横向型GaAs光电导开关超宽带辐射特性研究

在实验研究的基础上，根据半导体光电子学理论，对横向型GaAs超快光电导开关的线性和非线性辐射特性作了研究．结果表明：在不同激励光能与偏置电压情况下，光导开关可处于线性与非线性两种导通工作模式；光电导开关的非线性工作模式主要是因为开关中的载流子以电荷畴的形式输运．     

非线性工作模式下GaAs开关的丝状电流成因

从GaAs开关的非线性工作模式各类性质出发,详细分析了高倍增模式下工作的电流丝现象。通过实验分析提出了形成丝状电流所需的两个条件:一个是载流子密度不能小于1017cm-3,另一个是电场大于250kV/cm。在此基础上,基于光激发电荷畴理论,理论计算了丝状电流所需两个条件并分析了丝状电流持续向前发展的原因,此结果与实验相吻合。