钛氧化物场发射冷阴极的研究

由于TiO2纳米线独特的结构、优异的性能和广阔的应用前景,自发现以来就受到了人们的广泛关注。二氧化钛纳米线具有大的长径比、化学稳定性、导电性以及有意的场发射特性等特点,在场发射冷阴极方面有着巨大的应用前景。文章首先1介绍了几种制备二氧化钛纳米线的方法,然后研究了其场发射特性。通过对比,最终采用PVD法在硅片上生长了TiO2纳米线。测得其开启场为19．3V／μm、阈值电场为30V／μm。     

物理技术的应用

本文分析了硅纳米线的合成原理,以及其作用和效益,全面介绍了硅纳米线的最新进展和科学应用.也描述了黑洞是一种引力极强的天体,有着巨大的引力场,连光都无法逃逸,所以人们无法对它的内部运动状态进行直接观测.再结合一定的理论模型,对黑洞进行间接研究的.所以谱线的辨认和理论模型的正确与否,对于认识黑洞极其关键.     

交叉路上的纳米计算机新方向交叉杆内存

将容易出错的纳米线交叉汇编，可能会是现有硅晶电路的下一步。     

美国研究成功新方法使锂电存量增10倍

斯坦福大学的研究人员已经发现了一种方法,可以使锂离子电池存储的电量增长10倍,这可能将笔记本电脑电池的续航时间由目前的4小时延长到40小时。 这种新电池是由助教YiCui及其在斯坦福大学材料科学和工程系的同事开发的。Cui说,电池容量的增加是因为一种利用了硅纳米线的新型阳极。Cui在其发表的论文中说,硅阳极拥有理论上最高的充电容量,但在充电时硅的尺寸会增大,使用时却会减少,这便损坏了硅阳极,影响了电池的性能。在过去的30年中,这一问题一直没有得到解决。     

SiO_xN_y纳米线在碳微结构上的集成特性研究

基于光刻、热解工艺制备了碳微结构阵列,在光刻胶碳化的过程中,利用化学气相沉积法在碳微结构表面一体集成了SiO_xN_y纳米线结构。通过对工艺过程分析,探究了SiO_xN_y纳米线在碳微结构表面的选择性生长现象,揭示了热解和纳米线生长一体化的微纳集成原理,实现了纳米线在三维碳微结构上的定域、有效集成。对该结构进行接触角实验,发现其具有良好的疏水性能。     

本期风云人物

硅纳米管：自组生长新纳米材料，我国干细胞治疗药物产品将首次进入临床研究，周廉获法国著名大学名誉博士学位，我国专家合成超长螺旋纳米线，四位中国选手获亚太地区青年发明奖     

气流对纳米氧化线制备的影响

用数值模拟方法研究气流特性对金属基体上氧化物纳米线生长特性的彩响,发现较大的璧面剪应力不利于纳米线的生长,纳米线生长方向和气流方向保持一致.     

磁性镍纳米线的生长演化

利用交流电沉积在有序多孔氧化铝膜内制备了镍磁性纳米线。采用EFSEM、TEM等方法对镍纳米线阵列进行表征,并用VSM对样品的磁性能进行测试。结果显示,镍纳米线在生长过程中发生晶体演化现象,出现多晶→单晶→多晶→单晶的生长模式。     

一维In_2O_3纳米材料的制备与表征

由于一维半导体纳米材料独特的物理、化学性质,其在透明电极、光电子器件、气敏传感器、逻辑电路和太阳能电池等诸多领域呈现出广阔的应用前景,成为了近些年来纳米科技研究的热点之一。本文利用热蒸发法在镀金的硅(100)衬底上生长了纯净的In2O3纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM),可以看到最终样品为In2O3纳米线;X射线衍射(XRD)分析证实所制备的材料为立方结构;由X射线能谱仪(EDX)可以看到,纳米线由In和O两种元素组成,为所要的纯净In2O3纳米线。     

中空管状氧化锌纳米线阵列的制备

基于水热法在三维柔性碳布表面集成了有序ZnO纳米线阵列,之后将集成结构置于石英管式炉中,空气气氛中退火。高温条件下,碳布与空气中的氧发生反应生成气态二氧化碳挥发出去,剩下中空的管状ZnO纳米线阵列。碳布可置换成其他形式的碳基底,如碳毡、碳颗粒、平面石墨等,从而得到空心管状、空心球状、平面状的ZnO纳米线阵列。该方法为大批量制备有序ZnO纳米线提供了新的思路,在光伏、压电、传感等应用ZnO纳米线的领域具有深远意义。     

