高电荷态离子40Ar17+与Au表面作用产生的X射线谱

利用光谱技术研究了高电荷态离子40Ar 17离子入射金属Au表面产生的X射线谱。分析结果表明,特征X射线发射,与离子最初的电子组态有关,Ar的Kα-X射线是离子在与固体表面相互作用过程中在固体表面之下形成的空心原子发射的。     

高电荷态离子129Xe29+与Au表面作用产生的X射线谱

研究了高电荷态离子129Xe29 入射金属Au表面产生的X射线谱。分析结果表明,足够高的电荷态低速离子激发靶表面原子,无需很强的束流强度,便可有效地产生重原子的特征X谱线(Au-Mα),特征X射线的幅度和产额随入射离子的动能的增加而增加。     

高电荷态Ar^q＋离子与固体表面相互作用的X射线谱研究

综述了低能高电荷态Ar^q＋离子与不同金属表面相互作用时,入射粒子和靶原子发射的X射线谱研究。重点分析了q=16时,高电荷态Ar^16＋离子与金属表面相互作用过程中发射Ar的Kα特征X射线的机理,以及q=17,18时入射粒子单粒子X射线产额等问题。分析总结了核电荷数不同的金属靶原子受激发射X射线的机理,以及入射离子的动能跟靶原子X射线产额的关系。展望了预期的研究方向。     

40Ar10+激发半导体功能材料P-Si表面的激发光谱

报道了用ECR离子源的高电荷态离子~(40)Ar~(10 )入射到p型Si表面的实验研究,通过实验测量到的Si原子和Si~(2 )离子的200nm-1000nm光谱,研究了谱线产生的机理。实验结果表明:低速高电荷态离子与固体表面相互作用中,可有效地激发原子和离子的特征谱线,分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。     

^40Ar^10＋协激发半导体功能材料P-Si表面的激发光谱

报道了用ECR离子源的高电荷态离子^40Ar^10 入射到P型Si表面的实验研究，通过实验测量到的Si原子和Si^2 离子的200nm-1000nm光谱，研究了谱线产生的机理，实验结果表明：低速高电荷态离子与固体表面相互作用中，可有效地激发原子和离子的特征谱线，分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。     

低能重离子激发靶原子内壳层X射线的空穴产生机制

在重离子与靶原子直接碰撞导致原子内壳层空穴产额与离子入射动能关系的基础上,计算了单离子入射引起的原子间碰撞产生的原子内壳层空穴产额。给出了低能重离子与靶原子碰撞过程,原子内壳层X射线单离子产额与离子动能的关系。较好地解释了动能300~600 ke V的Xe^27＋离子入射Mo靶,激发的Mo的L X射线的实验结果。     

高电荷态离子入射Ta表面形成的靶原子的特征光谱线

报道了用动能一定而电荷态不同的^40Ar^9 离子和动能不同的^40Ar^6 离子入射金属Ta表面，靶原子受激辐射发出的200—1000nm波段的特征光谱线的实验结果。实验结果表明：高电荷态离子所激发的靶原子的谱线强度与入射离子的电荷态密切相关，与靶原子的入射动能没有强的相关性。     

粉煤灰中硫形态的X射线荧光光谱法初探

X射线荧光光谱法的熔融片法测量粉煤灰中硫时,对不同制样(熔样)方法,硫分析有一定差异。本文用X射线荧光光谱法对粉煤灰中硫的价态做了分析测量,以尝试找出粉煤灰中硫在制样以及测量分析中不稳定的原因。     

特征X射线的量子特性

在论述X射线与特征X射线的产生的基础上,用量子理论分析了连续X射线谱与特征X射线谱产生的机理。结果表明,特征X射线的波长是由阳极靶物质的原子序数决定的;产生特征X射线的条件中必须包含一个临界激发电压。     

黑洞X射线双星Cyg X-1在2006年3月31日到4月1日的X射线闪

通过分析Rossi X-ray Timing Explorer(RXTE)卫星2006年3月31日到4月1日的不足21小时的资料发现,黑洞选X射线双星Cyg X-1爆发了3次X射线闪(flare)。在闪的爆发期间,辐射光度的变化因子为2-3。一般认为X射线闪与态的转移有着十分密切的联系。因此可以通过这段时间内的X射线爆发来研究Cyg X-1态的变化。研究发现闪的爆发并不一定伴随着态的转移,同时光度仅仅是源不同态的一种辅助性标志,它并不能决定源态的变化,同时光度的瞬变也并不一定伴随着态的转移。