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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 502 毫秒
1.
本文用XRD和SEM等分析测试手段,详细研究了Sol-Gel法不同工艺过程制得KTN薄膜样品的结构和形貌。发现KTN薄膜的结构和形貌主要受热处理工艺的烧结温度、升降温速率、烧结气氛等影响,详细分析讨论了产生这些影响的原因。在SrTiO3(100,111)基片上制备出了高取向、纯钙钛矿结构、表面形貌良好的KTN薄膜。  相似文献   

2.
利用化学溶液沉积(CSD)法在双轴织构的Ni W基带上制备了烧绿石结构的La2Zr2O7(LZO)氧化物薄膜,并研究了热处理过程中升温路线对其外延生长行为的影响.利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对不同热处理路线下所制得的LZO薄膜的织构和表面形貌进行了表征.结果表明:升温速率对LZO薄膜的织构度以及表面形貌影响较大.可以认为通过选择合适的热处理路线,利用CSD法可以制得具有锐利织构度、表面平整且无明显缺陷的LZO薄膜,同时,在最佳热处理条件下制得的LZO薄膜适合用作涂层导体缓冲层.  相似文献   

3.
利用低温分子束外延技术制备高质量的GaMnAs薄膜,通过XRD对样品进行分析,从实验和理论上分析生长条件、退火条件对薄膜缺陷及薄膜性能的影响.尤其是分析系统的研究间隙位Mn原子与As反位原子缺陷的变化,从而深入理解掺杂原子的周围结构与磁性之间的关系,为下一步制备自旋器件提供高载流子浓度、高居里温度的(Ga,Mn)As材料提供了可能性.  相似文献   

4.
设计了薄膜电极材料的制备及超级电容性能研究的综合性实验。运用电化学沉积的方法制备Co(OH)2薄膜电极材料,采用FESEM对基底与薄膜进行形貌表征,通过差热-热重对薄膜的热稳定性进行分析,重点考察了两种沉积温度对薄膜超级电容性能的影响。结果表明,50℃沉积温度下电流密度为4 A/g时,比容量可达2780 F/g,且分散阻抗较低。该实验原材料简单,过程容易实现,且涵盖薄膜材料制备、表征、性能分析等多个知识点。  相似文献   

5.
磁控溅射法制备氧化镓薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一。氧化镓薄膜具有结构简单、成本低廉、响应快、便于制造的优点,而且还有很高的化学稳定性。它作为一种新型的气体传感器材料近年来日益受到重视。本文研究了通过磁控溅射法制备氧化镓薄膜时,不同的热处理温度对氧化镓薄膜结晶质量的影响。并利用X射线衍射仪,紫外可见透射光谱,对氧化镓薄膜的结构性能及表面形貌进行了测试和分析。  相似文献   

6.
采用射频磁控溅射沉积方法,结合氢气氛退火工艺制备了热红外探测VO2薄膜,通过优化工艺,制备出化学计量比接近理论值、高质量的VO2薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的相结构、组分进行了分析.测试结果显示,V2O5薄膜在退火温度450℃、退火2h条件下,制备得到的薄膜成分主要是VO2相.  相似文献   

7.
用溶胶-凝胶法制备了一系列掺杂钼量不同的TiO2纳米薄膜.用XRD,SEM和CAS(Contact Angle System)对TiO2薄膜的结构和性能进行了表征.结果表明,Mo6+掺杂浓度对薄膜的热致亲水性和光致亲水性均有影响,当掺Mo6+质量分数为0.75%,热处理温度为400℃时,掺钼TiO2薄膜在黑暗中放置72 h后仍能表现超亲水性.  相似文献   

8.
采用射频磁控溅射技术,在常温状态下在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO透明导电薄膜.利用XRD和AFM分别对薄膜的晶体结构和表面微观形貌进行了表征,利用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜的光电性能进行了测试,并分析讨论了不同溅射气压对Al掺杂ZnO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,在本实验条件下制备的薄膜均为良好的c轴择优取向;在可见光范围内样品的平均透过率都高于85%;在溅射气压为1.2Pa时,薄膜的结晶度、电阻率和透过率都达到了最佳值.  相似文献   

9.
通过超高真空反应磁控共溅射方法制备了CoTiO_2薄膜样品,在退火过程中加入了紫外光照射,研究了退火温度在反应共溅法中对薄膜微结构和磁性能的影响。形貌和结构研究表明,随着退火温度的升高样品的表面颗粒尺度逐渐减小,温度越高越有利于磁性相的形成,且500℃退火温度下锐钛矿结构的衍射峰较明显,晶胞变大;磁滞回线显示出样品呈现铁磁性特征,并且随着退火温度的升高样品的磁化强度逐渐降低;热磁曲线测量显示有序温度高于120℃。退火过程中进行辐照干预的处理,发现在薄膜制备过程中对薄膜的结构及磁性有重要影响。铁磁性有可能是起源于在热处理过程中引起的磁性离子和氧空位导致的晶格缺陷。  相似文献   

