交流复阻抗技术在CaTi0.85Sc0.15O3-α固体电解质中的应用

介绍了交流复阻抗测试技术在固体电解质测试中的应用原理，并对用传统固相反应法合成的样品CaTi0．85Sc0．15O3-α进行了实际应用测试。根据测得的阻抗谱提出了相应的等效电路，用阻抗分析软件对CaTi0．85Sc0．15O3-α在不同温度下的交流阻抗测试结果进行了对比拟合处理，获得了晶粒电阻、晶界电阻，并定量研究了样品中晶粒电导、晶界电导和总电导随测试温度的变化特性。结果表明：Sc掺杂显著提高了样品的电导性能，CaTi0．85Sc0．15O3-α在800℃的电导率达到0．017S／cm，接近于同温度下8YSZ的电导率；在整个测量温度范围内，电导率与温度的关系满足Arrhenius定律，晶界活化能大于晶粒活化能，样品在730℃以下电导率主要取决于晶界电导，在730℃以上电导率主要由晶粒电导所决定。     

Ba1-xSrxTiO3（x=0，0．1，0．2，0．3，004）陶瓷材料的结构及介电性能的研究

采用传统固相反应方法制备了Ba1-xSrxTiO3（x=0,0．1,0．2,0．3,004）陶瓷材料,用X射线衍射方法和介电谱方法研究了所制备陶瓷材料的结构和介电性能,结果表明,所制备样品,Sr2＋进入BaTiO2后与B矿形成了钙钛矿型连续固溶体：随着SP含量的增加,峰位向高衍射角度移动,晶粒尺寸减小,说明Sr2＋的掺入抑制了晶粒的生长：BST的系列样品随着温度的升高,介电常数增大,但是随着频率的增大介电常数减小,且峰值随着SP含量的增加都向低温区移动,SP的掺入,有明显的压峰效应,具有弥散相变的特征．     

钙钛矿型复合氧化物La0.8．Sr0．2Mn1-yCoyO3-δ的合成与性能研究

以开发固体氧化物燃料电池（SOFC）新型阴极材料为目的,采用高温固相反应法合成了一系列钙钛矿型复合氧化物La0.8Sr0．2Mn1-yCOyO3-δ（LSMC,Y分别取0.3,0．5和0．7）,并对Mn位掺杂不同量过渡族元素Co后样品的高温电导率和热膨胀系数进行了研究,发现随着Co含量的增加,材料的电导率和热膨胀系数均增大,其中La0.8Sr0．2Mn0.3Co0.7O3-δ的电导率最高,700℃时,达270．89S·cm^-1。     

相分离体系Nd0．85Sr0．15CoO3的弛豫现象

本文系统地研究了Nd0．85Sr0．15CoO3的弛豫行为．低温下,零场冷却和带场冷却测量曲线呈现镜像对称,并且弛豫行为遵循扩展指数关系．这表明铁磁团簇间的相互作用导致了体系的相分离,从而证实了在Nd0．85Sr0．15CoO3体系中铁磁团簇间的相互作用和自旋玻璃相共同导致了低温时的相分离．     

Android4．0．3系统常见问题综述

安卓平板电脑已经全面升级Android4．0．3系统,不少用户在体验新系统更出色的UI设计和操控感的同时,也发现了不少问题。这里,笔者对身边朋友遇到的Android4．0．3系统常见问题进行了整理,以便大家分享。     

SSL3．0协议安全分析与研究

在充分研究了SSL3．0协议基本原理以及实际项目的应用基础上,对其安全性能加以分析和讨论,并且提出了如何提高SSL3．0协议安全性的解决方案．     

反铁磁半金属GdSb中极大磁电阻效应研究

具有极大磁电阻的半金属材料因其可能具有非寻常的拓扑电子结构、电输运特性,可为高能物理相关的狄拉克费米子、外尔费米子以及马约拉纳费米子的研究提供崭新的舞台,受到了广泛关注.本文通过助溶剂法合成高质量的GdSb单晶并系统地研究其结构、磁性、电输运等性质,发现该材料具有NaCl型晶体结构(空间群Fm-3m),并且在23.4 K附近经历反铁磁相变.电输运结果表明GdSb具有金属导电性,自旋无序效应可导致磁相变温度附近的电阻出现异常.更吸引人的是,样品在磁场(H=9 T)作用下,低温(2 K)电阻将出现平台,展示出极大的磁电阻效应(MR=12 100%).通过霍尔效应及第一性原理计算,发现GdSb是多带及补偿型半金属,其中电子与空穴的数目相当.电子-空穴补偿及较大的载流子迁移率是极大磁电阻的来源.     

