带绝缘槽的SOI RESURF LDMOS的栅电荷分析

栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息,是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-So Son等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS(TR-LDMOS)的RESURF条件[1],建立器件的栅电荷分析模型,发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURF LDMOS(LR-LDMOS)少13.85%,所需Qg比LR-LD-MOS少17.65%;完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上,结合仿真对沟道区不同时刻载流子分布的描述,更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化;并且应用比较分析的方法,解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下,得到有助于器件设计的应用性结论。     

基于TCAD技术的碳化硅槽栅MOSFET器件设计

针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题,设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构,通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管,在不使器件的其他电学特性退化的基础上,改善器件的反向恢复特性。基于TCAD工具——ATLAS二维的半导体工艺与器件仿真软件,对碳化硅槽栅MOSFET器件的I-V特性、击穿特性以及反向恢复特性进行了研究。研究结果表明,与常规的碳化硅槽栅MOSFET器件相比,新结构的反向恢复特性明显改善,反向恢复时间减小了48.8%,反向恢复电荷减小了94.1%,反向峰值电流减小了82.4%。     

基于高速切削的机夹刀切槽加工工艺

通过对机夹切断刀和切槽刀在不同加工中的比较选择,探讨高速切削中的机夹切槽刀具体应用和加工方法,解决了高精度工件加工中的切断和切槽的工效和精度问题,从而达到提高整件加工的效率的目的。     

基于模糊控制的光伏能量补偿研究与设计

针对光伏直流供电系统的能量变动性,提出了使用市电作为直流负载的能量补偿来源。为实现直流负载的供电稳定,在系统中加入了PWM整流器电路,实现光伏发电能量不足时,由市电补充能量;光伏发电能量过剩时,将多余的能量馈送电网。光伏电池始终工作于最大功率输出状态,由后端PWM整流器通过电压闭环实现负载的稳压控制和电流内环实现最大功率因数控制。通过对PWM整流器进行控制分析,在能量控制回路中采用了模糊智能PID控制,通过跟踪误差信号的状态来动态改变PID控制器参数,所以具有良好的自适应性和较强的鲁棒性。仿真结果表明,该模糊PID控制的PWM整流器可以实现光伏直流供电系统的稳定供电。     

职业院校学生顶岗实习成本分担与补偿机制实证研究——基于广东省中山市职业院校和企业的调查分析

顶岗实习是职业院校人才培养的关键环节,是确保毕业生质量的重要举措,是深化"校企合作"、"工学结合"人才培养模式改革,强化学生职业素质教育的重要途经。通过对学校、企业和学生三方面进行广泛而深入的调查研究,收集了大量的相关数据,分析了职业院校顶岗实习成本分担主体构成,指出了职业院校顶岗实习中存在的问题及补偿机制现状,提出了职业院校顶岗实习成本分担与补偿机制的研究对策。寻找问题发生的原因,有效解决实习成本及其分担与补偿问题,就能从根本上解决职业院校学生顶岗实习这一大难题,从而保障学生、企业和学校的权利与义务。     

基于混合描述式工艺设计技术的研究

在飞机制造中,AO/FO设计是重要的生产准备工作之一,由于飞机零组件数量非常多,因此利用AO/FO设计的强度极大,AO/FO设计任务具有复杂性和多样性,难以实现通用的工艺决策过程自动化,而且交互式、检索修订或创成式CAPP各有其特点和局限,因此本文通过对基于工艺知识库的快速工艺设计、智能辅助技术等多种技术的研究,提出快速AO/FO设计技术——混合描述式工艺设计技术,该技术有效解决双语工艺编制过程中效率低的问题。     

基于IE方法的服装工艺智能化模板开发与研究

基于IE方法的服装工艺智能化模板开发是以工程工序分析为基础,确定要使用模板的工序;提出了智能化模板的开发要以流水线的节拍为切入点,通过智能化模板来提升工作效率平衡生产工序;明确了标准化作业是工艺智能模板开发的关键,这样才能使模板及技术的应用高效运行,全面提升生产效能。     

基于网络化的机床装备制造工艺设计应用的研究

文章结合机床企业在生产情况下对工艺信息系统的需要,给出了网络化制造工艺系统的体系框架,分析了系统的功能模块。并针对机床制造企业的工艺特点,构建了网络化制造工艺系统的总体结构,分析了网络化工艺系统的工作流程,开发了网络化制造工艺原型系统,实现了网络化工艺设计、网络化工艺标准化、工艺调整、基于工作流的工艺审批管理等工具集的开发。     

基于设计的研究方法、实例和应用

在过去的几十年中,媒体比较研究是教育技术领域的主要研究范式,它通过实证实验的方式,控制教学中的其他因素来研究媒体对学习的影响。教育技术是一门基于"设计"的学科,强调实际教学问题的解决。基于设计的研究指以"设计"作为探究和问题解决的手段,强调通过教学方法、活动和任务的设计来有效地利用技术,并在研究实践中获得相关的理论解释和阐明有效的设计原则。这一研究范式因为能更好地指导实践,正在逐渐引起研究人员的重视。本文最后介绍了基于设计研究的实例,并进一步探讨了它对教育技术研究和教学的启示。     