镍纳米线的尺寸效应

本文采用分子动力学模拟方法,对不同截面尺寸的面心立方结构（FCC）<001>、<110>、<110>{111}和<111>晶向镍纳米线进行弛豫模拟。论文分析了影响弛豫后纳米线能量和收缩率的主要因素,模拟结果表明弛豫平衡后的平均原子能量与收缩率随着纳米线尺寸的增加而减小,对于相同尺寸的纳米线而言,<110>{111}结构的平均原子能量与收缩率最低。     

电磁干涉屏蔽与吸波材料研究取得创新成果

化学所有机川体院重点实验室的科研人员在光控有机／无机P-N结纳米线的构筑研究方面取得了新进展,实现了有机／无机半导体P-N结纳米线的可控构筑,获得了基于CdS-PPY的P-N结纳米线,该纳米线是南单晶的CdS纳米线和无定形PPY构成的,有机／无机材料之间具有清楚、致密而均匀的结。     

平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控

随着现代电子技术的飞速发展,电子元件的精细化程度也不断提高,加工工艺水平直接决定了电子元件的性能。本文结合平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控展开研究,通过实验方法阐述150mm大尺寸硅抛光片硅外延层特征,分别展开厚度均匀性、电阻率均匀性两大部分的调控方法总结。     

硅压阻力敏传感器滞后效应的实验研究

本文通过实验的方法,用增减砝码的方式对DH-SLD-1固体与液体密度综合测量仪中硅压式力敏传感器滞后效应进行研究,实验发现:硅压阻力敏传感器所测量物理量滞后效应不明显,实验中可以不通过增减砝码来规避滞后效应所带来的影响[1]。所得结论将为今后利用硅压式力敏传感器进行相关物理量的测量实验提供一定的参考。     

ICP-AES法测定硅铁锰铁及硅锰合金中磷量

文章介绍了用ICP-AFS法测定硅铁锰铁及硅锰合金中磷量的方法,在选定的测量参数下,系统考察了铁基体、共存元素、溶液酸度对所测元素的影响,进行了加标回收及精密度、准确度实验,采用不同的检测方法进行比对实验,结果表明此方法能准确快速的测定硅铁、锰铁及硅锰合金中磷量,满足了实验室日常分析的要求。     

中科大纳米结构单元组装技术与仿生纳米复合材料研制取得系列进展

中国科技大学俞书宏教授领导的课题组最近运用界面组装技术,成功将化学法合成的无序纳米线组装成具有周期性结构的有序一维超细纳米线薄膜。在此基础上,他们成功实现了在空气-水-油三相界面上组装多种无机纳米线组装结构。     

低硅烧结技术及烧结矿的性能测定

本文在实验的基础上阐述了低硅烧结技术的原理和工艺,以及低硅烧结矿的冶金性能的测定,进行了低硅烧结矿和正常矿的对比,结合当前国内钢铁原料及烧结生产现状,进一步说明低硅烧结的重要性,并对低硅烧结进行了展望.     

水中偏硅酸的测定硅钼蓝和硅钼黄方法的比较

偏硅酸是评价矿泉水品质的重要指标。在实际检测过程中《饮用天然矿泉水检验方法》(GB 8538-2016)提供了两种方法可以选择。通过比较两种实验方法,得出结论:在小批量检测时用硅钼黄方法比较简便,测试样品数量较多时,采用硅钼蓝方法比较稳定,所得的数据较为准确。     

银纳米线有序阵列的光偏振的理论研究

报道了组装在氧化铝模板中的银纳米线有序阵列光偏振的数值计算结果.进一步分析了阵列在可见—红外波段上显示光偏振的原因.通过适当选择纳米线的直径与间距,可以获得较大的消光比和较小的插入损耗,从而为设计纳米线栅偏振器提供最佳工艺参数     

多孔阳极氧化铝为模板电沉积制备纳米线的研究进展

多孔阳极氧化铝为模板制备纳米结构材料具有独特的优越性，颇受人们的关注，近年来获得了深入的研究．介绍了以多孔阳极氧化铝为模板采用电化学沉积方法制备各种有序纳米线阵列结构材料的最新研究进展，其中包括多孔氧化铝模板的制备和电沉积制备纳米材料的工艺及方法，同时展望了纳米线作为功能材料的应用前景．