中温固体氧化物燃料电池阴极材料BaCo0.7Fe0．2Nb0．1O5＋δ的制备与表征

采用固相反应法合成了中温固体氧化物燃料电池阴极材料BaCo0.7Fe0．2Nb0．1O5＋δ（BCFN）．结果表明：BCFN与电解质La0．9Sr0．1Ga0．8Mg0．2O2．85（LSGM）在10000C烧结5h没有生成其他杂相,表明其与LSGM电解质在高温时具有很好的化学兼容性．BCFN在700℃时极化电阻仅为0．128Ωcm2．在800℃时,BCFN的过电位为49mV时的电流密度是46mAcm-2．     

Web2．0时代的E-learning2．0

web2．0给我们带来了网络思维和网络应用方法的变革,也为E—learning的教学模式提供了更多的支持,它将促成E—learning2．0的产生。本文首先介绍Web2．0的核心内容和特点,然后分析讨论了web2．0在E—learning中的应用,最后对E-learning2．0的特点和优势进行了总结。     

基于AS3．0的flash脚本动画制作

AS3．0是Adobe公司推出的最新Flash内部脚本语言,其扩展性强、安全性高,可用于企业级开发,其架构与第二代Flash脚本语言AS2．0完全不同。通过对其研究,用一个实际编写的烟花效果例子说明使用AS3．0制作脚本动画的特点与优势。     

BaTiO3与CaCu3Ti4O12的介电性能比较

分别采用溶胶-凝胶法和固相反应法制备BaTiO3纳米粉体和CaCu3Ti4O12多晶块材,并系统地研究两者的介电性能。实验结果表明:BaTiO3体相陶瓷的介电性能受温度的影响较大,当频率在200~150 000 Hz范围内变动时,其室温介电常数ε最高达2 967,具有很好的频率稳定性、介电损耗小,可用来制作某些电子元件;然而CaCu3Ti4O12多晶块材的介电常数ε在(1 kHz,300 K)时高达14 000,并在100~350 K的温区内基本保持恒定,具有极好的温度稳定性。因此,在现实的应用过程中,CaCu3Ti4O12多晶块材以高介电常数、受温度影响变化小、介电损耗小等优点而更具应用前景。     

Bi2212单晶中Pb和Y的掺杂效应

采用自助溶剂固态反应法制备出Bi2212及其Ijb和Y掺杂单晶。X射线衍射图表明,除001峰外,没有杂相峰;其晶体结构参数计算表明,随着Pb和Y掺杂量的增加,晶体c-轴常数减小。c-轴方向的电阻-温度曲线则显示其超导转变温度为90K左右。     

太阳光下La~(3+)掺杂TiO_2纳米粒子光催化降解亚甲基蓝的动力学研究

利用酸催化的快速溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了一系列不同La3+掺杂量(x=0.01%～3%)的TiO2复合光催化剂;在太阳光条件下,以亚甲基蓝溶液的光催化降解为模型反应,研究了染料的光催化降解动力学行为,考察了催化剂投加量和La3+掺杂量对复合光催化剂活性的影响.结果表明,亚甲基蓝的光催化降解反应遵循Langmuir-Hinshelwood动力学模型,表观反应速率常数随着反应体系中催化剂用量和La3+掺杂量的不同而不同,均存在一个最佳值.在本实验条件下,当催化剂投加量为1.5g/L,La3+掺杂量为0.5%时,测得表观反应速率常数为2.1.×10-2mg(L·min)-1,反应120min后亚甲基蓝的降解率可达91.55%.     

BaTi1-x-yNbxMnyO3半导体陶瓷PTC效应的研究

采用固相法制备了施主杂质Nb和受主杂质Mn共掺的BaTiO3基半导体复合陶瓷.通过对比实验结果,详细地分析了施主杂质和受主杂质的参杂效应对于BaTiO3基PTC陶瓷的室温电阻率和升阻比的影响,得到了充分利用BaTiO3基半导体复合陶瓷PTC效应较为理想的掺杂浓度范围.同时,比较Heywan与Ihring模型对于PTC效应的不同解释,根据原子价控理论和铁电效应补偿理论进一步分析了PTC效应的微观机制,较为完备地解释了PTC效应.     

