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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
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半导体材料是制作功率器件、晶体管、集成电路、光电器件的基础材料,随着社会不断的进步和发展,直接或间接的影响着人们的生活,同时半导体业的也是物理材料研究的主要方向之一,因此本篇文章对新型的半导体材料的性能以及其应用前景进行了分析和概述。  相似文献   

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提起激光,人们往往会联想到神秘的,威力无比的,甚至有些可怕的“死光”。其实,随着科学技术的进步,激光早已悄悄地进入了寻常百姓家,这就是小巧的,不引人注意的半导体激光器。半导体激光器最早的应用领域是光纤通信,而目前随处可见的激光唱机,激光视盘机和计算机激光只读驱动器(CD ROM)中的光源采用的就是半导体激光器。单从数量上看,半导体激光器的产量已大大超过了其它所有种类激光器之和,达到了年产数千万支的规模。  相似文献   

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发光二极管有众多的利用优势,给人们带来更多便利的同时,也给整个环境增彩添色。文章先介绍发光二极管的主要特点,然后对发光二极管在不同照明领域的实际应用进行分析解读,重点强调发光二极管的市场应用价值。  相似文献   

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半导体发光二极管的应用及其前景   总被引:4,自引:0,他引:4  
文章介绍了照明用发光二极管(LED)发展现状、发光原理及照明的优点,并讨论了其在照明领域广泛应用当中所要解决的技术问题,指出了其应用于照明的广阔前景.  相似文献   

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长期以来,由于砂石骨料来源广泛且价格低廉因此被认为是取之不尽的原材料而随意浪费。如今,随着社会经济的发展,混凝土用量逐渐增大以及人们环保意识的增强,因开采砂石骨料而造成的资源枯竭和环境破坏已经越来越受到重视。因此,废弃混凝土作为再生骨料并循环利用受到了广泛的关注。  相似文献   

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《科技风》2017,(25)
工业的快速发展使我国许多行业都得到了相应的发展,半导体行业就是其中最为重要的一个,人们对半导体产品的研究不断深入,其性能得到了进一步增强。纵观半导体材料的发展,其中硅、锗作为第一代半导体材料;砷化镓、磷化铟、磷化镓等为第二段半导体材料;宽禁带(Eg2.3eV)氮化镓、碳化硅以及金刚石作为第三点半导体材料杰出代表。而当前已然进入到光电子时代并不断向光子时代转变。预计第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。  相似文献   

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正宽禁带(一般指禁带宽度2.3eV)半导体材料的研发与应用方兴未艾,正在掀起新一轮的热潮。其中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。回顾历史,20世纪50年代中期出现Si C晶体生长的第1个专利。2007年美国Cree公司成功制备直径100mm的SiC零微管衬底,而后推出二极管产品并在技术和应用层面取得了长足进展。GaN也是跨世纪期间方有较快发展,1993年GaN外延蓝光二极管研制成功,1996年白光LED诞生并迅速  相似文献   

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作为常见的发光元器件,半导体发光二极管的应用范围较广。基于这种情况,本文对半导体发光二极管的发光原理展开了分析,然后对其在各领域的应用情况及原理展开了探讨,以期为关注这一话题的人们提供参考。  相似文献   

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一、前言半导体激光器自1970年实现室温连续工作以来,作为光纤通信用光源,进行过大量的研究、改良工作,至今不仅已应用于视频磁盘、DAD、激光复印机等民用机器,还发展成为光信息处理用光源。无论对于大信息容量光通信,还是对于超高速信号处理来说,半导体激光器都具备高性能与长寿命,优于其他激光器。尽管目前已开发成功的固体激光和染料激光装置可以产生Ps、fs(10~(-15)秒)光脉冲,最高水准为8fs。但这些装置系统庞大、调整困难、成本又高,不能适应日益发展的信息化要求,作为Ps激光脉冲源,要求小型、轻便、廉价并且可以集成化。因此,半导体激光器是最适合、最有竞争力的微微秒激光脉冲源。  相似文献   

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<正>乙烯基酯树脂是一种重要的高分子材料,由于其独特的分子结构和性能特点,被广泛应用于航空航天、汽车、电子和建筑等领域。在航空航天领域,乙烯基酯树脂常用于制造导弹武器、空间平台和运载火箭的结构部件,如整流罩、支架、仪器舱、壳体等。在汽车工业中,乙烯基酯树脂可用于制造导流板、进气歧管、保险杠、车窗框架等零部件。在电子领域,乙烯基酯树脂常用于制造电子器件的外壳和包装材料。  相似文献   

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吸声高分子材料在近年来被广泛地应用到了建筑、航天、工业和科技之中,其能够在一定程度上吸收声能和振动能,有效地避免了噪声给生产和生活带来的诸多影响,是在科技发展及高分子材料应用的基础上而产生的材料。由于吸声高分子材料应用的重要性及可发展性,对于该材料的研究被科研人员高度重视。本文阐述了吸声高分子材料的吸声机理,使人们对其更加的了解,进而对该材料的应用进行了分析,旨在能够使吸声高分子材料的应用得到长远的发展,为社会科技的进步产生积极的影响。  相似文献   

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新一代半导体材料新贵GAN   总被引:1,自引:0,他引:1  
6aN(氮化镓)时代即将到来 在当今半导体材料与器件的研究与应用中,GaN(氮化镓)系材料日益成为世人瞩目的焦点,并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料。以GaN为代表的Ⅲ-V族化合物材料为直接跃迁半导体材料,  相似文献   

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GaN(氮化镓)时代即将到来   在当今半导体材料与器件的研究与应用中,GaN(氮化镓)系材料日益成为世人瞩目的焦点,并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料.以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料为直接跃迁半导体材料,包括AlN、GaN和InN及以此为基础的三元合金AlGaN、InGaN、四元合金(AllnGaN)材料.……  相似文献   

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半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于溶液加工、适用于室温制备等。目前,高迁移率聚合物半导体材料经过多年研发,已经取得了突飞猛进的成果,并且经过不断的创新,诞生了各种结构新颖、性能良好的聚合物半导体材料,不断优化器件制备工艺,使得聚合物场效应晶体管的载流子迁移率从10~(-5_cm~2v~(-1)s~(-1)提升到了36.3cm2v~(-1)s~(-1)。详细地描述了高迁移率聚合物半导体材料的研究现状,分析了高迁移率聚合物在半导体器件设计中的应用情况,从空穴传输型、电子传输型和双极传输型等三个方面分析高迁移率聚合物半导体研发现状,归纳和总结半导体材料,从而可以进一步的为半导体器件构筑提供一定的指导。  相似文献   

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由于镁及镁合金具有质轻、比强度大、阻尼性能良好、可回收等特点,适应了现代工业生产的需要,在航空航天,汽车,电子及家电等领域得到广泛使用,具有广阔的发展前景。就镁合金的应用前景和特点分析了其焊接性能,方法及其发展状况。  相似文献   

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