变的晶格畸变区域。     

交错相互作用反铁磁链的临界区域

本文应用玻色化方法,研究了电子间具有交错相互作用和晶格间具有弹性作用的反铁磁链能谱．在一定的晶格畸变范围内,该模型同样会出现自旋Peierls相变．最终给出了模型基态能量密度与晶格畸变的函数关系和模型出现自旋Peierls相变的晶格畸变区域．     

对均匀带电圆环环面上电势与场强的分析

在对带电圆环空间任一点电势与场强的普遍结果进行分析的基础上,对环面上特别是环内的电势与场强进行了深入的讨论,并给出了一般文献中所未给出的电势与场强的表达式。     

垃圾渗出液对蚕豆根尖细胞的诱变效应

以不同浓度的垃圾渗出液为诱变剂,测定蚕豆根尖细胞的有丝分裂指数、微核率和染色体畸变率。结果表明:垃圾渗出液能够降低蚕豆根尖细胞有丝分裂指数,能诱发较高频率的微核和染色体畸变,产生染色体断片、滞后染色体和染色体桥。随着垃圾渗出液处理浓度的增加,有丝分裂指数降低,而微核率和染色体畸变率均升高;随着垃圾渗出液浓度的进一步增加,染色体畸变率却下降,但仍明显高于对照组。     

硒镉对番茄根尖细胞的遗传学效应

为研究硒镉联合作用对番茄根尖细胞遗传学效应,用不同硒浓度和100μmol/L镉联合处理番茄根尖24 h、48 h、72 h、96 h,统计有丝分裂指数、染色体畸变率和微核率.结果表明：单一镉处理时番茄根尖细胞有丝分裂指数下降,染色体畸变率和微核率增加,且随时间的延长而毒害加深.硒镉处理时,硒浓度低于1.0μmol/L时番茄根尖细胞有丝分裂指数增加,染色体畸变率和微核率下降,高于1.0μmol/L时番茄根尖细胞有丝分裂下降,染色体畸变率和微核率升高,但浓度过高时,微核率随着镉处理时间的延长反而有所降低,表现出低浓度硒对镉的毒害有缓解作用,高浓度硒与镉协同毒害作用.     

Nd3+:YAG/KTP三镜折迭腔倍频研究

对折迭腔Nd:YAG/KTP双向倍频方法进行研究，并实现连续绿光的高功率输出。并对KTP晶体高效倍频的最佳使用条件进行了探索。对这种倍频方法的现实意义提出了自己的见解。     

浅析静电场电势零点的选择

电势是描述电场性质的物理量,是一个相对量,恰当的选择电势零点对方便解题非常重要.针对不同场源电荷激发的电场,对电势零点的选择进行了分析,并对理论研究中电势零点的选取作了总结.     

关于电势能几个问题的分析

电势和电势能是静电学部分的重要概念,也是教学的难点.为了使学生准确地掌握电势和电势能的物理意义,需要将一些容易模糊的问题进行梳理.通过对电势能的理论分析,对于理解电势的概念,明确电势是描述电场能的性质的物理量,解释电势能、电势、静电力功的关系有很大的帮助.     

氯化钠对豌豆根尖细胞的遗传损伤

采用豌豆根尖微核技术研究了氯化钠对豌豆根尖细胞的遗传损伤,测定了不同浓度氯化钠(0.05,0.15,0.25mol/L)诱导下的豌豆根尖细胞微核率、有丝分裂指数和染色体畸变率.结果表明,氯化钠能诱发较高的微核率,降低根尖细胞有丝分裂指数;并能诱导豌豆根尖细胞产生较多类型的染色体畸变.氯化钠对豌豆根尖细胞有一定的遗传毒性.     

化学电池内部电势的变化及实验观察

图1所示是高物理课本中测量电池内、外电压的实验装置。图中a和b是两个探针,它们分别靠近两边电极A和B放置,用来测定内电路的电压。实验时,靠近电池正极A的探针a与伏特表V′的负接线柱连接。靠近电池负极B的探针b与伏特表V′的正接线柱连接,有的学生提出:a靠近电池正极电势较高,b靠近电池负极电势较低,因此上述伏特表V′的正、负接线柱的接线反了！要说明这一问题,需要先将电池内部电势的变化搞清楚。     

基于三维光栅扫描测量布点优化及模型重构

测量布点优化基于实物模型反求,合理的布点优化有利于测量的简化和进行数据模型重构.文章结合利用三维光栅扫描机对某种型号汽车进行数据采集及其模型重构的实例,提出布点优化方法.充分考虑被测物体参考坐标系的构建,被测物体的对称性,提高参考标识点的辨识率,大型物体分区测量的区域确定,定义坐标系3-2-1法则.