10.
热处理温度对溶胶-凝胶法制备TiO2薄膜性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶-凝胶法在多孔钛表面制备TiO2薄膜;研究不同热处理温度对TiO2薄膜晶相结构的影响,结果显示,随着热处理温度的升高,TiO2由无定形结构向锐钛矿型和金红石型依次转变,当热处理温度达到800℃时,锐钛矿全部转变为金红石;测试分析了钛基底和不同温度热处理后的TiO2薄膜样品在0.9%NaCl生理盐水中的耐腐蚀特性,发现800℃热处理TiO2薄膜的耐腐蚀性最强。  相似文献   

11.
ITO薄膜的电学性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
以In金属和SnCl4·5H2 O作为原材料 ,采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了高质量的ITO薄膜 ,并分析了Sn掺杂时、热处理温度、热处理时间三种工艺参数对ITO薄膜电学性能的影响 ,确定了ITO薄膜的相组成  相似文献   

12.
采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了ITO薄膜,研究了后续热处理时间对ITO薄膜显微组织及光电性能的影响.研究结果表明:随着热处理时间的延长,ITO薄膜的微观形貌发生了很大的变化,出现了小丘生长并伴随着回复与再结晶过程,严重影响了ITO薄膜的光电性能.  相似文献   

13.
本文介绍了精细T/P热释电复合材料的研制,物性参数的测量和应用上必须注意的问题。并介绍了精细T/P热释电复合材料薄膜制成的红外线传感器。  相似文献   

14.
本文介绍了精细T/P热释电复合材料的研制,物性参数的测量和应用上必须注意的问题。并介绍了精细T/P热释电复合材料薄膜制成的红外线传感器。  相似文献   

15.
利用阳极氧化法在酸性电解液中制备出超薄PAA薄膜,在控制温度条件下对薄膜结构色进行了初步调控,并讨论了电解液组分对PAA薄膜生成速率的影响。经过多次实践,修改了原实验的一些操作步骤,降低了实验难度,提高了实验可操作性,并简要给出了下一步实验规划。  相似文献   

16.
起粘结作用的薄膜结构厚度达到纳米尺度时,应用由微尺度观点建立的非傅立叶热传导模型分析其性能.文章采用纯声子散射模型分析绝缘薄膜结构的温度场和热应力,并与用在宏观尺度下的傅立叶热传导模型所得结果进行比较,同时研究绝缘薄膜结构热物理性能参数对温度场和热应力的影响.研究表明:采用纯声子散射模型分析结果与傅立叶热传导模型所得结果有明显区别,绝缘薄膜结构熟物理性能参数对温度场和热应力也有显著影响.  相似文献   

17.
为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪(XRD)和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响.  相似文献   

18.
目的:退火条件直接影响着电沉积制备的铜铟镓硒薄膜品质,而薄膜品质决定着最终得到器件的转换效率。本实验在不同退火条件下对薄膜进行处理,得出退火条件对薄膜各项表征指标的影响规律,并根据观察到的规律改善退火工艺,以提高铜铟镓硒薄膜品质。创新点:目前利用水溶液电沉积制备的铜铟镓硒薄膜太阳能电池转换效率不高,而退火是制作此电池的关键步骤之一。本文研究了退火温度和升温速率对薄膜品质的影响,分析其可能原因及退火过程发生的反应,并制备出了理想的高品质薄膜。方法:1.在水溶液中利用电沉积法制备出铜铟镓硒薄膜前驱体。2.对前驱体进行退火处理,并针对不同的样品采用不同的退火温度和升温速率。3.利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线荧光光谱(XRF)对薄膜进行表征,分析不同退火条件对结果的影响规律。结论:1.退火温度的影响:退火温度由450°C升高到580°C时,得到的薄膜结晶性越来越好,晶粒边界越来越不明显,Cu/(In+Ga)的比例逐渐升高,说明高温下(≥450°C)金属铟和镓较易挥发;实验中还发现Cu-Se化合物的总含量随退火温度的升高而降低。2.升温速率的影响:退火速率越高,薄膜结晶性越好;快速升温时薄膜中Cu/(In+Ga)的比例略低于慢速升温时的样品,而Ga/(In+Ga)的比例几乎不变,说明快速升温可以减少In和Ga的挥发。  相似文献   

19.
用流延法制备了甘油含量一定不同温度水热处理的热塑性豆类淀粉膜材料,采用粘度、X衍射分析(XRD)、差示扫描量热分析(DSC)、扫描电镜(SEM)和力学测试研究了不同温度水热处理对豆类淀粉热塑性材料的结构和性能的影响。粘度测试显示水热处理后豆类淀粉溶液的粘度增大;X衍射分析(XRD)、差示扫描量热分析(DSC)和扫描电镜(SEM)显示,豆类淀粉经过水热处理后,结构发生了很大变化;力学性能测试表明,110℃水热处理过的淀粉膜(甘油含量为30%)的拉伸强度为11.78MPa,断裂伸长率为27.24%,与相同甘油含量非水热处理的豆类淀粉膜相比.其拉伸强度提高了5.75MPa,断裂伸长率提高了3.32%。  相似文献   

20.
在微波水热条件下,以MnCl2.4H2O和C2H5NS为原料制备了MnS细微粉体.研究了微波水热温度、保温时间、反应物浓度、反应物pH对产物结构及形貌的影响,并采用X-射线衍射仪、扫描电子显微镜等分析手段表征了MnS细微粉体的显微结构和形貌,确定了制备单相MnS细微粉体的最佳工艺.  相似文献   

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