恒温箱温度控制器设计

为了满足不同温度范围的测试要求,自行设计了恒温箱的控制器.提出一种采用廉价单片机进行温度测量、显示、报警与控制的电路设计方案.采用热敏电阻感知温度变化,由电阻电压的变化反映温度变化,将电压放大后通过AD转换芯片对模拟电压进行采集,并将模拟量转换为数字量;然后将计算得到的温度实时通过数码管进行动态显示.设定温度的上下限值,在温度超出限值时发出相应的报警信号,并控制相关设备将温度设定在限值之内.     

二极管电流方程中m值的测定

对二极管电流方程中m值的测定进行了实验研究.结果表明,m值随正向电压变化而变化.对于锗二极管,m存在一个最小值;对于硅二极管,m值随正向电压的增大而减小.     

高压系统内置光纤温度在线监测装置的研究

研究了基于内置光纤进行高电压系统温度在线监测,阐述了该研究的结构、原理及系统的软硬件设计方案,并对装置的精度进行测试.测试结果表明,该方案能很好地解决高电压系统温度在线监测存在的问题.     

基于虚拟仪器技术的PN结温度传感特性测试系统

利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪、USB-6009数据采集卡和LabVIEW平台,建立了基于虚拟仪器技术的新型PN结温度特性测试系统。测量了不同工作电流下PN结的正向压降随温度的变化关系,获得硅材料的禁带宽度,并分析了工作电流对PN结温度特性的影响。该实验方法、数据采集与计算机技术良好结合,弥补了手工测量带来的误差。     

基于FPGA的提高PUF可靠性方法（英文）

传统的基于环形振荡器的物理不可克隆函数(RO-PUF)因电压、温度、器件老化等影响,存在输出不可靠问题,即PUF输出随时变化,为了提高PUF的可靠性,提出一种针对PUF映射单元的稳定性测试方案.该方案选择多复杂度和多种频率的环形振荡器作为干扰源,放置在PUF原型电路附近对其进行干扰.通过识别和筛选掉不稳定的片,即识别和筛选掉使PUF结果不稳定的单元,来有效提高PUF的可靠性.实验结果表明,不同复杂度和不同频率的周围逻辑电路可以识别出不同数量的不稳定片,复杂度越高,识别出的不稳定片也越多.与最新发表的PUF文献相比,该PUF电路具有很好的统计随机性,资源消耗低.在温度变化为0～120℃和电压波动为0.85～1.2 V时,唯一性和可靠性分别达到49.78%和98.00%,从而使其能够更好地被应用于安全领域.     

利用PN结Vf-T特性测温

给出PN结正向压降随温度变化的关系，针对几种常用型号的双极型三极管进行了实测，在材料允许的温度范围内，恒定正向电流下，Vf与温度保持良好的线性关系并具有很好的灵敏度。文章并给出用PN结作传感器的数字化温度测控电路实例。     

多晶硅光伏电池的仿真建模及输出特性研究

根据光伏电池工作原理及输出特性,针对多晶硅电池进行实验研究,得到光伏电池的输出特性曲线,分析光照强度及温度对光伏电池输出特性的影响.结果表明开路电压随辐照度的变化不明显,短路电流则随辐照度的增大而增大,日照强度越强光伏电池的输出功率就越大,反之输出功率就越小.引用光伏电池组件的数学模型,在Simulink环境下建立动态仿真,仿真了不同光照强度和温度条件下的光伏电池的U-I和U-P曲线,进一步分析温度和照度对光伏电池输出特性的影响,结果显示光伏电池的温度对短路电流影响不大,而开路电压随温度的上升而减小.在不同的光照强度下,光伏电池板的P-V曲线的总变化趋势是相似的.仿真结果与实验结果一致.     

薄膜厚度对La0.8Sr0.2MnO3/TiO2PN结整流特性的影响

采用磁控溅射法制备了La0.8Sr0.2MnO3(100nm;50nm;17nm)TiO2(70nm)异质PN结,并对其进行电学性能研究.结果显示样品均表现出很好的整流特性.并且在La0.8Sr0.2MnO3/TiO2异质PN结中,当LSMO膜厚较薄时,由于LSMO薄膜与衬底之间的较高的应力局限了载流子浓度,导致扩散电压减小.变温电流电压特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化.值得提出的,异质PN结结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO具有的金属绝缘相变特性,并且在低温测量时,结电阻随着测量温度的降低而增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入造成的.     

铜纳米线结构与能量分布随温度变化特征的计算机模拟

采用分子动力学方法对不同体系的铜纳米线在不同温度下的结构与能量分布特征进行了计算机模拟。得到铜纳米线随温度变化时在不同方向的结构变化和能量分布图,并对其进行了分析和讨论.     

氧化镓肖特基二极管自热效应的仿真研究

氧化镓材料因具有卓越的特性而逐渐受到人们的关注,由其制备的肖特基二极管具有广阔的应用前景,然而材料本身热导率低,纵向结构器件受自热效应影响较大。通过仿真,对纵向肖特基二极管自热特性的正向、反向和瞬态信号传输的影响进行了研究。结果显示,二极管正向电压超过一定值时,正向电流受自热影响趋向饱和;反向特性在击穿之前没有自热效应;器件N型外延层的结构也会影响温度积累,数据表明当掺杂浓度和厚度超过特定值,自热效应会使I-V曲线恶化;当器件在开关状态工作时,温度积累使得电压较大、持续时间较长的脉冲信号完整性变差。