寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响

为了探究电路中寄生电容对SiC MOSFET高速开关特性的影响,采用理论分析与实验研究相结合的方法,考虑相关寄生电容,对SiC MOSFET的开关过程进行模态分析,确立各部分寄生电容的影响,进而建立高速双脉冲测试平台,对各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响进行研究,揭示各部分寄生电容对SiC MOSFET开关特性的影响规律。实验结果表明:随着SiC MOSFET极间电容的增大,其开关速度降低、开关能量增大,开关过程中的电压、电流尖峰有所降低;与极间电容不同,C_J增大时会引起电流尖峰的增加。     

一种新的IGBT驱动保护电路

针对IGBT驱动保护问题,提出了一种新的驱动保护电路．采用555集成电路作延时降压电路．电路具有状态检测功能、延时缓降栅压功能和降压功能等功能．此电路的特点是简单,定时精度高,可靠性高,反应快．     

IGBT死区补偿算法及其实现

针对IGBT存在的死区效应,解决了死区补偿中的两个关键问题:利用重构电压法进行死区补偿;为避免相电流过零点的直接检测,首先将相电流经过滤波,然后对其进行反变换处理,最终计算得到IGBT的实际死区时间,并在软件中进行相应的补偿.在完成纯积分的问题后,通过电压磁链观测补偿效果.最后对上述内容进行了实验验证,实验结果验证了该方法的可行性和正确性.     

加速度的变化率

1．力与时间成正比。即F—kt（女是常数）根据牛顿第二定律得,物体的加速度a=F/m=kt/m.     

物理量的三类变化率

1．物理量对时间的变化率 例1如图1所示．A、B为两个相同的环形线圈,共轴并靠近放置,A线圈中通有以图示方向为正方向的交变电流iA,iA随时间t按正弦规律变化,如图2所示,则（）     

应用新技术观察生脉注射液对左室舒张变化率的影响

本实验采用心导管技术，以左心室舒张末期压力下降最大变化速率（每分钟－dp/dt）为指标，观察了生脉液对家兔急性心肌缺血引起的心舒末期每分钟－dp/dt的影响。其结果表明,脉液可以改善由于心肌缺血而致的左心舒张力功能的不足，使每分钟－dp/dt明显增加。     

IGBT电焊机的稳定性设计

介绍了IGBT模块在电焊机中的应用以及IGBT电焊机的众多优点和缺点,指出了IGBT电焊机存在的安全隐患;在此基础上,从电压保护、电流保护、吸收电路以及热保护等方面论述了电源中IGBT模块必要的典型保护方法.     

电力系统电压对无功功率的影响

针对电网的特点,浅谈电力系统电压和无功功率的重要作用及几种控制技术的应用.     

IGBT的基本特性仿真研究

本文首先从IGBT内部结构组成和工作原理两方面出发,阐述了一种新的简便的IGBT建模方法,利用此方法建立的模型参数数量大为减少,结构简单且参数容易提取,减小了模型计算量,对IGBT的基本特性进行了仿真研究.     

单相逆变器输出电压波形校正的实验研究

由于脉动的负载电流对整流器直流侧滤波电容的充、放电效应,非线性整流负载可以导致单相逆变器输出电压出现严重的畸变。导致输出电压畸变的原因主要是由于逆变器具有较大的谐波输出阻抗,且其控制系统不能够对电压畸变做出快速的动态补偿。为使学生对此有深刻的理解,设计了单相逆变器在非线性负载条件下输出电压波形控制的研究性实验,对比分析了同步旋转坐标系下的PI双闭环(PI Dual Loop Control,PIDLC)、PIDLC+RC(Repetitive Control,重复控制)和PIDLC+RC+LCF(Load Current Feedforward,负载电流前馈)的控制性能。通过这样的对比研究,使学生在深入了解和掌握相关的单相逆变器及其控制策略的同时也让他们体会到科学研究的基本理念和方法,并有助于提升他们的实践能力和科研素养。     

测试双向可控硅输出电压波形对称性的简便方法

重点介绍使用万用表测量双向可控硅输出电压波形对称性的简单方法.     

零电压准谐振开关电源的设计

介绍了准谐振开关电源的组成、零电压准谐振变换器的工作原理、移相全桥两桥臂开关管实现ZVS的条件、移相全桥PWM控制和驱动的原理,研究了移相全桥ZVS变换器的控制和输出特性.利用UC3875控制器研制了3kW、6kW移相全桥零电压高频通信开关电源.     

开关稳压电源的热功率与散热

对开关稳压电源的热损耗功率进行了深入分析，给出了降低开关电源热损耗功率，提高效率的途径，并论证了开关电源无风扇改进的可能性。     

一种高压击穿自动切换低压保持的放电管老化电路设计

对放电管两端施加电压直至击穿后,再以规定电流保持一段时间的放电状态,是其出厂前必经的老化处理过程。不同型号的放电管有着不一样的击穿电压和放电电流,采用直接高压击穿后放电维持的传统方法需消耗较大的能量。为此设计应用了一种高压击穿后能自动切换为低压老化的电路,有效地解决了传统老化方法中电能消耗过大的问题。     

谈彩电开关稳压电源原理教学

从“三次变换”的角度讲述彩电开关稳压电源原理及其组成部分，三次变换即：第一次变换为输入端的“交-直变换”，简要介绍这部分电路的组成及其作用；第二次变换为振荡部分的“直-交变换”，讲述这部分电路的组成及其作用，结合上海牌Z237-1型彩色电视机的开关稳压电源对“直-交变换”部分涉及的自激振荡、稳压电路的组成、工作原理展开较详的讲述，介绍了保护电路及抗干扰电路；第三次变换为输出端的“交-直变换”，简要介绍这部分电路组成及其作用；篇末从整体上总结了开关稳压电源的电路原理。     

关于R、L、C串联交流电路中电容、电感两端电压最大值的微探

电路发生串联谐振时,电容和电感上可能出现高压造成电容击穿或电感线圈绝缘损坏。本文分析在谐振前(后)电容(电感)上也可能出现高电压,另外,在Q值等于1或小于1的情况下,电容或(电感)上会出现高于电源的电压,在选择这些器件必须充分考虑到耐压性。     

一种信息包预约交换结构的时延分析

采用一种新的二叉树形算法分析技术,利用概率母函数,对总线随机争用系统中信息分组冲突分解的信息包时廷进行了研究,获得了冲突信息分组平均时延的解析式.同时进行了计算机模拟.模拟结果与理论分析吻合.     

基于DSP的磁悬浮控制系统的硬件设计

本文建立了磁悬浮系统的闭环控制模型,着重介绍了基于TI公司的DSP芯片的硬件系统的设计,并在此基础上得到了较为满意的实验效果。本试验采用的是TI公司2000系列的产品TMS320LF2407,其外围电路主要包括逻辑电平的转换,主电路的设计,A/O转换通道的设计及PWM电路等。     

黄瓜种子及幼苗电磁生物效应的研究

用高压静电场处理黄瓜种子,测定发芽势、发芽率、发芽系数、活力指数,测定幼苗超氧物岐化酶（SOD）、过氧化物酶（POD）活性变化,探索高压静电场对黄瓜种子活力及植株生长的影响。结果表明,一定强度的高压静电场和时间组合处理黄瓜种子,可促进种子萌发,提高幼苗超氧物岐化酶（SOD）、过氧化物酶（POD）活性。黄瓜种子萌发的最佳静电处理为362KV/m×12min。