稀土锰氧化物的Mn位掺杂效应

Mn位掺杂是调整稀土锰氧化物中Mn3+-O2--Mn4+网络的一种十分有效的方法,对理解稀土锰氧化物材料的物理机制和微观机理具有重要作用。在Ln1-xAxMnO3体系中,当x=0.3左右时,Mn位微量掺杂即可破坏原有的长程铁磁有序与金属性共存,而产生团簇玻璃型(短程)铁磁有序行为;多数情况下,TP降低,对应的峰值电阻率ρp急剧升高,居里温度TC降低,CMR效应增强。当x=0.5时,通过在Mn位掺杂可以使反铁磁绝缘母体产生铁磁金属性行为;电阻率急剧降低,出现CMR效应。     

界面掺杂Au/SrTiO3（001）/Au的电子传输

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究了Au/SrTiO3(001)/Au异质结界面Y、Zr、Nb和Mo元素置换掺杂与电子传输相互作用的微观机制.通过分析各通道原子的电荷差分密度以及投影态密度,发现Au/SrTiO3(001)/Au中导电通道的开关状态对于不同界面掺杂金属元素差异明显.当Y和Zr分别置换界面层Ti(1)原子时,尽管界面电子态有局域化现象,但并没有改变理想界面模型导电通道的关闭状态;当Nb、Mo分别置换界面层Ti(1)原子时,电子掺杂效应使原来理想界面模型的导电通道从关闭状态转变为开放状态,从而提高了异质结界面体系的导电性能.     

铝改性纳米二氧化钛的制备及其光催化性能

采用溶胶-凝胶法制备Al3＋掺杂纳米TiO2光催化剂,以亚基蓝为污染物,在160W的高压汞灯下,考察了Al3＋掺杂对TiO2光催化性能的影响,并通过XRD对其结构进行了表征。结果表明：Al3＋掺杂能够提高了TiO2光催化活性;Al3＋-TiO2的最佳制备条件为硝酸铝为掺杂前驱体,r（Al：Ti）为0.01,焙烧温度500℃时光催化活性最佳。     

溶胶-凝胶法制备四钛酸钾晶须

以Ti（n-OC4H9）4和CH3 COOK为前驱体，采用溶胶-凝胶法制备了高质量的K2Ti4O9晶须。以FT-IR表征溶胶-凝胶过程中的反应，运用TC-DSC和XRD研究了K2Ti4RO9的晶体生长过程。结果表明：溶胶很稳定，可长期保存；稀释剂和少量水对溶胶的稳定性无影响；溶胶-凝胶法制备K2Ti4O9晶须反应温度比固态烧结法低，276℃开始反应形成晶核，481℃开始生成K2Ti4O9纳米晶，597。C时形成K2Ti4O9晶粒，940℃制得的K2Ti4O9晶须长约50μm，K2Ti4O9晶须均匀、具有较大的长径比。     

Mn掺杂对铁酸铋薄膜漏电流和铁电性能的影响

采用溶胶凝胶的化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同浓度(0,0.05,0.1 at.%)的Mn掺杂铁酸铋薄膜.薄膜晶体结构的X射线衍射结果显示不同浓度掺杂的薄膜平均晶粒尺寸相差并不大,而薄膜的漏电流分析则表明5%Mn掺杂的铁酸铋薄膜比未掺杂和10%Mn掺杂的薄膜漏电流要小.此外,通过薄膜的铁电性能测试发现5%Mn掺杂的铁酸铋薄膜比未掺杂和10%Mn掺杂的薄膜的铁电性能也要好.根据缺陷化学理论,由氧空位的电荷补偿引起的Fe离子和Mn离子价态变化是产生这一结果的主要原因.     

Preparation of Nano-Particles （ Pb, La）TiO3 Thin Films by Liquid Source Misted Chemical Deposition

Nano-particles lanthanum-modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and thenannealed at various temperature. XRD and SEM show that the prepared films have good crystallization behavior and perovskite structure. The crystallite is about 60nm. The deposition speed is 3nm/min. This deposition method can exactly control stoichiometry ratios, doping concentration ratio and thickness of PLT thin films. The best annealing process is to bake at 300℃ for 10min and anneal at 600℃ for 1h.