基于国家职业标准的电子产品组装与工艺课程教学设计的研究

根据电子行业企业用人的需求并结合国家职业标准,对电子产品组装与工艺课程的教学设计进行研究,提出一种基于国家职业标准的电子产品组装与工艺课程教学设计思路,这不仅使教学从简单的理论＋实践方式向技能型、应用型转变,同时还可以培养学生的职业道德和职业规范,为行业企业培养高等技能型、应用型、职业型的人才。     

IGBT深槽刻蚀氮化硅硬掩膜制作工艺研究

硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓冲层的压应力,有效地解决了硅-二氧化硅-氮化硅夹心结构的应力问题.分析比较了工艺参数,如气体流量、淀积环境的压强、温度等,对氮化硅薄膜生长速率及膜厚的影响,获得了氮化硅薄膜淀积的优化工艺参数.     

基于IGBT的超音频感应加热系统设计

对串联谐振半桥感应加热电源进行了研究,使用SG3525芯片和EXB841芯片设计控制驱动电路,具有过流保护功能.在研究的基础上,设计并制作了20kHz的串联谐振感应加热设备样机,它能在实验工况下安全可靠地运行.     

基于中压IGBT动态特性测试平台设计与实现

为了探究换流器件IGBT的开关特性,设计一套用于中压IGBT动态特性测试的实验平台。该测试平台采用双脉冲测试的方法,以计算机为核心,通过充电电容提供母线电压,通过DSP提供双脉冲,以高效能示波器实现数据的采集和存储。借助实验所得的电压、电流波形曲线及存储的数据,可估算IGBT的开关特性参数和损耗。通过对FF50R12RT4(1200V/50AIGBT)的开关特性的测量,从而验证了该平台的实用性。     

IGBT死区补偿算法及其实现

针对IGBT存在的死区效应,解决了死区补偿中的两个关键问题:利用重构电压法进行死区补偿;为避免相电流过零点的直接检测,首先将相电流经过滤波,然后对其进行反变换处理,最终计算得到IGBT的实际死区时间,并在软件中进行相应的补偿.在完成纯积分的问题后,通过电压磁链观测补偿效果.最后对上述内容进行了实验验证,实验结果验证了该方法的可行性和正确性.     

基于SQLite的数据库原理自主实验平台设计

为了解决传统的数据库原理实验教学及一般的数据库在线实验软件所面临的一些问题,设计和实现了基于SQLite的数据库原理的自主实验平台。该平台的总体结构包括SQL主题学习模块、SQL实验练习模块、智能答疑模块和实验过程监管模块。详细阐述了平台的体系结构、核心功能及其实验平台的构建、SQL语法检查、FAQ自动采集和实验过程监管等关键技术,给出了关键函数调用程序。     

问题启发式电路原理实验课程的设计与实践

从学生的实际情况出发,提出了一种基于问题启发式教学思想的电路原理实验课程改革思路和方法。即立足于学生在平时实验中发现的简单问题,从这些问题出发,引导学生分析出现问题的原因,并最终通过实验手段解决问题。该方法在实际应用中可以有效提高学生的实践动手能力和解决实际问题能力,同时激发学生的学习和探索兴趣。     

HfGdO_X栅介质薄膜晶体管的制备及其反相器应用

采用无毒、环保的水溶液法,制备HfGdO_X薄膜(HGO)。通过XRD、UV、XPS、C-F和J-V等表征手段探索HGO薄膜最佳掺杂浓度和退火温度。以HGO薄膜为栅介质制备的铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO/HGO TFTs)饱和载流子迁移率(μ_(sat))达16.8 cm²v2v^(-1)s(-1)s^(-1),开关电流比达1.5×10(-1),开关电流比达1.5×10⁷。基于IGZO/HGO TFTs的电阻负载型反相器电压增益为9。结果表明,水溶液法制备的HGO高K薄膜在高分辨率平板显示器件和超大规模集成逻辑电路中具有潜在的应用前景。     

基于PSpice的IGBT擎住效应的仿真教学分析

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种新型的电力电子器件,由于具有良好的特性,在电力电子装置中得到了非常广泛的应用。分析了IGBT的物理结构和工作原理,得出IGBT元胞结构中寄生了一个等效的晶闸管器件,这是引发擎住效应的内部原因。总结了引发擎住效应的外电路条件,即过大的集电极电流或过大的集电极—发射级电压变化率。利用PSpice电路仿真软件建立了一个IGBT擎住效应教学模型电路,并进行具体的分析。     

基于Multisim的电路原理课程仿真实验设计

介绍MultiSim仿真软件在电路原理实验教学中的应用,通过引入Multisim仿真和虚拟仪器,将电路原理课程教学分为理论教学、计算机仿真和实验3个环节,设计了电路定理验证、动态电路暂态和稳态响应、一阶电路和二阶电路、三相电路等仿真实验项目。实践证明,计算机仿真实验能够使电路理论和实验联系更加紧密,有利于提高学生实验的自主性,从而提高电路原理课程的教学质量。