溅射气压对Ti/Al多层膜结构和热稳定性的影响

为研究Ti/Al多层膜的结构和热稳定性与溅射气压的关系,采用对向靶直流磁控溅射法在0.5、2.0 Pa的溅射气压下制备了Ti/Al软X射线光学多层膜(Λ=9.25 nm,Г=0.3,N=20),并采用低角度X射线衍射、高角度X射线衍射和原子力显微镜对其结构和热稳定性进行表征.发现:低溅射气压(0.5 Pa)下制备的多层膜具有相对高质量、有序的结晶层,导致了相对较小的表面粗糙度,热稳定性好;高溅射气压(2.0 Pa)下制备的多层膜周期性结构相对较差,晶向较为无序,表面粗糙度较大,结构热稳定性差.可见,Ti/Al多层膜的结构和热稳定性是溅射气压的函数,低溅射气压下制备的多层膜会获得更好的结构和热稳定性.     

溅射气压对Al掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

采用射频磁控溅射技术,在常温状态下在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO透明导电薄膜.利用XRD和AFM分别对薄膜的晶体结构和表面微观形貌进行了表征,利用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜的光电性能进行了测试,并分析讨论了不同溅射气压对Al掺杂ZnO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,在本实验条件下制备的薄膜均为良好的c轴择优取向;在可见光范围内样品的平均透过率都高于85%;在溅射气压为1.2Pa时,薄膜的结晶度、电阻率和透过率都达到了最佳值.     

不同沉积气压制备微晶硅薄膜的表面粗糙度标度行为研究

采用VHF-PECVD技术制备了两个气压系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明：沉积气压Pg=70 Pa时,生长指数β=0.22±0.023,对应有限扩散生长模式;Pg=300 Pa时,β=0.81±0.099,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为,表明：在微晶硅薄膜生长中还要考虑其它粗糙化因素（如阴影作用会增加薄膜表面的粗糙化程度,使生长指数β增大）.     

不锈钢及其基底上TiN膜注银的抗菌机理的XRD分析

文章研究银离子注入不锈钢及以不锈钢为基底的TiN膜的微观结构对其抗菌机理的影响，XRD分析的结果表明Ag 注入没有影响TiN(111)择优取向。银在不锈钢和TiN膜上的晶面择优取向分别为(200)，(111)。     

Cu纳米颗粒薄膜的飞秒激光溅射实验研究

实验利用飞秒脉冲激光沉积Cu纳米颗粒薄膜,获得不同激光能量时溅射Cu粒子空间分布结果,并结合Matlab、Excel和Origin等软件对这些数据进行处理分析。实验结果表明：Cu纳米颗粒的空间分布遵循Anisimov气体膨胀模型,大部分的粒子主要集中在基片与溅射源中心线附近在小立体角度（θ〈30°）范围扩散。最后,实验选取合适立体溅射角度（θ≈30°）,能量密度约为0．72J／cm2时,在不同曝光时间条件下溅射Cu纳米颗粒薄膜,并采用原子力显微镜（AFM）表征了膜厚变化情形,综合分析了纳米颗粒薄膜空间沉积成膜的过程和规律,为后继数值模拟分析提供了实验验证依据。     

TbCo磁化膜制备工艺对其垂直磁各向异性的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片制备TbCo非晶垂直磁化膜,采用样品振动磁强计和磁转矩测量仪测量薄膜的磁性能和磁转矩曲线．结果表明：Cr底层、TbCo磁性层组分、溅射气压、基片偏压、退火温度和TbCo磁性层厚度对薄膜的磁各向异性能都有很大影响．．     

掺碳氧化锌薄膜的铁磁性

采用磁控溅射方法在Al2O3（0001）和Si（100）衬底上制备掺碳氧化锌薄膜,溅射薄膜时衬底温度为550°C.实验结果显示,制备的掺碳氧化锌薄膜样品在Al2O3（0001）单晶衬底上结晶质量更好.在室温下,所制备的薄膜皆出现铁磁性,且在Si（100）衬底上制备的样品具有更大的饱和磁化值.实验结果表明氧空位缺陷对掺碳氧化锌薄膜的铁磁性起源有很重要的影响.     

Ar/O_2比和基片温度对射频反应磁控溅射法制备钢基SiO_2薄膜亲水性的影响

在工作气压为1.9 Pa的氩氧气混合气氛中,改变氩氧的流量比和基片温度,采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样,并对薄膜的微观表面形貌和薄膜的亲水性进行表征.结果表明,在氩氧分压比为64和基片温度为90℃时制备的SiO2薄膜亲水性能最佳.     

掺铁镍酸镧LaNi1-xFexO3薄膜制备及其性能

采用溶胶-凝胶法（Sol-gel）在p-Si（111）衬底上制备掺杂铁酸镧（LaNi1-xFexO3,LNF）（x=0,0.2）薄膜,在700度退火处理后,利用X-射线衍射仪对薄膜样品进行结构分析,测试表明样品为六方晶系的钙钛矿结构.     

磁控溅射法制备ZnO薄膜的光学特性分析

该文用磁控溅射法在蓝宝石衬底上生长了ZnO薄膜,所得薄膜采用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外可见分光光度计（UVS）、光致荧光光谱（PL）对样品的结构、形貌和发光特性进行表征.结果表明掺杂后的ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,磁控溅射镀膜样品的透射边随着退火温度的提高发生蓝移又红移现象,所有样品都有比较好的发光性能;900℃溅射镀膜样品的表面形貌平整度较好,粒子分布均匀.     

