MCM41有序介孔SiO2表面接枝PMMA的制备及其对PMMA基聚电解质膜的改性作用研究

通过表面引发原子转移自由基聚合技术(SI-ATRP)使聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)接枝于有序介孔氧化硅(MCM41)粒子的孔道内外表面,制得表面PMMA接枝的MCM41复合粒子(MCM41-g-PM-MA)。进一步利用增塑剂碳酸丙烯酯(PC)与所得的MCM41-g-PMMA共同对PMMA基聚合物电解质膜进行改性,通过溶液浇铸工艺制得PMMA基复合型聚电解质膜。着重考察了MCM41-g-PMMA填充比例、MCM41表面PMMA接枝以及温度等因素对上述体系离子电导率的影响。红外光谱(FTIR)、热重(TGA)、高倍透射电镜(HRTEM)、小角X射线衍射(SAXRD)分析结果表明:PMMA已成功接枝于MCM41粒子的孔道内外表面。交流阻抗测试、差示扫描量热分析(DSC)表明:较改性前的MCM41填充体系,MCM41-g-PMMA填充的PMMA膜具有更优的离子电导率,同时具有更佳的热稳定性能。     

超支化聚乙烯-b-聚甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚物的合成、表征及其对多壁碳纳米管表面非共价改性作用研究

首先在烯烃聚合后过渡金属催化剂Pd-diimine结构中引入原子转移自由基聚合(ATRP)引发基团,随后利用所得含ATRP引发基团的Pd-diimine催化剂(Pd-ATRP)依次引发乙烯配位聚合和甲基丙烯酸甲酯(MMA)的原子转移自由基聚合,制得超支化聚乙烯-b-聚甲基丙酸甲酯(HBPE-b-PMMA)二元嵌段共聚物。分别运用氢核磁共振波谱(1HNMR)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)及差示扫描量热分析(DSC)技术对所得共聚物的结构进行了表征,并通过透射电子显微镜(TEM)及热重分析(TGA)就其对多壁碳纳米管(MWCNTs)表面的非共价改性作用进行了考察。结果表明:所得共聚物HBPE-b-PMMA具有二元嵌段结构,借助其与MWCNTs间的非共价相互作用,可显著提高后者在有机溶剂及PMMA熔体中的纳米级分散能力。