氩氧比对射频反应磁控溅射制备TiO2薄膜亲水性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了锐钛矿相TiO2薄膜,在基片温度、溅射功率、溅射时间以及靶材与基片间的距离等因素不变的情况下,研究不同氩氧分压比对薄膜亲水性能的影响。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射光谱(XRD)表征了薄膜的微观表面形貌和晶相组成,采用静态接触角(SCA)评估薄膜的亲水性。实验结果表明不同氩氧比制备的锐钛矿相TiO2薄膜,紫外光照12 h后,接触角降到10o左右,而氩氧比小于等于5:5的接触角都低至5o左右,达到了超亲水性。氩氧分压比为4:6时,样品薄膜的光致亲水性最佳且光照后亲水性的保持较长。     

Effect of deposition parameters on mechanical properties of TiN films coated on 2A12 aluminum alloys by arc ion plating (AIP)

1 Introduction Weight saving materials such as aluminum and its alloys are becoming increasingly important and have been attracting increasing attention over the past decade, specially in the automotive, aerospace and chemical industries, and electrical devices because of their high strength-to-weight ratio, high electrical and thermal conductivities, processability and recyclability and good resistance to degradation in some corrosive environments [1,2]. In the automotive industry, there is d…     

溅射法在不同O2／Ar比例下制备HfO2薄膜

作为一种性能稳定的绝缘体,HfO2在电子、光学以及能量相关的领域中有着重要的应用。在本工作中,我们使用反应溅射方法在不同O2／Ar比例下制备了HfO2薄膜。XRD结果显示,O2／At比例并不能明显的影响样品的结构。通过Debye—Schener公式估计,样品由纳米晶粒组成。在O2／Ar比例为0．06（功率12W）时制备的样品最接近化学配比。在可见光区域,样品具有很好的透光率,T〉85％。明显的吸收发生在波长小于220nm时。通过Tauc公式可以估算出,样品的带隙在5．051到5．547eV范围内变化。     

基于SPR的铜纳米线/金属膜复合结构的研究

分别采用LPR-SC-MS/TE法制备一种亚波长结构金属薄膜:铜纳米线/金属膜复合结构。在这种复合结构中,铜纳米线平行镶嵌于金属膜中。利用光学显微镜和紫外分光光度计分别对复合结构膜的形貌及光学吸收特性进行研究发现:采用LPR-SC-MS/TE法制备的铜纳米线/金属复合结构膜中仅同质的铜纳米线/铜膜复合结构在656 nm波长处出现一个明显的SPR共振吸收峰,而异质的复合结构在可见光范围内未出现SPR共振吸收峰。     

Characterization of DC magnetron sputtering deposited thin films of TiN for SBN/MgO/TiN/Si structural waveguide

INTRODUCTION Monocrystalline SBN (Strontium barium nio-bium, SrxBa1?xNb2O6, denoted SBNx?100, where 0.25≤x≤0.75) solid solution, is currently being inves-tigated as potential material for many micro-device applications, such as piezoelectric infrared detectors, piezoelectric, electro-optic modulators, and holo-graphic storage (Koch et al., 1998), because SBN has one of the largest known linear electro-optic coeffi-cients (r33=1300 pm/V for SBN75), two orders of magnitude larger th…     

一维GaN纳米结构的制备、表征及其特性研究

采用在石英炉中,氨化Ga2O3薄膜的方法,在Si（111）衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜：纳米线、纳米棒．分别用X射线衍射仪（XRD,Rigaku D／Max--rB Cu Ka）、傅立叶红外透射谱（FTIR,TENSOR27）、扫描电子显微镜（SEM,Hitachi S-570）、高分辨电镜（HRTEM,Philips TECNAIF30）和光致发光谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了测量分析．最后,简要的讨论了其生长机制．     

SiCN薄膜的红外光谱研究

SiCN薄膜通过反应溅射法制备,并通过红外吸收谱（IR）进行表征。结果表明,薄膜中的N含量受衬底温度、N2流量、溅射功率影响。低的衬底温度会有利于N的进入,衬底温度过高,N含量将显著下降。在恰当的N2流量下才能在薄膜中获得最高的N含量。提高溅射功率可以使得薄膜中N含量升高。     

CoSiN薄膜的制备

文章采用磁控溅射的方法在n型硅基底上制备了CoN和SiN薄膜,再用薄膜测厚仪和四探针测试仪(EPP)测出样品的厚度及方块电阻,得到制备CoN和SiN薄膜的优化条件,然后由CoN和SiN薄膜制备出CoSiN薄膜.     

高长径比纳米银线的制备

纳米银线因其具有透光度高和导电性好的特点而成为制备柔性透明导电膜材料的良好选择．长径比是影响透光度和导电性的主要因素,银线的长径比越大,导电膜的透光度越高,导电性越好．采用多元醇法将硝酸银中的Ag＋还原得到了高长径比纳米银线,反应所用的试剂包括还原剂乙二醇、结构导向剂聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和络合剂氯化铜．用X线衍射仪和电子扫描显微镜等手段对纳米银线的形貌进行表征．该方法操作简便,反应时间短,PVP用量少,制得的纳米银线纯度高,长径比可达1000以上．